swerdert

Members
  • Публикации

    12
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Репутация

0 Обычный

О swerdert

  • Звание
    Новенький

Информация

  • Город
    Екатерибург

Электроника

  • Стаж в электронике
    Менее года
  • Сфера радиоэлектроники
    микроконтроллеры
  • Оборудование
    dso 201
  1. альтернативы eeprom 24cxx

    мне как раз не нужна флеш, в том числе из-за блочного стирания(stm32) AT24C128 это же eeprom выключатся ~10 раза день , но выключится может в любой момент, а проснувшийся контроллер должен знать что с ним было до потери сознания. В данный момент ситуация лечится тем что контроллер при потере основного питания запоминает во флеш, и отключает себя от резервного питания через внешнее реле. Но хочется проще.
  2. альтернативы eeprom 24cxx

    в свете новых зацепок пошел гуглить и алиекспресить. итог: at24cm01 128КБ 130р fm24v10 128КБ 400р(это мой психологический придел,) fm24v05 260p fm24v02 32КБ 130p fm25l256 70р fm24cl64 50p итд но, fm24cl128 и более не находит поиск алиекспресс а , fm24c128 считаются 5вольтовыми так что мне не подходят На этом уже можно останавливаться? или есть еще какие серии(под серии) памяти?
  3. альтернативы eeprom 24cxx

    1) это же флеш - 100 000 перезаписей, а мне нужно 1000 000 2) я имею ввиду неужели запихнуть 10Мб в dip8 это не рентабельно 3)есть ли какой-то стандарт или договоренность описывающие название серий микросхем, типа: "если вы производите стабилизатор напряжения то в названии необходимо указать цифру 78 а после нее указать цифру соответствующую напряжению регуляции" или производители называют свои детища как хотят, а представления о сериях микросхем существует только в умах радиолюбителей? 4)на сколько я понимаю авторское право на функциональность не существует, поэтому можно сделать аналог с другой начинкой , но распиновку оставить для совместимости, и название сделать похожим на оригинал. Но так ли поступают или все таки по лицензии я не знаю. Щас мне тоже хватает 2КБ , но когда я захотел отладить аппаратно - механическую часть своего проекта, ОЗУ stm32 хватило на 3 сек записи. Хотя у at24схх может не хватить скорости.
  4. Перейдя с ардуино на stm32 ,обеспокоившись долговечностью флеш, начал изучать внешние модули EEPROM. Первым же делом наткнулся на at24с02 at24с04 и дошел до at24с512 (64килобайта i2c интерфейс) , а в линейке spi самое большое at25p1024(128КБ). Сейчас мне столько не нужно, но потенциально маловато. 1) какие есть альтернативные схемы с последовательным интерфейсом(3 , 2 или даже 1 провод)? 2)64 КБ для корпуса dip8 это нормально? или я много ожидаю от eeprom технологии? откуда берутся такие понятия ка "24xx серия" "78xx" "микросхема серии..." 3)есть какой-то стандарт или договоренность? 4)какой-либо производитель чипов придумывает схему начинает ее выпускать и дает название , а другие подстраиваются и дают похожие названия?
  5. мемристор?

    Наткнулся в интернете на мемристор. И вот что понял: в 70-х один азиат заметил закономерность в том что между базовыми велечинами(V, I, Q, Ф) есть связи в виде базовых элементов схем(R, C, L), но вот незадача , для полноты картины не хватает одного пазла. И назвал он его мемристором В куче позитивных статей на тему "hp реализовала мемристор, теперь ИИ не загорами", не могу найти статью , которая показала бы суть этого гипотетического элемента. 1) на рисунке 4 базовых велечены, но связей 6. что должно быть на линии i Q ?что должно быть на линии U Ф? 2) может кто видел перевод оригинальной статьи(типа этой http://www.cpmt.org/scv/meetings/chua.pdf) ?
  6. странная осцилограмма dso201

