Перейти к содержанию

Перевод Абзаца Из Документации На Флеш Mx25L3206E


Рекомендуемые сообщения

Прошу помощи в переводе одного из абзацев документации на флеш. Не пойму из текста как ссылаться нужное мне адресное пространство при записи информации в память

If the eight least significant address bits (A7-A0) are not all 0, all transmitted data which goes beyond the end of the current page are programmed from the start address if the same page (from the address whose 8 least signification address bits (A7-A0) are all 0.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

If the eight least significant address bits (A7-A0) are not all 0, all transmitted data which goes beyond the end of the current page are programmed from the start address if the same page (from the address whose 8 least signification address bits (A7-A0) are all 0.

Если 8 младших битов адреса (А7-А0) отличаются от нуля, все передаваеммые данные, которые выходят за пределы текущей страницы - будут дописаны в начало той же страницы (с адреса, в котором А7-A0 равны нулю)

Я так понимаю, что адреса A7-A0 эти надо в ноль ставить, чтобы начальный адрес совпадал с границей страницы. Если A7-A0 больше нуля - получается, что задано смещение внутри страницы, и блок передаваемых данных в неё не влазиет и то что не влезло - допишется с (A7-A0)=0 по заданное смещение (невключительно)

Изменено пользователем tcoder
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Инженеры КОМПЭЛ провели сравнительное тестирование аккумуляторов EVE и Samsung популярного для бытовых и индустриальных применений типоразмера 18650. 

Для теста были выбраны аккумуляторы литий-никельмарганцевой системы: по два образца одного наименования каждого производителя – и протестированы на двух значениях тока разряда: 0,5 А и 2,5 А. Испытания проводились в нормальных условиях на электронной нагрузке EBD-USB от ZKEtech, а зарядка осуществлялась от лабораторного источника питания в режиме CC+CV в соответствии с рекомендациями в даташите на определенную модель. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Попробую разобраться, н на первый взгляд все нормально. Но есть затык, напишу не по профилю данной ветви (не ругайте), но для того чтобы не потерять нить разговора. Сектор = 16 страницам, страница = 256 байт, так в данном контексте перевода, под адресом понимается адрес страницы или сектора?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. 

Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств. Подробнее параметры и результаты тестов новой серии PLM по ссылке.

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Судя по всему это абсолютный адрес, привязанный к байту:

Биты адреса А7-А0 - это адрес байта в странице (8 бит=256), А11-A8 - адрес страницы (4 бит=16), всё что старше - по идее адреса секторов. Ну это пока безосновательный ответ, т.к. я эту часть датащита не смотрел (и настроения особо нет). Но А7-А0 адресует байт однозначно.

Посмотрел, что там.

Там в начале передаётся 3-байта абсолютного адреса. Задача пользователя - чтобы этот адрес попадал на границу блока при записи блока.

Позже допишу, как адрес распределяется, посчитали Вы тоже неправильно, чем и сбили меня с толку.

В составе памяти 64 сектора (Адреса А21-А16) по 64Кб. В каждом секторе 256 страниц (Адреса А15-А8). В каждой странице 256 байт (Адреса А7-А0). В целом это 22 бита абсолютного адреса. Лишние 2 бита третьего байта в нулях бы держать..)

Изменено пользователем tcoder
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Литиевые батарейки и аккумуляторы от мирового лидера  EVE в Компэл

Компания Компэл, официальный дистрибьютор EVE Energy, бренда №1 по производству химических источников тока (ХИТ) в мире, предлагает продукцию EVE как со склада, так и под заказ. Компания EVE широко известна в странах Европы, Америки и Юго-Восточной Азии уже более 20 лет. Недавно EVE была объявлена поставщиком новых аккумуляторных элементов круглого формата для электрических моделей «нового класса» компании BMW.

Продукция EVE предназначена для самого широкого спектра применений – от бытового до промышленного. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

tcoder- будьте добры, помогите адаптированно перевести этот текст (то что перевел гугловский "переводчик" мне не совсем достаточно, а именно особенности подключение к однополярному питанию):

The concept of bridging, much employed in voltage amplifiers, is also applicable to current-drive systems. Below is shown a bridge-connected transconductor topology, in which one power amplifier (A1) controls the current flowing through the load while an other (A2) mirrors the output voltage of the former to opposite polarity. A3 and resistors labeled R2make up a difference amplifier that provides a load current dependent feedback signal similarly as above in the grounded load case.

The current taken from the output of A1 can now be 2-fold compared to a corresponding unbridged circuit, and the value of the current-sensing resistor (R1) can be half of that one would use without bridging.

