Поиск по сайту

Результаты поиска по тегам 'Термоэлектроника'.

  • Поиск по тегам

    Введите теги через запятую.
  • Поиск по автору

Тип публикаций


Категории и разделы

  • Вопрос-Ответ. Для начинающих
    • Песочница (Q&A)
    • Дайте схему!
    • Школьникам и студентам
    • Начинающим
    • Паяльник TV
    • Обсуждение материалов с сайта
  • Радиоэлектроника для профессионалов
    • Световые эффекты и LED
    • Роботы и модели на ДУ-управлении
    • Автоматика
    • Самодельные устройства к компьютеру
    • Программное обеспечение
    • Автомобильная электроника
    • Системы охраны и наблюдения. Личная безопасность
    • Питание
    • Электрика
    • Промышленная электроника
    • Ремонт
    • Металлоискатели
    • Измерительная техника
    • Мастерская радиолюбителя
    • Сотовая связь
    • Спутниковое ТВ
    • КВ и УКВ радиосвязь
    • Жучки
    • Телефония и фрикинг
    • Высокое напряжение
    • Идеи и технологии будущего
    • Справочная радиоэлементов
    • Литература
    • Разное
  • Аудио
    • FAQ, Технологии и компоненты
    • Для начинающих
    • Источники звука
    • Предусилители, темброблоки, фильтры
    • Питание аудио аппаратуры
    • Усилители мощности
    • Акустические системы
    • Авто-аудио
    • Ламповая техника
    • Гитарное оборудование
    • Прочее
  • Микроконтроллеры
    • МК для начинающих
    • AVR
    • PIC
    • STM32
    • Arduino и Raspberry Pi
    • ПЛИС
    • Другие микроконтроллеры и семейства
    • Алгоритмы
    • Программаторы и отладочные модули
    • Периферия и внешние устройства
    • Разное
  • Товары и услуги
    • Коммерческие предложения
    • Продам-Отдам, Услуги
    • Куплю
    • Уголок потребителя
    • Вакансии и разовая работа
    • Наши обзоры и тесты
  • Разное
    • Конкурсы сайта с призами
    • Сайт Паяльник и форум
    • Курилка
    • Технический английский (English)
    • Наши проекты для Android и Web
    • FAQ (Архив)
    • Личные блоги
    • Корзина
    • Вопросы с VK
  • ATX->ЛБП Переделки
  • Юмор в youtube Киловольты юмора
  • Надежность и группы продавцов Радиолюбительская доска объявлений exDIY
  • разные темы Переделки

Блоги

Нет результатов для отображения.

Нет результатов для отображения.

