Поиск сообщества

Чем можно заменить транзистор blv740

Добрый день! В электронике не новичок, разрабатываю и собираю различные схемы средней степени сложности, но вчера столкнулся с ситуацией, которую не могу понять. Итак, есть трансформатор с выходными обмотками 2х21В , к нему подключен мост KBU1010 (1000 В, 10 А), к положительному выходу которого подключен конденсатор емкостью 10000 мкФ 50 В (второй вывод конденсатора - на общем проводе, там же, где середина обмоток, отрицательный выход моста не используется). К конденсатору подключена лампочка 24 В 42 Вт. По сути, простейший выпрямитель, отлично работает. Теперь между выходом диодного моста и конденсатором я подключаю полевой транзистор IRF4905 (P-Channel, 55 В, 74 А (260 А в импульсе), 200 Вт истоком к выпрямителю, стоком к конденсатору). Т.е. транзистор может пропускать напряжение с моста на конденсатор, а может не пропускать. Между затвором и истоком ставлю стабилитрон на 12 В, резистор 100 КОм. Открываю транзистор напряжением -12 В (относительно общего провода) через резистор 10 КОм. Собираю, пробую - пару раз замыкаю провод на -12 В, схема работает (лампочка загорается). Затем вдруг лампочка начинает светиться постоянно, независимо от входного напряжения. Начинаю выяснять, в чем дело - транзистор пробит. Вопрос, как такое могло получиться? Да, возможно, что транзистор открылся в самый "неподходящий" момент, когда входное напряжение было на пике, а на выходе у него - разряженный конденсатор, т.е. по сути КЗ. Делаю КЗ трансформатора перемычкой, измеряю (клещами) ток через перемычку - 21 А RMS. Ну то есть около 30 А в пике (трансформатор не очень мощный, да еще и в сеть подключается через еще один развязывающий трансформатор 220/220 100 Вт). В первичной обмотке первого трансформатора при этом ток около 1.7 А, т.е. около 400 Вт. 30 А - это в 2.5 раза меньше, чем номинальный постоянный ток через данный транзистор! Я уж не говорю об импульсном токе в 260 А. Транзистор оказался пробит так - сток-исток: сопротивление практически 0, затвор - омметр ничего не показывает. Т.е. как бы канал пробило. Заменил транзистор, поставил последовательно с ним резистор 0.39 Ом 5 Вт, все работает, больше транзистор не перегорает (но на резисторе падает 1 В в среднем и около 2 В в пике). Кто может подсказать, в чем причина выхода из строя транзистора, если я и близко не приближаюсь к его максимально допустимым значениям? Схему прилагаю.

Здравствуйте! Вылетел драйвер UC3709N, новый стоит недешево , чем его можно заменить ? Есть ли аналоги?

Добрый вечер! Хочу подключить к ESP-01 счетчик воды с импульсным выходом(геркон внутри замыкается каждые 10литров). Для этого хочу собрать ключ, но не понимаю как выбрать транзистор, что бы при подаче тока на Базу полностью открывался К-Э и цепь замыкалась. Питающее напряжение - 3.3В. Сопротивление счетчика в режиме ожидания - 5,6кОм Сопротивление при срабатывании - 1,5КОм Схему накидал на бумаге и приложил. Идея работы следующая: Геркон счетчика замыкается, транзистор переходит в режим насыщения и на ESP(порт2) устанавливается логическая "1" Геркон размыкается, транзистор уходит в режим отсечки, напряжение на ESP(порт2) пропадает и появляется логический "0" Вопрос, как правильно подобрать транзистор для этой цели. Спасибо!

Здравствуйте. Случайно воткнул шуруповёрт Topex на 18В в розетку 220В, и сгорел двигатель и деталь на радиаторе, шуруповёрт раньше запитывал от блока питания на 12В - 12,5А, поменял электродвигатель на 18В, теперь нужно поменять транзистор или стабилизатор, но не видно маркировки, в интернете нашёл что может стоять P62NS047, irlz44n, какую роль он играет в кнопке шуруповёрта и какой поставить в него, И если я б купил двигатель такого же размера, но на 14 вольт, изменились ли параметры тока, или возможно из-за редуктора рассчитаного на 18В, шуруповёрт не так, как нужно работал. Спасибо.

Доброго времени суток! Подскажите пожалуйста, в какую сторону копать? Хочу для Raspberry Pi сделать переключатель USB, с помощью которого можно было бы в определённый момент подключать выбранный девайс. Если более подробно, то: хочу подключить к расбери два жёстких диска используя только один usb разъём. Преследую 2 цели: 1. Энергосбережение; 2. В дальнейшем хочу подключить более 4х накопителей. В начале думал использовать транзисторы для переключения, но на сколько я понимаю, то ток с базы течёт на эмитор и это искажает передаваемые данные. А использование реле делает устройство громоздким и я не нашёл подходящего с четырьмя входами и выходами. Подскажите как лучше такое реализовать? Как вариант можно попробовать просто отключать транзистором соединение питания, но на всякий случай я бы хотел отключать все 4 контакта.

