Мощный УМЗЧ на транзисторах (Ланзар)

[HAKAS]

19 минут назад, Александр2 сказал:

Б-Э = 0,6 В, разница 0,2 В.

Скорее всего, 0.68В. Вот и 12мА. Зависит от транзистора. Попробовать разные модели надо.

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[Александр2]

Да, верно.  686 мВ на 2-х миллиамперах. Я грубо. В симуляторе можно точно посмотреть какой расклад по этой модели. А 20 кГц полный уровень подавать нельзя. Сгорит R28. Только минус 20 дБ. Да и в реале этого быть не может.

Изменено 18 января, 2018 пользователем Александр2

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[vimay]

Думаю, модели транзисторов кривые. В библиотеке сима таких нет, скачал с нета. Чем их можно заменить без. Или может есть у кого нормальные, скиньте. Спасибо.

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[vimay]

И на выходники тоже...

[bam-buk]

В 17.01.2018 в 22:26, vimay сказал:

...для повышения термостабильности... а у меня при 10 Ом всего 12 мА...

Для улучшения термостабильности УН необходимо увеличивать падение напряжения на эмиттерном сопротивлении, а не просто увеличивать его значение.

Вот - упрощённая "арифметика". Сделаем 2 каскада УН с током коллектора 10мА каждый с питанием базы от источника напряжения (ДК в ланзаре почти источник напряжения). В первом будет сопротивление в эмиттере 10Ом, во втором - 100Ом. Тогда падение напряжения на эмиттерном сопротивлении в первом каскаде будет 10мА*10Ом=100мВ, во втором - 10мА*100Ом=1000мВ.

"Прогреем" оба каскада на 25 градусов. Это приведёт к уменьшению Uбэ УН на 50мВ. На столько же увеличится падение напряжения на эмиттерном сопротивлении и составит для первого каскада 100+50=150мВ, для второго - 1050мВ. Тогда ток первого "прогретого" каскада составит 150мВ/10Ом=15мА (увеличится на 50%), второго - 1050мВ/100Ом=10,5мА (увеличится на 5%).

С увеличением сопротивления в эмиттере УН уменьшается его ток. Чтобы вернуть ток "взад", нужно увеличивать смещение на базе УН, для чего нужно увеличивать сопротивление в нагрузке ДК (увеличивать 820Ом).

Как-то так.

С уважением В.

Изменено 19 января, 2018 пользователем bam-buk

[vimay]

Виталий, я конечно спорить с Вами не буду, мне знания (точнее их отсутствие) не позволяют, но увеличение резисторов в коллекторах ДК приведет к росту тока УН, а нам наоборот вроде надо...

[Александр2]

Вы правы, но Вы прочитали невнимательно. А именно: увеличение резистора в эмиттере ведет к уменьшению тока УН, а чтобы поднять его до прежнего необходимого значения и нужно увеличить R8.

[vimay]

По моим прикидкам, увеличение R8 будет способствовать большему отрицательному приращению ТП УН при одинаковом увеличении R16 (обозначений из первого поста). Вот смотрите, возьмем R8=820 Ом, ток через него 1мА, падение - 820 мВ, отнимаем переход Б-Э (600мВ). Получаем на R16 падение 220мВ. При 10Ом ток будет 22мА, при 20Ом - 11мА. Дельта - 11мА. Аналогично, возьмем R8 например 1000 Ом, падение 1000 мВ, разница - 400 мВ. При 10Ом ток будет 40мА, при 20Ом - 20мА. Дельта - 20мА. А для получения необходимых нам 10-15 мА R16 надо еще увеличивать, например до 27 или 33 Ом. Или я не прав?

Или их надо обоих увеличивать пропорционально, чтобы получилось 10-15 мА, только при большем падении на R16?

[Александр2]

Но при увеличении падения на R16 уменьшается усиление УН и использование питающего напряжения. 

[reactor333]

Здравствуйте.Хочу собрать себе две платы Ланзар для правого и левого канала. Достались мне две замечательные колонки с тремя 4а-32 (15 ом 12 вт) в каждой. Если я правильно понял, то они соединены параллельно и общее сопротивление канала 5 ом. Помогите, пожалуйста, с расчетами. На какую мощность канала делать Ланзар?