Местоположения

  • Пользователи форума

Группа


ICQ


Skype


Интересы


Город


Сфера радиоэлектроники


Оборудование

Найдено 2 результата

  1. Принцип работы транзистора. Самый главный вопрос, который содействовал созданию физики полупроводников это «каков принцип работы транзистора, как усилительного электронного прибора?». Создателям транзистора пришлось изобрести теорию, в которой выходной ток транзистора увеличивался при поступлении на базу тока в отрицательной полярности. Ответить на этот вопрос без применения термодинамической теории было просто невозможно. Тогда были изобретены «дырки» - ток электронов в валентной зоне. Подвижность «дырок» научились измерять… И было придумано много такого, благодаря чему сегодня мы должны создавать физику полупроводников с нуля. Зонная теория, правда пока никуда не ушла. Но, судя по тому как она смело обошлась с валентными электронами, наверное следует пересмотреть и её. Квантовая теория к физике полупроводников вообще никакого отношения не имеет. Так, как квантовую теорию разрабатывали в начале прошлого века, когда плохо была разработана термодинамика ( отсутствовала теория теплового заряда ), то сегодня она тоже нуждается в пересмотре, а главное в ограничении действия квантовых условий. Теория квантов применима, там, где атом излучает световую волну. Такое явление возникает в светодиодах и полупроводниковых лазерах. Несмотря на это, термодинамика явлений в этих приборах должна быть изучена. Существующее сегодня ( в официальной физике ) объяснение работы биполярного транзистора: Принцип работы биполярного транзистора http://electroandi.ru/elektronika/printsip-raboty-bipolyarnogo-tranzistora.html https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор Итак, главный вопрос - «каков принцип работы транзистора, как усилительного электронного прибора?» - должен изменить физику полупроводников. У полупроводниковых элементов Пельтье, которые тоже имеют PN-переходы, энергообмен ( влияние тепла) неплохо изучен. Элемент Пельтье https://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/418212 Почему же полупроводниковый диод остался без термодинамики (термоэлектроники)? Сначала изложим правила, по которым происходит энергообмен в PN-переходах. Правила: 1. Вход энергии в PN-переход. ( Эффект Зеебека ) 1.1. Если в PN-переход поступает тепловая энергия в виде эстафетного тока электронов, то она преобразуется в ЭДС на PN-переходе. При этом эстафетный ток преобразуется в инжекционный ток. Инжекционный ток имеет тепловую природу, поэтому не управляется по законам Киргофа. 1.2. Если входящая энергия создала ЭДС, то эта ЭДС создаёт в PN-переходе прямой ток, по величине этот ток определяется Вольт-Амперной характеристикой соответствующего PN-перехода. 2. Выход энергии из PN- перехода. ( Тепловой эффект Пельтье. ) 2.1. Если через PN-переход пропускать прямой ток, то на PN-переходе создаётся разность потенциалов ( ЭДС ) согласно Вольт-Амперной характеристики этого перехода. При этом, электроны, проходящие через PN-переход в прямом направлении выделяют тепловую энергию. Процесс выделения тепла определяется сопротивлением Rd. 2.2. Если вблизи нет соседних PN-переходов ( потенциальных барьеров ), то энергия из PN- перехода выходит посредством эстафетных движений (токов) электронов – что соответствует теплопередаче. Если поблизости от выделяющего энергию PN-перехода находиться другой PN-переход, то он создаёт потенциальную яму – отбирает у эстафеты электрон для заполнения своего скрытого электрического барьера, тем самым превращает эстафетный ток в инжекционный. Как уже говорилось, инжекционный ток имеет тепловую природу и не подчиняется законам Киргофа. 3. Вход энергии в запертый PN-переход. (Холодильный эффект Пельтье.) 3.1. Энергия, входящая в запертый PN-переход способна реализовать электронное управление. При входе энергии в запертый PN-переход, сам PN-переход начинает работать сразу в 2-х режимах. В нём создаётся ЭДС и протекает прямой ток, сгласно поступившей энергии. (Эффект Зеебека.) Инжекционный ток несёт с собой тепловую энергию. Эта тепловая энергия поглощается в запертом PN-переходе и через переход совместно с прямым током протекает и обратный ток, равный по величине прямому току – это соответствует холодильному эффекту Пельтье. Величина ЭДС устанавливается согласно эмиссионному уравнению для прямого тока PN-перехода, и дополнительно она складывается с разностью потенциалов, создаваемой обратным током. 3.2. Кроме энергии электронного управления, запертый PN-переход перехватывает все возможные другие поступающие энергии. В эти энергии входят следующие: - энергия световых волн. - энергия тепла.