Здравствуйте. Дальше много букв, но они необходимы для полной картины. У меня есть генератор прямоугольных импульсов с переменной частотой. Питается он на 2х батарейках типа L1154 соединенных последовательно. напряжение этих батареек - 1,5 в а вот силу тока нет возможности измерить, знаю только то, что питает два светодиода средней яркости(параллельно соединены), и то что ёмкость каждой из батареек L1154 около 300мАч. Кнопка стоит между минусом батареек и микропроцессором(скорее всего от батарей ещё идёт провод на процессор напрямую, но это неточно). С процессора выходит один контакт, к которому подключены минусы светодиодов, а плюсы уже идут к плюсу батарей. При первом нажатии на кнопку диоды загораются, при втором начинают часто мигать (4гц), при третьем нажатии мигают реже(2гц), а четвертое нажатие отключает. Нужно было усилить ток, при помощи двух NiMH аккумуляторов 1,2в, 850мАч для подключения дополнительных светодиодов... Горе-электрики посоветовали мне подключить аккумуляторы напрямую, вместо тех батареек. Микросхема после 10 секунд яркого горения светодиодов благополучно перестала работать. Осталась ещё одна такая же микросхема, я не хочу её сжечь. Помогите пожалуйста разработать схему для усиления силы тока на вывод для подключения светодиодов. Я думаю взять управляющий сигнал с одного из светодиодов(убрать один из них для экономии заряда L1154, а второй оставить для индикации выхода сигнала с микропроцессора) и его уже усиливать. Читать схемы умею. Но понятия о характеристиках необходимых элементов(резисторов, транзисторов, светодиодов), разве что светодиоды должны быть соответствовать аккумуляторам, дабы светить всю ночь(4-5ч) без подзарядки. Как понимаете усилитель тоже должен быть энергоэффективным. Спасибо. З.Ы. мне показалось или вместо слова "микропроцессор" мне нужно было использовать слово "таймер"(?)

Суть вопроса в том, что хочется сделать интересную самоделку для кальяна, а именно «электроуголь», в качестве нагревательных елементов используется нихромовая нить для вейпа, потключаться это дело будет от 12 вольт дома от компютерного блока питания, и на природе от автомобильного АКБ, тоже 12 вольт, 40 см нити от 12 вольт начинает не плохо краснеть (что и нужно для парения), использует 1 нить где-то 3,4-3,8 ампер, сечение нити 0,511мм (возможно будут и 2 нити) Главный вопрос в том что нужно сделать регулятор мощности для плавного изменения накала нитей с использованием регулируемого резистора, и какого нибудь мощного транзистора, ток который нужен довольно таки большой Хотелось бы схемку какую нибудь, пример резистора и транзистора

Приветствую всех! Собрал я мд пират, для проверки запитал от акб автомобиля, ирф740 сразу нагрелся(возможно сгорел) , в чем причина? дома есть кт819 , кт805 (их можно поставить заместо ирф? и с каким буквенным номиналом?)

Здравствуйте. Прошу посильной помощи в подборе аналогов 2-ух типов переменных резисторов, а также кнопочного переключателя с фиксацией. 1) Переменник 50кв 8 ног, размеры даны по циркулю 2) Переменник 20кв 6 ног, размеры даны по циркулю 3) Кнопочный переключатель с фиксацией 6 ног, размеры даны по циркулю Все компоненты были выпаяны из платы от старой колонки произведенной в Тайвани. Возможно кто-то сталкивался с подобными компонентами и сможет подсказать где взять аналогичные или же хорошую замену совпадающую по размерам. Заранее благодарен.

Подскажите, чем схема данного лабораторного БП плоха?

Официальную систему именования не нашел (если кто знает, подскажите), поэтому будут именоваться по рисункам справочника под ред. Перельмана - Транзисторы для аппаратуры широкого применения (1981 год): Корпус 49 (варианты А и Б) Сделал два варианта каждого из видов - с прямыми выводами и гнутыми. В этих корпусах выпускались транзисторы ГТ402/404. А в корпусе 49Б также выпускались транзисторы МП20, МП21, МП25, МП26, П27, П28, МП35, МП36, МП37, МП38, МП39, МП40, МП41, МП42 и их буквенные модификации. Скачать

Уважаемые товарищи, ранее на форуме была подобная тема и решением вопроса был совет: использовать биполярный транзистор. Так же была указана схема подключения нагрузки. Ссылка на тему Прошу помочь с разводкой. Я примерно прикинул как это будет выглядеть, но я могу быть не прав, так как в схемотехнике почти полный 0. P.S. товарищи заранее спасибо! И это должно вклеиться в схему usb удлиннителя.