    3)намекаете на принципиальную ошибку в схеме?пользуюсь схемой http://www.icct.ru/node/82 и она работает с редкими пока мне не ясными отказами ключей. 4) я неправильно понимаю принцип измерения тока с помощью падения напряжения? 5)или я плохо обозначил проблему?
  7. h-мост , индукционно резистивные нагрузка, R1=20ом, измеряю ток с помошью резисторов R2=1ом и dso201 на резисторе Й осциллограмма как и ожидалось(амплитуда 4 вольта): . на резисторе Ц непонятная осциллограмма с пиками до 30 вольт: на резисторе Ц при обратной полярности щупов еще не понятней так как осциллограмма все равно в верхней половине: Это наводит на мысль что это глюк dso201 1) кто нибудь сталкивался с такой проблемой? 2) может ли это быть проблемой схемы?
  8. оказался непропай конденсатора на 4 ноге (напряжение на 4 ноге управляет скважностью: 0 влольт - 95% 3.3 - 0%). хотя опять же осцилограф относительно земли видел 2.5 вольта без помех. Перепаял конденсатор ,помехи ушли, все хорошо , НО остается не понятным как это связано.
  9. Собираю H-мост на N-mosfet , логика такая: tl494 -> TC4420(драйверы) ->трансформаторы-> N-mosfet как на этой картинке из этой статьи http://www.icct.ru/node/82 так подключил транзисторы при подключении источника коммутируемого напряжения 300вольт, сигнал на выходах микросхемы tl494 становится подобным однотактному сигналу: эта картинка на ногах tl494(не смотрите на то что сигнал перевернут), влияние драйвера исключается, так как он за резистором. может наводка от хаотично проложенных проводов. пробовал несколько новых микросхем из одной партии. помех на напряжении на питания микросхемы мой dso201 не видит. и еще: при при максимальной скважности или частотах выше 30кгц дефект иногда пропадает , и чем выще частота тем реже эта проблема появляется. а при трогании руками потенциометров и самой микросхемы дефект появляется чаще. кто нибудь сталкивался?
  10. коэфицент передачи тока полевого транзистора

    Видимо та характеристика о которой я писал не используется у радиолюбителей. Я понял. тогда все таки ответьте пожалуйста можно ли доверять этой формуле: ТокЗатвора=ПолныйЗарядЗатвора*чатотаШИМ*2 ?
  11. коэфицент передачи тока полевого транзистора

    КЭС , если понятие "коэффициент передачи тока" абсурдно ,то какое понятие нужно для того чтобы описать отношение силового тока(исток-сток) к управляющему(затвор) в транзисторе работающем на частоте икс Hepo, в общем вопрос то и сводится к формуле тока через конденсатор и к тому какие емкости и заряды из описания транзистора нужно в этой формуле использовать.
  12. Подскажите как в даташитах обозначают коэффициент передачи тока для полевых транзисторов (при заданной частоте и скважности)? А если такое не указывают то как это определить? то есть мне нужно найти соотношение К = Ток стока / ток затвора Ток стока = (напряжениеСтокИсток)/(сопротивлениеКанала)*скважность - с этим все понятно а вот ток затвора как правилно считать? со школы я знаю что в общем случае: Ток = заряд / время (I=q/t) тогда получается Ток = зарядЗатвора/времяПриЗаданнойЧастоте тогда получается Ток = зарядЗатвора*Частота но это пока только ток заряда затвора, а еще примерно такой же ток разряда. в итоге я получаю формулу тока затвора Ig=Qg*f*2 правильно ли это? к примеру: SPW47N60C3 (суммарная емкость 10000пикофарад) (gate charge total 320нанокулон), при частоте 100 000: получается 320/1000 000 000 * 100000 * 2 = 64/1000 ампера (max4420 при этом греется до 40 градусов по моим ощущениям на 1 ватт) если считать по формуле I=C*V*f поучается 10000/1000 000 000 000 *10*100 000 *2 = 20/1000 ампера (соизмеримо) Заключительный вопрос: какая самая точная формула для расчета тока затвора и какие пункты из Datasheet нужно в нее вставлять?