(Локальное тепло относительно температуры окружающей среды. ) - энергия тепла, возникающая при протекании электрического тока, при конвертировании энергии источника в тепло – это соответствует закону Джоуля-Ленца. - энергия обратного напряжения. ( Подобное явление – это эффект Эрли.) Все эти энергии участвуют в процессе управления обратным током. Схема с общей базой. Рассмотрим работу транзистора как термодинамического электронного прибора в схеме с Общей Базой. Работу рассмотрим поэтапно, исследуя во времени 4 момента. Такое рассмотрение удобно для понимания термодинамического принципа работы транзистора. На самом деле – в реальности – транзистор включается в работу мгновенно. Итак, 4 момента во времени. Рис. 1. Момент 1. Момент 1. Включение цепи. Токи ещё не начались. Здесь на рисунке, транзистор показан в виде 3-х областей NPN, Rвх – входное сопротивление, принадлежащее цепи входного сигнала, Rн – сопротивление нагрузки ( или сопротивление для измерения токов коллектора ), Eб – источник напряжения, представляющий из себя входной сигнал. Eк – батарея цепи коллектора. Полярности включения Eб и Eк отмечены знаками «+» и «-». Рис. 2. Момент 2. Момент 2. Через переход База-Эмиттер протекает входной ток. В переходе База-Эмиттер возникает выход тепловой энергии в виде эстафетного тока электронов – обозначен сиреневыми двунаправленными стрелками. Эстафетный ток электронов возникает в том случае, если есть градиент температуры и происходит процесс теплопередачи. В данном случае переход База-Эмиттер теплее холодной потенциальной ямы перехода Коллектор-База. Вольтметр В1, подключенный к переходу База-Эмиттер показывает разность потенциалов (ЭДС), согласно Вольт-Амперной характеристики перехода. В PN- переходе База-Эмиттер протекает прямой ток, обозначенный синими стрелками. Рис. 3. Момент 3. Момент 3. Эстафетный ток достиг потенциальной ямы – перехода База-Коллектор. У перехода База-Коллектор есть скрытый электрический барьер, который отрывает электрон от эстафеты, заряжая тем самым барьер. В результате постоянного отрыва последнего электрона ( достигшего перехода База-Коллектор ), эстафетный ток преобразуется в инжекционный, направленный от перехода База-Эмиттер в сторону перехода База-Коллектор. Инжекционный ток имеет термодинамическую природу. Скрытый электрический барьер перехода База-Коллектор начинает заряжаться, в переходе База-Коллектор возникает ЭДС ( измеряется вольтметром В2 ). Соответственно этой ЭДС, согласно эмиссионному уравнению перехода База-Коллектор, через переход База-Коллектор протекает прямой ток – на схеме обозначен синими стрелками. Рис. 4. Момент 4. Момент 4. Электроны инжекционного тока приносят в переход энергию. Через PN-переход База-Коллектор начинает протекать обратный ток, согласно холодильному эффекту Пельтье. Величина обратного тока зависит от полученной энергии от перехода База-Эмиттер. Поэтому ток коллектора Ik не превышает Ib. Энергия, забираемая от перехода База-Эмиттер определяется некоторым резистором Rd. Вольтметр В2 показывает уже не ЭДС в чистом виде, некую сумму этой ЭДС и разности потенциалов, создаваемой обратным током. ЭДС прямого тока перехода База-Коллектор существует, и ток коллектора Ik без неё был бы невозможен. Усилитель по схеме с общей базой работает! Если к коллектору приложить высокое напряжение (порядка 100 Вольт для кремниевых транзисторов), то это напряжение не попадёт на вывод эмиттера, по той простой причине, что у инжекционного тока природа – термодинамическая. Электроны инжекционного тока движутся в сторону коллектора из-за явления теплопередачи! Высокое напряжение коллектора не может повернуть их назад, так, как контуры тока – входного и выходного - ( по закону Киргофа для электрических цепей ) разорваны. При изготовлении транзистора, переход База-Коллектор делается более чувствительным к энергии, а значит – более управляемым. Для перехода База-Коллектор параметр TF значительно выше, чем для перехода База-Эмиттер. Например, для транзистора КТ312В для перехода База-Эмиттер TF = 550 Кельвин, для перехода База-Коллектор TF = 843 Кельвин. Если у батареи Eк поменять полярность и тем самым создать прямой ток в переходе База-Коллектор, то возникает процесс, когда оба перехода транзистора будут выделять тепловую энергию. Согласно термодинамике, эстафетный ток электронов возникнет при различном нагреве этих переходов. Передача энергии при этом будет осуществляться методом уравнивания термического заряда (это принцип теплопередачи), от горячего объекта к более холодному. В данном случае, более горячим объектом окажется коллектор ( TF определяет более тёплый переход, при одинаковых приложенных