Почему на этой схеме, при повышении напряжения на коллекторе транзистор призакрылся, если напряжение на БЭ не изменилось?

Логика схемки простая: Лампа выключена, если красный провод не подключен (висит в воздухе). Лампа включена, если напряжение на желтом проводе ≥0В и <13В. Другими словами, желтый провод может быть подключен или на GND, или на +12В. Но вход у устройства со знаком " ? " (см. схемку), должен быть один. Это важно. Пожалуйста помогите новичку победить коробочку со знаком " ? ". Она на схемке есть. Двое суток с ней договориться не могу. А если без шуток, в голову приходят идеи с транзисторно-транзисторная логикой, и микроконтроллером. Может быть еще какие-то варианты есть? Кроме механических элементов. Буду признателен если нарисуете решение. На всякий случай, попытаюсь еще раз объяснить. У желтого провода есть три положения, одновременно он может находиться только на одном: Желтый провод не подключён. Лампа выключена. Желтый провод подключён к +12В. Лампа включена. Желтый провод подключён к GND. Лампа включена. Я потратил кучу времени и не смог найти и выдумать решения. Прошу помочь доделать схемку. P.S. Я новичок, объяснил как смог, прошу строго не пинать если где допустил ошибку .

Какие процессы происходят внутри биполярного транзистора, если изменять напряжение на коллекторе?

Добрый день. Сразу предупреждаю, я абсолютный дилетант в электронике и практически ничерта не понимаю. Вообщем такая ситуация...Слева на картинке блок питания на 24 В. При подаче питания на базу, транзистор открывается и должен пропустить ток с другого блока питания (5 В, справа) на китайский модуль вольтметра-амперметра. Проблема в том, что нифига не работает. При том что при подаче тока на базу мультиметром прозванивается коллектор-эмиттер. И что самое интересное на плюсе и минусе питания вольтметра-амперметра появляется 5 В, но сам модуль НЕ включается. Заметил одну интересную вещь. В момент выключения блока питания (24 В), когда блок еще работает на остаточном напряжении, модуль вольтметра-амперметра включается и работает и угасает вместе с блоком питания. Пробовал уже и с другим транзистором (маркировка 13003), та же история. Помогите, пожалуйста, если кто может. Спасибо.

Для стабилизации работы светодиодной лампочки в габаритах(чтобы не перегорали) решил воспользоваться стабилизатором на базе КРЕН8Б. В магазине дали вместо нее вот такую - L7812CV. Спаял вот такую схемку и решил проверить от блока питания, который выдает стаб. 12В На выходе проверяю тестером, а он кажет 10.63 В. Так я что то не понял назначение этой микрухи. Где хваленые 12В ?

Прошу, помогите решить проблему с этой схемой. Схему нашёл в интернете, только вместо мощности конденсатора 25 вольт - 16в. Спаял правильно,но загораются не все светодиоды. Не понимаю в чём может быть проблема На фотографии вряд ли, что можно разобрать,но припаяно всё правильно, перепроверял достаточно много раз. Вот видео включения и выключения ленты. ЗАРАНЕЕ СПАСИБО!!!

