Помогите! Подскажите! Help!

[Falconist]

@Крашер , здесь есть несколько схем преобразователей положительного постоянного напряжения в отрицательное на таймере (рыться в теме, искать конкретные схемы было лениво - уж простите великодушно), Ничего экстраординарного в них нет. 3-й выход способен обеспечить как втекающий, так и вытекающий токи до 200 мА (для таймера, выполненного по ТТЛ технологии и 20 мА для таймера по КМОП), что в подавляющем большинстве случаев не требует его умощнения. 

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[Крашер]

5 часов назад, oldmao сказал:

Минусовое напряжение будет меньше питания на напряжение насыщения транзисторов внутри 555 и падение напряжения на диодах. Конденсатор 22 мкФ тоже имеет реактивное сопротивление и внесёт вклад в падение напряжения на нагрузке.

Про падение напряжения на переходе коллектор-эммитер и плюс на одном диоде - я помню. Вот только непонятно, почему конденсатор стоит 22 мкФ? "По идее" он должен быть равен или даже большей ёмкости чем "минусовой". 

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[Falconist]

"Идея" неверна. Конденсатор 100 мкф зарядится через конденсатор 22 мкф за несколько импульсов.

[Реклама]

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Крашер]

8 минут назад, Falconist сказал:

100 мкф зарядится через конденсатор 22 мкф за несколько импульсов.

А, "разрядится" ? ... Хотя да, я почему-то "провёл параллель" и решил что он и есть "какБЭ" конденсатор фильтра в обычном двухполярном выпрямителе... 

И, таки да, по ссылке на 555 - уже в 8-м посте от Бородача нашёл: 

- в ней такая-же "петрушка". 47 и 100. 

Разве что ток - указан в 30 мА. 

Вопрос "закрыт"... Всем - СПАСИБО. 

Изменено 26 ноября, 2016 пользователем Крашер

[kolobok88]

Здравствуйте. Собрал однотранзисторный прямоходовый источник питания 310 В - 18 В. Силовой транзистор FGW40N120. ШИМ- SG3525 (используется один канал). После 3525 установил драйвер из двух биполярных транзисторов.  Далее резистор на базу 40N120 5 Ом (два по 10 Ом параллельно). Амплитуда импульсов на базе 40N120  15 В, задается дежурным питанием.  Интересует следующее... Передний фронт импульсов на базе транзистора длится 500 нс. Нормальное ли это время для этого транзистора ? или же еще уменьшить резистор в цепи базы ? Спасибо.

[Григорий Т.]

11 минуту назад, kolobok88 сказал:

Передний фронт импульсов на базе транзистора длится 500 нс.

А сколько длится на затворе?

[Александр2]

Ну оговорился человек ...

[Григорий Т.]

@Александр2 откуда знаете? Может это он про транзисторы драйвера?

[Александр2]

51 минуту назад, kolobok88 сказал:

... драйвер из двух биполярных транзисторов.  Далее резистор на базу 40N120 5 Ом (два по 10 Ом параллельно). Амплитуда импульсов на базе 40N120  15 В ...

Почему то так подумалось. Хотя опять зря встрял, ответа то у меня нет.

Изменено 26 ноября, 2016 пользователем Александр2

[igorillich]

3 часа назад, Григорий Т. сказал:

@Александр2 откуда знаете? Может это он про транзисторы драйвера?

Григорий, ну зачем же Вы кокетничаете... и вводите в неведение Александра.
Там же ясно написано какая амплитуда и на какой базе. Ну... оговорился человек.
Был бы я спецом - сказал бы, что при частоте преобразования в 100 кГц (условно) и фронтах в 500 нс ключ будет работать десять процентов времени в линейном режиме. А это очень много. Знач надо драйвер усиливать.
Уменьшение резистора в цепи затвора практически ничего не даст.
Ежели я неправ - поправьте меня. Спасибо. 

[sanya110]

Сгодится ли эта схемка для питания светодиода 12В 10Вт?

 

[Григорий Т.]

@sanya110 да, если питание больше 15 Вольт.

 

1 час назад, igorillich сказал:

что при частоте преобразования в 100 кГц

Какие 100 кГц с таким IGBT? Вы графики для него в даташите смотрели?

[Крашер]

... 

У транзисторов в корпусе TO252 и TO220AB - цоколёвка совпадает? 