напряжениях, для КТ 312В: 843К > 550К). Эстафетный ток двинется к эмиттеру и превратиться в инжекционный. После чего к ЭДС эмиттера добавиться разность потенциалов – в результате теплового инжекционного тока несущего энергию от перехода База-Коллектор. Если увеличивать ток в переходе База-Коллектор, ЭДС в переходе База-Эмиттер будет увеличиваться. Этот процесс будет выглядеть как смещение Вольт-Амперной характеристики перехода База-Эмиттер в сторону более больших напряжений. Из-за параметров своего эмиссионного уравнения, переход База-Коллектор обладает более смещающим действием на Вольт-Амперную характеристику перехода База-Эмиттер. Точно также объясняется работа схемы с общей базы транзистора PNP- типа. Для инжекционного тока важно наличие горячего и холодного PN- переходов. А направление его движения определяется разностью их температур. Не нужны такие фикции как «дырка» и «дырочная проводимость», когда явление электронного управления возможно объяснить с помощью понятия теплопередачи, посредством эстафетных и инжекционных токов, с позиций термодинамики. Схема с общим эмиттером. Так, как тепловой ток (ему соответствует параметр – мощность, или по другому – входной энергетический сигнал) управляет закрытым переходом, то в схеме с общим эмиттером между переходами возникает многократное отражение этого сигнала. Оба перехода играют роль зеркал, а кратность отражения соответствует коэффициенту β. Как известно, β изменяется в зависимости от протекающего тока (эффект Кирка). Рассмотрим работу схемы с общим эмиттером, применяя метод остановки времени – с помощью временных моментов. Рис. 1. Момент 1. Момент 1. Включение цепи. Токи ещё не начались. Здесь на рисунке, транзистор показан в виде 3-х областей NPN, Rвх – входное сопротивление, принадлежащее цепи входного сигнала, Rн – сопротивление нагрузки ( или сопротивление для измерения токов коллектора ), Eб – источник напряжения, представляющий из себя входной сигнал. Eк – батарея цепи коллектора. Полярности включения Eб и Eк отмечены знаками «+» и «-». Рис. 2. Момент 2. Момент 2. Через переход протекает ток входного сигнала. Возникает выход из перехода База-Эмиттер тепловой энергии. Возникает явление теплопередачи посредством эстафетного тока электронов. На рисунке 20 эстафетный ток обозначен двунаправленными стрелками фиолетового цвета. В переходе База-Эмиттер возникает ЭДС, согласно Вольт-Амперной характеристики. Синими стрелками в переходе База-Эмиттер обозначен прямой ток. О величине Ib и процессе многократных отражений: Первоначально величина Ib имеет максимальную величину, но с каждым последующим отражением величина этого тока будет уменьшаться… Если на вход входной сигнал подаётся через стабилизатор тока, то с каждым последующим процессом отражения возникает явление смещения входной характеристики в сторону более больших напряжений, что как раз и показывает уменьшение величины Ib. Рис. 3. Момент 3. Момент 3. Эстафетный ток достиг потенциальной ямы PN-перехода База-Коллектор. Электрон эстафетного тока, достигший перехода База-Коллектор отрывается электрическим барьером этого перехода и идёт на создание ЭДС этого перехода. Из-за этого эстафетный ток преобразуется в инжекционный. Но природа этого тока осталась прежней – это явление теплопередачи. Запертый переход База-Коллектор является холодным ( холодильный эффект Пельтье ), а переход База-Эмиттер является горячим (тепловой эффект Пельтье). Скрытый электрический барьер перехода База-Коллектор начинает заряжаться. Возникает ЭДС. Соответственно этой ЭДС, согласно Вольт-Амперной характеристике перехода База-Коллектор, через переход База-Коллектор протекает прямой ток – обозначен синими стрелками. Рис. 4. Момент 4. Момент 4. Первое зеркальное отражение. Закрытый переход База-Эмиттер получает энергию от перехода База-Эмиттер посредством инжекционного тока. Холодильный эффект Пельтье срабатывает и начинает течь ток коллектора Ik. Его можно назвать 1-м зеркальным отражением, потому что, ему предстоит пересечь переход База-Эмиттер в прямом направлении, что вызовет увеличение инжекционного тока – на рисунке 22 это показано как сумма инжекционных токов E1+E2. Следующим шагом будет прибавление к току коллектора ещё одной его порции – второе зеркальное отражение. Итак, коллекторный ток становиться источником выброса добавочной энергии, выражающейся в инжекционном токе E2. Этот выброс должен далее создать второе зеркальное отражение, то есть прибавку (удвоение ) тока коллектора. После будет утроение коллекторного тока, после ток возрастёт в 4 раза… Такой процесс отражений происходит β раз. Казалось бы умножению не будет конца, но существует