Принцип работы транзистора. Самый главный вопрос, который содействовал созданию физики полупроводников это «каков принцип работы транзистора, как усилительного электронного прибора?». Создателям транзистора пришлось изобрести теорию, в которой выходной ток транзистора увеличивался при поступлении на базу тока в отрицательной полярности. Ответить на этот вопрос без применения термодинамической теории было просто невозможно. Тогда были изобретены «дырки» - ток электронов в валентной зоне. Подвижность «дырок» научились измерять… И было придумано много такого, благодаря чему сегодня мы должны создавать физику полупроводников с нуля. Зонная теория, правда пока никуда не ушла. Но, судя по тому как она смело обошлась с валентными электронами, наверное следует пересмотреть и её. Квантовая теория к физике полупроводников вообще никакого отношения не имеет. Так, как квантовую теорию разрабатывали в начале прошлого века, когда плохо была разработана термодинамика ( отсутствовала теория теплового заряда ), то сегодня она тоже нуждается в пересмотре, а главное в ограничении действия квантовых условий. Теория квантов применима, там, где атом излучает световую волну. Такое явление возникает в светодиодах и полупроводниковых лазерах. Несмотря на это, термодинамика явлений в этих приборах должна быть изучена. Существующее сегодня ( в официальной физике ) объяснение работы биполярного транзистора: Принцип работы биполярного транзистора http://electroandi.ru/elektronika/printsip-raboty-bipolyarnogo-tranzistora.html https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор Итак, главный вопрос - «каков принцип работы транзистора, как усилительного электронного прибора?» - должен изменить физику полупроводников. У полупроводниковых элементов Пельтье, которые тоже имеют PN-переходы, энергообмен ( влияние тепла) неплохо изучен. Элемент Пельтье https://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/418212 Почему же полупроводниковый диод остался без термодинамики (термоэлектроники)? Сначала изложим правила, по которым происходит энергообмен в PN-переходах. Правила: 1. Вход энергии в PN-переход. ( Эффект Зеебека ) 1.1. Если в PN-переход поступает тепловая энергия в виде эстафетного тока электронов, то она преобразуется в ЭДС на PN-переходе. При этом эстафетный ток преобразуется в инжекционный ток. Инжекционный ток имеет тепловую природу, поэтому не управляется по законам Киргофа. 1.2. Если входящая энергия создала ЭДС, то эта ЭДС создаёт в PN-переходе прямой ток, по величине этот ток определяется Вольт-Амперной характеристикой соответствующего PN-перехода. 2. Выход энергии из PN- перехода. ( Тепловой эффект Пельтье. ) 2.1. Если через PN-переход пропускать прямой ток, то на PN-переходе создаётся разность потенциалов ( ЭДС ) согласно Вольт-Амперной характеристики этого перехода. При этом, электроны, проходящие через PN-переход в прямом направлении выделяют тепловую энергию. Процесс выделения тепла определяется сопротивлением Rd. 2.2. Если вблизи нет соседних PN-переходов ( потенциальных барьеров ), то энергия из PN- перехода выходит посредством эстафетных движений (токов) электронов – что соответствует теплопередаче. Если поблизости от выделяющего энергию PN-перехода находиться другой PN-переход, то он создаёт потенциальную яму – отбирает у эстафеты электрон для заполнения своего скрытого электрического барьера, тем самым превращает эстафетный ток в инжекционный. Как уже говорилось, инжекционный ток имеет тепловую природу и не подчиняется законам Киргофа. 3. Вход энергии в запертый PN-переход. (Холодильный эффект Пельтье.) 3.1. Энергия, входящая в запертый PN-переход способна реализовать электронное управление. При входе энергии в запертый PN-переход, сам PN-переход начинает работать сразу в 2-х режимах. В нём создаётся ЭДС и протекает прямой ток, сгласно поступившей энергии. (Эффект Зеебека.) Инжекционный ток несёт с собой тепловую энергию. Эта тепловая энергия поглощается в запертом PN-переходе и через переход совместно с прямым током протекает и обратный ток, равный по величине прямому току – это соответствует холодильному эффекту Пельтье. Величина ЭДС устанавливается согласно эмиссионному уравнению для прямого тока PN-перехода, и дополнительно она складывается с разностью потенциалов, создаваемой обратным током. 3.2. Кроме энергии электронного управления, запертый PN-переход перехватывает все возможные другие поступающие энергии. В эти энергии входят следующие: - энергия световых волн. - энергия тепла.