Приветствую.
Пишу диплом по испытанию силовых транзисторов. Требуется разработать схему, которая подает набор импульсов напряжения (примерно до 2 кВ), линейно (или квазилинейно) возрастающих по амплитуде, на закрытый IGBT-транзистор и измеряет максимально возможное пороговое напряжение, выше которого будет загиб характеристики и пробой. Должна быть защита по производной di/dt и, скорее всего, di/du. Т.е. при быстром росте тока, необходимо отключить подачу импульсов. Затем вывести на экран это значение напряжения.
Кроме того, необходим 2-й режим работы - прикладывать на транзистор постоянное напряжение и смотреть ток утечки.
Я из России, если это важно. Детали и предложения в ЛС.