процесс, ограничивающий β. Это как раз процесс выделения тепла в переходе База-Эмиттер. Процесс выделения тепла определяется резистором Rd, который вносит отрицательную обратную связь для тока База-Эмиттер. Этот процесс сопровождается смещением входной характеристики, и тем самым уменьшением порции входного тока Ib. Процессы положительной обратной связи (ПОС) и отрицательной обратной связи (ООС) уравновешиваются при β равном 100 – 300 раз. Кольцо ООС ограничивает количество отражений до β раз. Если процесс многократных отражений превысит процесс ограничения, то на выходной Вольт-Амперной характеристики транзистора образуется S-образный участок, говорящий о существовании ПОС. Такой режим возникает у германиевых транзисторов при малых токах базы ( 1- 10 мкА), при больших ( порядка 10 Вольт ) коллекторных напряжениях. Такие же процессы, приводящие к образованию S-образной характеристики, происходят при работе динисторов и тиристоров. Объяснение работы биполярного транзистора дано с учётом термодинамики (термоэлектроники). Источник: Принцип работы транзистора https://my.mail.ru/community/blog.physics/60DED587A8C5F9E0.html Валерий Багницкий, 07-06-2011 Инжекционного в кавычках. Инжекционный ток - это тепловой ток, посредством электронов.
  2. Меня попросили рассказать об ошибках в физике, и как следствие, новом взгляде на работу электронных приборов. И здесь мы можем обсудить все вопросы и поспорить. Мои вопросы и утверждения были следующие: Существует ли теоретическая электроника? 1. Все электронные приборы работают на принципах термо-электроники. 2. Термо-электроника как наука в физике не представлена. Объяснять работу электронных приборов на основе одного только электрического процесса - ошибочно. А теория дырок - это обычная фальсификация.(лохотрон) Поэтому я очень сомневаюсь, что есть верная "теория" работы электрон. приборов. Первый шаг. Начало: мат модели. Приступаю к раскрытию темы. История исследования. Я занимался моделированием ВАХ (вольт-амперных характеристик) электронных приборов. Что для этого нужно? 1. Хороший мощный компьютер. 2. Знание математики. 3. Физика тоже нужна. 4. Знание языка программирование. Всё это у меня было. И я работал с транзисторами. В основном это были КТ315, КТ312... Год 1992. Компьютер Спектрум. Транзистор КТ312. Если долго работать в одном направлении, начинаешь понимать, как решать задачу более правильно. О самой задаче: сначала измеряем ВАХ, затем задаём (подбираем) математическую формулу, чтобы ВАХ и мат модель немного совпадали. Получается, что задача из 2-х частей. 1-я часть - это физический опыт - измерение ВАХ. 2-я часть - моделирование, получение аппроксимации. В результате работы было замечено, что ВАХ транзистора не стабильны и зависят от температуры. Было принято решение: корпус транзистора впаивался в жестяную банку. В банку наливалась вода и устанавливался термометр. Температура поддерживалась ровно 20 градусов по Цельсию. Если вода в банке остывала - добавляли горячей воды. Если нагревалась - добавляли холодной воды. Сама мат модель биполярного транзистора сложная. Приходилось получать две ВАХ отдельных его переходов, после чего были попытки из них вывести выходную ВАХ. Шаг второй: Странная мат модель диода КД 522 Б. Год 2001-й. Компьютер уже - Пентиум-3. Программа для моделирования - Delphi-3. Я продолжаю улучшать навыки моделирования. Всё та же банка с водой. Только транзистор не впаиваем, а одеваем на него резиновую изоляцию, и погружаем в воду. Но тут появилась мысль: почему бы не снять ВАХ обычного кремниевого диода КД 522 Б, но в банку наливать воду с разными температурами. Первая ВАХ была измеряна для температуры 10 градусов по Цельсию. Далее: 20, 30 и 40 градусов по Цельсию. Получили семейство ВАХ в зависимости от температуры. И вот тут обнаружилось, что мат модель (семейства ВАХ) не совпадает с уравнением из ВУЗ-овского учебника. В учебнике по физике полупроводников (её иначе называют- физика твёрдого тела : ФТТ) есть уравнение Шокли для ВАХ п/п диода. Причём он умудрился написать её и для прямого и для обратного тока. Я же работал только с прямым током. Так вот, уравнение Шокли при изменении температуры среды для диода - оказалось липой! Об этом иногда и сегодня идёт спор... Уравнение Шокли написано в странной форме - оно не полностью аналитическое - в нём есть эмпирический коэффициент, зависимый от температуры! То есть полный лохотрон. Этот эмпирический коэффицент может быть каким угодно. Он может гибко подстроится под любую мат модель. (и под мою тоже) Но так делать в физике и в математике нельзя. Разочарование в уравнении Шокли я осознал к году приблизительно 2007-му. То есть я нашёл