(Локальное тепло относительно температуры окружающей среды. ) - энергия тепла, возникающая при протекании электрического тока, при конвертировании энергии источника в тепло – это соответствует закону Джоуля-Ленца. - энергия обратного напряжения. ( Подобное явление – это эффект Эрли.) Все эти энергии участвуют в процессе управления обратным током. Схема с общей базой. Рассмотрим работу транзистора как термодинамического электронного прибора в схеме с Общей Базой. Работу рассмотрим поэтапно, исследуя во времени 4 момента. Такое рассмотрение удобно для понимания термодинамического принципа работы транзистора. На самом деле – в реальности – транзистор включается в работу мгновенно. Итак, 4 момента во времени. Рис. 1. Момент 1. Момент 1. Включение цепи. Токи ещё не начались. Здесь на рисунке, транзистор показан в виде 3-х областей NPN, Rвх – входное сопротивление, принадлежащее цепи входного сигнала, Rн – сопротивление нагрузки ( или сопротивление для измерения токов коллектора ), Eб – источник напряжения, представляющий из себя входной сигнал. Eк – батарея цепи коллектора. Полярности включения Eб и Eк отмечены знаками «+» и «-». Рис. 2. Момент 2. Момент 2. Через переход База-Эмиттер протекает входной ток. В переходе База-Эмиттер возникает выход тепловой энергии в виде эстафетного тока электронов – обозначен сиреневыми двунаправленными стрелками. Эстафетный ток электронов возникает в том случае, если есть градиент температуры и происходит процесс теплопередачи. В данном случае переход База-Эмиттер теплее холодной потенциальной ямы перехода Коллектор-База. Вольтметр В1, подключенный к переходу База-Эмиттер показывает разность потенциалов (ЭДС), согласно Вольт-Амперной характеристики перехода. В PN- переходе База-Эмиттер протекает прямой ток, обозначенный синими стрелками. Рис. 3. Момент 3. Момент 3. Эстафетный ток достиг потенциальной ямы – перехода База-Коллектор. У перехода База-Коллектор есть скрытый электрический барьер, который отрывает электрон от эстафеты, заряжая тем самым барьер. В результате постоянного отрыва последнего электрона ( достигшего перехода База-Коллектор ), эстафетный ток преобразуется в инжекционный, направленный от перехода База-Эмиттер в сторону перехода База-Коллектор. Инжекционный ток имеет термодинамическую природу. Скрытый электрический барьер перехода База-Коллектор начинает заряжаться, в переходе База-Коллектор возникает ЭДС ( измеряется вольтметром В2 ). Соответственно этой ЭДС, согласно эмиссионному уравнению перехода База-Коллектор, через переход База-Коллектор протекает прямой ток – на схеме обозначен синими стрелками. Рис. 4. Момент 4. Момент 4. Электроны инжекционного тока приносят в переход энергию. Через PN-переход База-Коллектор начинает протекать обратный ток, согласно холодильному эффекту Пельтье. Величина обратного тока зависит от полученной энергии от перехода База-Эмиттер. Поэтому ток коллектора Ik не превышает Ib. Энергия, забираемая от перехода База-Эмиттер определяется некоторым резистором Rd. Вольтметр В2 показывает уже не ЭДС в чистом виде, некую сумму этой ЭДС и разности потенциалов, создаваемой обратным током. ЭДС прямого тока перехода База-Коллектор существует, и ток коллектора Ik без неё был бы невозможен. Усилитель по схеме с общей базой работает! Если к коллектору приложить высокое напряжение (порядка 100 Вольт для кремниевых транзисторов), то это напряжение не попадёт на вывод эмиттера, по той простой причине, что у инжекционного тока природа – термодинамическая. Электроны инжекционного тока движутся в сторону коллектора из-за явления теплопередачи! Высокое напряжение коллектора не может повернуть их назад, так, как контуры тока – входного и выходного - ( по закону Киргофа для электрических цепей ) разорваны. При изготовлении транзистора, переход База-Коллектор делается более чувствительным к энергии, а значит – более управляемым. Для перехода База-Коллектор параметр TF значительно выше, чем для перехода База-Эмиттер. Например, для транзистора КТ312В для перехода База-Эмиттер TF = 550 Кельвин, для перехода База-Коллектор TF = 843 Кельвин. Если у батареи Eк поменять полярность и тем самым создать прямой ток в переходе База-Коллектор, то возникает процесс, когда оба перехода транзистора будут выделять тепловую энергию. Согласно термодинамике, эстафетный ток электронов возникнет при различном нагреве этих переходов. Передача энергии при этом будет осуществляться методом уравнивания термического заряда (это принцип теплопередачи), от горячего объекта к более холодному. В данном случае, более горячим объектом окажется коллектор ( TF определяет более тёплый переход, при одинаковых приложенных напряжениях, для КТ 312В: 843К > 550К). Эстафетный ток двинется к эмиттеру и превратиться в инжекционный. После чего к ЭДС эмиттера добавиться разность потенциалов – в результате теплового инжекционного тока несущего энергию от перехода База-Коллектор. Если увеличивать ток в переходе База-Коллектор, ЭДС в переходе База-Эмиттер будет увеличиваться. Этот процесс будет выглядеть как смещение Вольт-Амперной характеристики перехода База-Эмиттер в сторону более больших напряжений. Из-за параметров своего эмиссионного уравнения, переход База-Коллектор обладает более смещающим действием на Вольт-Амперную характеристику перехода База-Эмиттер. Точно также объясняется работа схемы с общей базы транзистора PNP- типа. Для инжекционного тока важно наличие горячего и холодного PN- переходов. А направление его движения определяется разностью их температур. Не нужны такие фикции как «дырка» и «дырочная проводимость», когда явление электронного управления возможно объяснить с помощью понятия теплопередачи, посредством эстафетных и инжекционных токов, с позиций термодинамики. Схема с общим эмиттером. Так, как тепловой ток (ему соответствует параметр – мощность, или по другому – входной энергетический сигнал) управляет закрытым переходом, то в схеме с общим эмиттером между переходами возникает многократное отражение этого сигнала. Оба перехода играют роль зеркал, а кратность отражения соответствует коэффициенту β. Как известно, β изменяется в зависимости от протекающего тока (эффект Кирка). Рассмотрим работу схемы с общим эмиттером, применяя метод остановки времени – с помощью временных моментов. Рис. 1. Момент 1. Момент 1. Включение цепи. Токи ещё не начались. Здесь на рисунке, транзистор показан в виде 3-х областей NPN, Rвх – входное сопротивление, принадлежащее цепи входного сигнала, Rн – сопротивление нагрузки ( или сопротивление для измерения токов коллектора ), Eб – источник напряжения, представляющий из себя входной сигнал. Eк – батарея цепи коллектора. Полярности включения Eб и Eк отмечены знаками «+» и «-». Рис. 2. Момент 2. Момент 2. Через переход протекает ток входного сигнала. Возникает выход из перехода База-Эмиттер тепловой энергии. Возникает явление теплопередачи посредством эстафетного тока электронов. На рисунке 20 эстафетный ток обозначен двунаправленными стрелками фиолетового цвета. В переходе База-Эмиттер возникает ЭДС, согласно Вольт-Амперной характеристики. Синими стрелками в переходе База-Эмиттер обозначен прямой ток. О величине Ib и процессе многократных отражений: Первоначально величина Ib имеет максимальную величину, но с каждым последующим отражением величина этого тока будет уменьшаться… Если на вход входной сигнал подаётся через стабилизатор тока, то с каждым последующим процессом отражения возникает явление смещения входной характеристики в сторону более больших напряжений, что как раз и показывает уменьшение величины Ib. Рис. 3. Момент 3. Момент 3. Эстафетный ток достиг потенциальной ямы PN-перехода База-Коллектор. Электрон эстафетного тока, достигший перехода База-Коллектор отрывается электрическим барьером этого перехода и идёт на создание ЭДС этого перехода. Из-за этого эстафетный ток преобразуется в инжекционный. Но природа этого тока осталась прежней – это явление теплопередачи. Запертый переход База-Коллектор является холодным ( холодильный эффект Пельтье ), а переход База-Эмиттер является горячим (тепловой эффект Пельтье). Скрытый электрический барьер перехода База-Коллектор начинает заряжаться. Возникает ЭДС. Соответственно этой ЭДС, согласно Вольт-Амперной характеристике перехода База-Коллектор, через переход База-Коллектор протекает прямой ток – обозначен синими стрелками. Рис. 4. Момент 4. Момент 4. Первое зеркальное отражение. Закрытый переход База-Эмиттер получает энергию от перехода База-Эмиттер посредством инжекционного тока. Холодильный эффект Пельтье срабатывает и начинает течь ток коллектора Ik. Его можно назвать 1-м зеркальным отражением, потому что, ему предстоит пересечь переход База-Эмиттер в прямом направлении, что вызовет увеличение инжекционного тока – на рисунке 22 это показано как сумма инжекционных токов E1+E2. Следующим шагом будет прибавление к току коллектора ещё одной его порции – второе зеркальное отражение. Итак, коллекторный ток становиться источником выброса добавочной энергии, выражающейся в инжекционном токе E2. Этот выброс должен далее создать второе зеркальное отражение, то есть прибавку (удвоение ) тока коллектора. После будет утроение коллекторного тока, после ток возрастёт в 4 раза… Такой процесс отражений происходит β раз. Казалось бы умножению не будет конца, но существует процесс, ограничивающий β. Это как раз процесс выделения тепла в переходе База-Эмиттер. Процесс выделения тепла определяется резистором Rd, который вносит отрицательную обратную связь для тока База-Эмиттер. Этот процесс сопровождается смещением входной характеристики, и тем самым уменьшением порции входного тока Ib. Процессы положительной обратной связи (ПОС) и отрицательной обратной связи (ООС) уравновешиваются при β равном 100 – 300 раз. Кольцо ООС ограничивает количество отражений до β раз. Если процесс многократных отражений превысит процесс ограничения, то на выходной Вольт-Амперной характеристики транзистора образуется S-образный участок, говорящий о существовании ПОС. Такой режим возникает у германиевых транзисторов при малых токах базы ( 1- 10 мкА), при больших ( порядка 10 Вольт ) коллекторных напряжениях. Такие же процессы, приводящие к образованию S-образной характеристики, происходят при работе динисторов и тиристоров. Объяснение работы биполярного транзистора дано с учётом термодинамики (термоэлектроники). Источник: Принцип работы транзистора https://my.mail.ru/community/blog.physics/60DED587A8C5F9E0.html Валерий Багницкий, 07-06-2011 Инжекционного в кавычках. Инжекционный ток - это тепловой ток, посредством электронов.