In terms of stability, the bridged circuit is somewhat more demanding than the usual. Of course, the difference amplifier and the inverting amplifier must in themselves be stable. In addition, A1 has to keep stable despite the phase lags developing in the aforementioned amplifiers at high frequencies.

 

 

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

помогите адаптированно перевести

Да такой я не смогу - нет достаточных знаний ни в аналоговой электронике, ни по "аналоговым" английским терминам - не могу местами разобрать где технический термин, а где просто что-то хотели сказать. Кое-где вообще не могу перевести, как будто предлог пропущен, но скорее всего я чего-то не знаю.

Навскидку вот что получилось, но от гугла это несильно отличается - подчёркнуто там, где трудности с переводом, местами выбор из двух вариантов:

Мостовая схема, часто используемая в усилителях напряжения, также применима и для систем управления током. Ниже показана мостовая схема с какой-то(транспроводниковая :unknw:) топологией, на которой усилитель мощности А1 управляет током не то с помощью нагрузки, не то в зависимости от нагрузки. А2 выдаёт инвертированное по полярности напряжение относительно первоначального. А3 и резисторы обозначенные как "R2" образуют дифференциальный усилитель, который обеспечивает ток нагрузки не-то зависящий от обратной связи, не то влияющий на неё - не то также как в схеме выше, не то как в случае с заземлённой нагрузкой.

Ток, снятый с выхода А1 может быть вдвое выше, чем при использовании немостовой схемы. Соответственно и сопротивление резистора, который используется как датчик тока - быть вдвое ниже, чем в немостовой схеме.

С точки зрения стабильности - мостовая схема более требовательна, чем обычная. Конечно, дифференциальный и инвертирующий усилители должны быть сами по себе стабильными. Кроме того А1 должен сохранять стабильность несмотря на прогрессирующие фазовые отставания (мб фазовые сдвиги) на высоких частотах для вышеупомянутых усилителей.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Гость
Unfortunately, your content contains terms that we do not allow. Please edit your content to remove the highlighted words below.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Восстановить форматирование

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

Загрузка...
  • Последние посетители   0 пользователей онлайн

    • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу
  • Сообщения

    • скачай новый архив. там есть важные изменения в комповой программе, по сравнению с той, что я отправлял в личке. исправлены недоделки и добавлены проверки на некорректные действия.
    • Здесь все индивидуально, точного ответа нет. Тип фоторезиста, качество фотошаблона, расстояние и время засветки, длина волны св.диодов, "полоскание" в химии ... Надо все пробовать самому, ручками, опыт придет со временем, ничего сложного там нет. На форуме есть ветка, почитайте.
    • Привет.  Хочу попробовать поработать с фоторезистом. Есть пару десятков ультрафиолетовых светодиодов, общей мощностью 4 вата. Хватит ли этой мощности для обработки платок размером 10 на 10 см или надо искать что-то дополнительно? 
    • Чтобы меньше было излучения, нужно мотать тороидальную. Возможно для повышения добротности по омическому сопротивлению лучше этот ТОР мотать в пару слоев. Если ее намотать на шило, то она вряд ли будет вообще работать как катушка.   Индуктивность прямо пропорциональна площади сечения, которая в свою очередь прямо пропорциональна квадрату диаметра. К тому же индуктивность в обратной пропорции с длиной намотки.
    • Я в ходе отладки выяснил, что сбоит в функции:  void w25qWritingByUSB(uint32_t dpagenum, uint8_t *bufByUSB) При чем поведение очень странное. Отладочные сообщения даже не выводятся в начале функции. В ходе экспериментов понял что связано это с объявлением массивов и решил объявить большие буферы которые на 4КБ и 0.25КБ: uint8_t current_sector_buf[4096]; uint8_t buf[256]; глобально. В оригинале, буферы объявлялись локально в функции. После изменения буквально двух строчек кода, все заработало. Также, в оригинальном проекте было сильно напутано из функциями. Я решил функции выкинуть из main.c и вставить в w25q.c Эти функции: void w25qEraseSector(uint16_t sector) void w25qWritingByUSB(uint32_t dpagenum, uint8_t *bufByUSB) Поиск данной проблемы реально отобрало кучу времени. На будущее буду знать что и такое бывает...
    • есть готовый  драйвер BTS7960 до 43А (долговременно до 10) с шим и все, что нужно и стоит недорого. И не надо изобретать  велосипед. Даже с учетом завышения параметров  уж 5А свободно.
×
×
  • Создать...