правильную мат модель. Понял, что уравнение Шокли - это липовая мат модель - или "подгонка" под экспоненциальную функцию. https://ru.wikipedia.org/wiki/Шокли,_Уильям_Брэдфорд А дальше, я не знал что делать. Куда идти? К кому? Кто оценит ошибку Шокли? Кто оценит мою мат модель? Ну, в общем понятно к кому идти - в науку... В универ, например,... В ДВГУ преподы посмотрели на мою мат модель: бросили фразу: - Неужели термо-электричество? Там столько эффектов! Сотни! Я так ничего и не понял. Вроде им моя модель не нужна? Шаг третий. Бьём в одну точку. Получилось, что я сделал открытие с диодом КД522Б, но занимаюсь сложной моделью транзистора, где нет успеха никакого. Кстати, с биполярным транзистором тоже были некоторые открытия и наработки... Но в 2010 году я принял решение - заняться только ВАХ диода, зависимыми от температуры. Были исследованы несколько PN-переходов, а точнее - 42. Все они давали похожую мат модель. Шаг четвёртый. Обращаемся к физике. Наконец в 2011 году я принял решение - обратиться к физике. Что может быть проще? Но вариант "почитать учебник" - уже не подходил. Если Шокли подсовывает нам липу, то и учебники могут (а они так и делают) давать липу. Ведь в каждом учебнике по физике цитируется теория ЭДП - электронно-дырочной проводимости! И расписываются какие там дырки. Но, согласно, полученной мной мат модели - никаких дырок быть не должно. Поход в физику был с 2011-го года по настоящее время. Выяснилось много фактов. Оказывается физика в основном состоит из ошибочных теории не связанных между собой. Они настолько разрозненны и ошибочны, что не позволяют создать теорию прямого тока п/п диода. Рассматривая физику как липовый бухгалтерский отчёт, себя я считал ревизором... Провёл ревизию. Нашёл ошибки. Где-то к 2013-му году нашёл какое-то решение для ВАХ диода. Шаг пятый. Как же всё-таки работает диод и биполярный транзистор? Остаётся рассказать о моих находках (ошибок) в физике. Оказывается, что в 1821 году немец Зеебек, обнаружил "эффект Зеебека" - при нагревании спая термопары, на её концах возникала термо-ЭДС. https://ru.wikipedia.org/wiki/Зеебек,_Томас_Иоганн А в 1835 году француз Пельтье обнаружил "эффект Пельтье" - при пропускании тока через термопару - спай или нагревался или охлаждался, в зависимости от направления тока. https://ru.wikipedia.org/wiki/Пельтье,_Жан_Шарль_Атаназ Оказывается, есть ещё эффект Томсона. Не зря физики говорили что там 100 эффектов. Ну не 100, а 3 эффекта точно есть. Работа п/п диода объясняется просто: Диод - это термопара. Ну не совсем конечно. Почему? Термопара - это 2 достаточно длинных провода, чтобы спаи их поместить в среды с разными температурами. Но у п/п диода тоже есть спай - PN-переход. И правила работы его следующие: При прямом токе - спай, PN-переход греется - это эффект Пельтье с выделение тепла. Электроны, проходя PN-переход отдают излишек тепла. А при обратном токе - спай, согласно холодильному эффекту Пельтье - электроны должны забрать тепло у ядер атомов, чтобы пройти PN-переход. Но это процесс запрещён (атому полупроводника P-области запрещено отдавать тепловую энергию электрону), и потому запрещён проход электронов через PN-переход, то есть обратного тока нет. Или он есть очень маленький - в зависимости от поступающей извне тепловой энергии. Это объяснение ОП (односторонней проводимости) диода с точки зрения термо-электроники. С биполярным транзистром - там всё просто. Один из переходов (База-коллектор) находится в состоянии холодильного эффекта Пельтье, а другой переход (База-Эмиттер) создаёт тепло тоже из эффекта Пельтье. И это тепло в кремнии распространяется от одного перехода к другому, и позволяет электронам перехода База-Коллектор пройти. Следует добавить, что теплообмен в металлах и полупроводниках происходит посредством электронов! А этот "тепловой" ток электронов и выдают современные учебники как "инжекционный ток". Кстати, в кремнии, могут быть и потоки инфракрасного излучения, что тоже может управлять закрытым переходом - по принципу оптопары. Объяснил как работает диод и биполярный транзистор? А теперь надо обратиться к электронным лампам. Там в современной теории тоже ошибки. Так, как нельзя объяснять всё только одним электрическим процессом. Физическая основа работы эл вакуумных ламп - это наличие 2-х процессов: теплового и электрического. Я думаю, про лампы следует рассказать отдельно. Новая физика электронных приборов.doc https://yadi.sk/i/NmMCKyt7roYu3 Обратные связи в физических явлениях.doc https://yadi.sk/i/Vm04DkPOj7cnf Закон сохранения энергий в рамках двух и… https://yadi.sk/i/dFmlXY9xj7cmA 19 января 2018 г . Nether0@list.ru Валерий Багницкий.