Собрал данную схему. Транзисторы vt1 и vt2 нагреваются до 100 градусов где-то за 30 секунд. Почему это происходит и что с этим делать? Точечный рисунок (2).bmp Точечный рисунок.bmp

Доброго времени суток! Я решил собрать регулируемый блок питания с регулировкой напряжения и тока. За основу решил взять LM317. Схема регулировки состоит из 2-х частей: регулировки по напряжению и по току. Вот схема регулировки напряжения: При R1=240 ом и входном напряжении 24 вольта R2 составляет 5 ком (R2-переменный резистор). Вот схема регулировки тока: 0.8<R1<120 (ом). Максимальный ток LM317 составляет 1.5 А. Этот ток для меня слишком мал. Поэтому я решил включить между блоком питания и нагрузкой транзистор а на его базу подать напряжение отсюда: Вот вся схема: Мой вопрос: можно ли подключать транзистор без всяких ограничительный резисторов и можно ли применить компьютерный БП в качестве источника тока? От БП компьютера берется двухполярное питание (+12В и -12В (не 0В)).

Меня попросили рассказать об ошибках в физике, и как следствие, новом взгляде на работу электронных приборов. И здесь мы можем обсудить все вопросы и поспорить. Мои вопросы и утверждения были следующие: Существует ли теоретическая электроника? 1. Все электронные приборы работают на принципах термо-электроники. 2. Термо-электроника как наука в физике не представлена. Объяснять работу электронных приборов на основе одного только электрического процесса - ошибочно. А теория дырок - это обычная фальсификация.(лохотрон) Поэтому я очень сомневаюсь, что есть верная "теория" работы электрон. приборов. Первый шаг. Начало: мат модели. Приступаю к раскрытию темы. История исследования. Я занимался моделированием ВАХ (вольт-амперных характеристик) электронных приборов. Что для этого нужно? 1. Хороший мощный компьютер. 2. Знание математики. 3. Физика тоже нужна. 4. Знание языка программирование. Всё это у меня было. И я работал с транзисторами. В основном это были КТ315, КТ312... Год 1992. Компьютер Спектрум. Транзистор КТ312. Если долго работать в одном направлении, начинаешь понимать, как решать задачу более правильно. О самой задаче: сначала измеряем ВАХ, затем задаём (подбираем) математическую формулу, чтобы ВАХ и мат модель немного совпадали. Получается, что задача из 2-х частей. 1-я часть - это физический опыт - измерение ВАХ. 2-я часть - моделирование, получение аппроксимации. В результате работы было замечено, что ВАХ транзистора не стабильны и зависят от температуры. Было принято решение: корпус транзистора впаивался в жестяную банку. В банку наливалась вода и устанавливался термометр. Температура поддерживалась ровно 20 градусов по Цельсию. Если вода в банке остывала - добавляли горячей воды. Если нагревалась - добавляли холодной воды. Сама мат модель биполярного транзистора сложная. Приходилось получать две ВАХ отдельных его переходов, после чего были попытки из них вывести выходную ВАХ. Шаг второй: Странная мат модель диода КД 522 Б. Год 2001-й. Компьютер уже - Пентиум-3. Программа для моделирования - Delphi-3. Я продолжаю улучшать навыки моделирования. Всё та же банка с водой. Только транзистор не впаиваем, а одеваем на него резиновую изоляцию, и погружаем в воду. Но тут появилась мысль: почему бы не снять ВАХ обычного кремниевого диода КД 522 Б, но в банку наливать воду с разными температурами. Первая ВАХ была измеряна для температуры 10 градусов по Цельсию. Далее: 20, 30 и 40 градусов по Цельсию. Получили семейство ВАХ в зависимости от температуры. И вот тут обнаружилось, что мат модель (семейства ВАХ) не совпадает с уравнением из ВУЗ-овского учебника. В учебнике по физике полупроводников (её иначе называют- физика твёрдого тела : ФТТ) есть уравнение Шокли для ВАХ п/п диода. Причём он умудрился написать её и для прямого и для обратного тока. Я же работал только с прямым током. Так вот, уравнение Шокли при изменении температуры среды для диода - оказалось липой! Об этом иногда и сегодня идёт спор... Уравнение Шокли написано в странной форме - оно не полностью аналитическое - в нём есть эмпирический коэффициент, зависимый от температуры! То есть полный лохотрон. Этот эмпирический коэффицент может быть каким угодно. Он может гибко подстроится под любую мат модель. (и под мою тоже) Но так делать в физике и в математике нельзя. Разочарование в уравнении Шокли я осознал к году приблизительно 2007-му. То есть я нашёл правильную мат модель. Понял, что уравнение Шокли - это липовая мат модель - или "подгонка" под экспоненциальную функцию. https://ru.wikipedia.org/wiki/Шокли,_Уильям_Брэдфорд А дальше, я не знал что делать. Куда идти? К кому? Кто оценит ошибку Шокли? Кто оценит мою мат модель? Ну, в общем понятно к кому идти - в науку... В универ, например,... В ДВГУ преподы посмотрели на мою мат модель: бросили фразу: - Неужели термо-электричество? Там столько эффектов! Сотни! Я так ничего и не понял. Вроде