[Alex_63]

Ланзар плох для 4А-32

[Andrey 69]

Чем?

[Александр2]

6 часов назад, reactor333 сказал:

На какую мощность канала делать Ланзар?

Тут табличка есть. Под свое сопротивление пересчитайте пропорцией или берите 4 Ома.

Да, мощность, ватт сто думаю на них три вместе смело подать можно. Нужно смотреть состояние и производителя динамиков. Я по сто на каждый подаю. Но это на новые современные.

Изменено 21 января, 2018 пользователем Александр2

[reactor333]

18 часов назад, Александр2 сказал:

Да, мощность, ватт сто думаю на них три вместе смело подать можно. Нужно смотреть состояние и производителя динамиков. Я по сто на каждый подаю. Но это на новые современные.

Мне вот интересно, например, 12 Вт 15 Ом 4а-32 динамика эквивалентно ли 30 Вт 4 Ом другому любому динамику? Или есть формулы перерасчета мощности?

[finn32]

Есть формулы мощности в нагрузке.

Разная нагрузка- разная мощность. А вот звуковое давление разных ДГ при одинаковой подводимой мощности может сильно различаться. 

[Ulis]

В 10.01.2018 в 21:51, HAKAS сказал:

Если будете экспериментировать с разными ОУ, то лучше сразу заложить побольше. У всех потребление разное.

Не проще ли заложить еще два транзистора (MJE340/350 например) в стабы и не думать о токе?

[Александр2]

Действительно - "Чего тут думать, прыгать надо."

[Black-мур]

8 часов назад, reactor333 сказал:

Мне вот интересно, например, 12 Вт 15 Ом 4а-32 динамика эквивалентно ли 30 Вт 4 Ом другому любому динамику? 

Может быть и эквивалентно, а может быть и нет. Если, к примеру, 30 Вт будут подводиться к динамику 35ГДН-1м-4, установленному в ЗЯ-коробочке, у которого чувствительность около 84дБ/ватт/м, то он будет звучать тише, чем 4А-32 с чувствительностью около 92дБ, установленный в horn-е при подводимых к нему "12 Вт 15 Ом". Формулы перерасчёта мощностей - и электрических, и акустических - конечно есть. ...наверное из-за того, что лень впереди бежит, ты прошёл мимо них.

Изменено 22 января, 2018 пользователем Black-мур

[Александр2]

41 минуту назад, Black-мур сказал:

... установленный в ...

... любом оформлении.

[Saulius Kaminskas]

добрый день, делаю Ланзар по етой схеме, хотел спросить, можно VТ5 уи VТ6 ставит на общий со всеми транзисторами радиятор? длина проводков с платы до транзисторов будет около  7 см.

[HAKAS]

5 часов назад, Ulis сказал:

Не проще ли заложить еще два транзистора (MJE340/350 например) в стабы и не думать о токе?

Плата ведь готовая. А заложить можно что угодно - новая плата на любой вкус.

48 минут назад, Saulius Kaminskas сказал:

можно VТ5 уи VТ6 ставит на общий со всеми транзисторами радиятор?

Попробуйте.

[Black-мур]

2 часа назад, Александр2 сказал:

... любом оформлении.

Не в любом.

[Александр2]

Колбасить в любом, и даже без, будет грымче. А вот касательно конкретных частот, басов например, то согласен абсолютно.

[vimay]

1 час назад, Saulius Kaminskas сказал:

можно VТ5 уи VТ6 ставит на общий со всеми транзисторами радиятор

Не желательно, если не хотите плясок с бубном вокруг тока покоя. Нагрев выходных транзисторов - нагрев радиатора - нагрев УН - увеличение ТП - ещё больший нагрев ВК - и т.д. Хотя некоторые ставили на общий и вроде норм.

[Александр2]

1 час назад, Saulius Kaminskas сказал:

... можно VТ5 уи VТ6 ставит на общий со всеми транзисторами 

Это сколько ж проволоки надыть будет! На все транзисторы тянуть.