им моя модель не нужна? Шаг третий. Бьём в одну точку. Получилось, что я сделал открытие с диодом КД522Б, но занимаюсь сложной моделью транзистора, где нет успеха никакого. Кстати, с биполярным транзистором тоже были некоторые открытия и наработки... Но в 2010 году я принял решение - заняться только ВАХ диода, зависимыми от температуры. Были исследованы несколько PN-переходов, а точнее - 42. Все они давали похожую мат модель. Шаг четвёртый. Обращаемся к физике. Наконец в 2011 году я принял решение - обратиться к физике. Что может быть проще? Но вариант "почитать учебник" - уже не подходил. Если Шокли подсовывает нам липу, то и учебники могут (а они так и делают) давать липу. Ведь в каждом учебнике по физике цитируется теория ЭДП - электронно-дырочной проводимости! И расписываются какие там дырки. Но, согласно, полученной мной мат модели - никаких дырок быть не должно. Поход в физику был с 2011-го года по настоящее время. Выяснилось много фактов. Оказывается физика в основном состоит из ошибочных теории не связанных между собой. Они настолько разрозненны и ошибочны, что не позволяют создать теорию прямого тока п/п диода. Рассматривая физику как липовый бухгалтерский отчёт, себя я считал ревизором... Провёл ревизию. Нашёл ошибки. Где-то к 2013-му году нашёл какое-то решение для ВАХ диода. Шаг пятый. Как же всё-таки работает диод и биполярный транзистор? Остаётся рассказать о моих находках (ошибок) в физике. Оказывается, что в 1821 году немец Зеебек, обнаружил "эффект Зеебека" - при нагревании спая термопары, на её концах возникала термо-ЭДС. https://ru.wikipedia.org/wiki/Зеебек,_Томас_Иоганн А в 1835 году француз Пельтье обнаружил "эффект Пельтье" - при пропускании тока через термопару - спай или нагревался или охлаждался, в зависимости от направления тока. https://ru.wikipedia.org/wiki/Пельтье,_Жан_Шарль_Атаназ Оказывается, есть ещё эффект Томсона. Не зря физики говорили что там 100 эффектов. Ну не 100, а 3 эффекта точно есть. Работа п/п диода объясняется просто: Диод - это термопара. Ну не совсем конечно. Почему? Термопара - это 2 достаточно длинных провода, чтобы спаи их поместить в среды с разными температурами. Но у п/п диода тоже есть спай - PN-переход. И правила работы его следующие: При прямом токе - спай, PN-переход греется - это эффект Пельтье с выделение тепла. Электроны, проходя PN-переход отдают излишек тепла. А при обратном токе - спай, согласно холодильному эффекту Пельтье - электроны должны забрать тепло у ядер атомов, чтобы пройти PN-переход. Но это процесс запрещён (атому полупроводника P-области запрещено отдавать тепловую энергию электрону), и потому запрещён проход электронов через PN-переход, то есть обратного тока нет. Или он есть очень маленький - в зависимости от поступающей извне тепловой энергии. Это объяснение ОП (односторонней проводимости) диода с точки зрения термо-электроники. С биполярным транзистром - там всё просто. Один из переходов (База-коллектор) находится в состоянии холодильного эффекта Пельтье, а другой переход (База-Эмиттер) создаёт тепло тоже из эффекта Пельтье. И это тепло в кремнии распространяется от одного перехода к другому, и позволяет электронам перехода База-Коллектор пройти. Следует добавить, что теплообмен в металлах и полупроводниках происходит посредством электронов! А этот "тепловой" ток электронов и выдают современные учебники как "инжекционный ток". Кстати, в кремнии, могут быть и потоки инфракрасного излучения, что тоже может управлять закрытым переходом - по принципу оптопары. Объяснил как работает диод и биполярный транзистор? А теперь надо обратиться к электронным лампам. Там в современной теории тоже ошибки. Так, как нельзя объяснять всё только одним электрическим процессом. Физическая основа работы эл вакуумных ламп - это наличие 2-х процессов: теплового и электрического. Я думаю, про лампы следует рассказать отдельно. Новая физика электронных приборов.doc https://yadi.sk/i/NmMCKyt7roYu3 Обратные связи в физических явлениях.doc https://yadi.sk/i/Vm04DkPOj7cnf Закон сохранения энергий в рамках двух и… https://yadi.sk/i/dFmlXY9xj7cmA 19 января 2018 г . Nether0@list.ru Валерий Багницкий.

Здравствуйте! Нужна помощь по скайпу по трем лабораторным работам: Преобразователи и стабилизаторы напряжения постоянного тока с импульсным регулированием, исследование двухфазных управляемых выпрямителей, исследование однофазных выпрямителей, во всех лабораторных есть графики осциллографов и схемы, как и почему меняется ток и напряжение ( по графикам осциллографа) как работает схема. Реальна ли такая помощь? естественно не безвозмездно. Все отчеты о лабораторных есть в электронном виде, могу прислать.

Имеется схема с N-канальным MOSFET транзистором(P16NF06) и управлением с микроконтроллера. Никак не пойму назначение резисторов в цепи до затвора и между затвором и истоком. Может кто подскажет, зачем они?