Не могу высмотреть d13003 в корпусе TO252 . Везде или TO-92, или TO220AB.  Припаян к плате. Выпаянный - кусок металла, звонится во все стороны. Есть "на замену" просто 13007 в корпусе TO220AB. 

Подойдёт "в лоб"? 

 

[Falconist]

А по печатке определиться? У меня обычно получается.

[Крашер]

Нереально. Часть проводников просто теряется под деталями "переходами" с одной стороны платы на другую. Часть - обрывается на колодке разъёма в жгуте из полутора десятков проводов. Жгут уходит "внутрь" устройства и многократно ветвится. 

Рискну "в лоб". 

Изменено 26 ноября, 2016 пользователем Крашер

[kolobok88]

 

6 часов назад, Григорий Т. сказал:

А сколько длится на затворе?

Прошу прощения , имел в виду именно фронт импульса на затворе IGBT транзистора. Амплитуда 15 В.  При резисторе в цепи затвора 10 Ом - передний фронт 1 мкс. Уменьшив до 5 Ом - получил 0.5 мкс. Хотелось бы уточнить , плохо это или нормально для транзистора FGW40N120. Как это правильно увязать с параметрами из даташита.

[Антон Белов]

Как думаете потеря одного кондера на 100nf критична в обвязке контролера заряда? Откуда-то сдул феном, посадочного найти не могу, т.к. он очень мелкий 0,5мм на 1мм. Возможно это он на схеме, но схема не родная, а похожая.

[kotosob]

38 минут назад, Крашер сказал:

Не могу высмотреть d13003 в корпусе TO252 .

http://elektrikaetoprosto.ru/13003and13001.html

[Григорий Т.]

37 минут назад, kolobok88 сказал:

При резисторе в цепи затвора 10 Ом - передний фронт 1 мкс. Уменьшив до 5 Ом - получил 0.5 мкс

Что-то вы не так намерили. IGBT под напряжением? Какая частота контроллера? Какой фронт на выходе микросхемы?

[kolobok88]

2 минуты назад, Григорий Т. сказал:

Что-то вы не так намерили. IGBT под напряжением? Какая частота контроллера? Какой фронт на выходе микросхемы?

На выходе микросхемы сейчас точно не скажу, но когда мерял без впаянного силового IGBT, то был намного меньше, и на выходе драйвера на биполярниках тоже был фронт меньше , нежели 500нс. Но при запаянном IGBT заряжается емкость затвора и соответственно увеличивается фронт. Подано силовое +300 на транзистор или нет - без разницы, фронт одинаковый. Частота 60 кГц.

[Григорий Т.]

3 минуты назад, kolobok88 сказал:

Подано силовое +300 на транзистор или нет - без разницы

Врать нехорошо.

[kolobok88]

1 минуту назад, Григорий Т. сказал:

Врать нехорошо.

Все измерения были проведены , когда +300 еще не подавалось. Когда подавал +300 , т.е. запускал в рабочем режиме полностью , то я измерения с точностью не проводил, но на осциллограмме на глаз картинка не менялась. К сожалению только в понедельник смогу уточнить этот момент. 

[Крашер]

40 минут назад, Антон Белов сказал:

потеря одного кондера на 100nf критична в обвязке контролера заряда?

Не видна "остальная часть" схемы. Возможно он стоит как "блокировка" по питанию. Возможно - как что-то "задающее". Это уже надо искать ... даташит на родной контроллер

Ну и по дорожкам отслеживать... "ближайшие точки". Вероятно, можно и без него, или подпаять что-то похожее. 

[Григорий Т.]

12 минуты назад, kolobok88 сказал:

Все измерения были проведены , когда +300 еще не подавалось

Чтобы 10 Ом добавили задержку 1 мкс, емкость затвора должна быть 100 nF. А у вашего IGBT она всего 3,2 nF. Подумайте над этим на досуге.

Изменено 26 ноября, 2016 пользователем Григорий Т.

[kolobok88]

2 минуты назад, Григорий Т. сказал:

Чтобы 10 Ом добавили задержку 1 мкс, емкость затвора должна быть 100 nF. А у вашего IGBT она всего 3,2 nF. Подумайте над этим на досуге.

10 Ом не добавляет задержку 1 мкс. Я писал, что при 10 Ом фронт 1 мкс, а при 5 Ом - фронт 0,5 мкс. Сколько будет без резистора - пока не скажу. Меня интересует, какая максимально-допустимая длительность фронта нарастания импульса на затворе этого транзистора, чтобы он не работал в линейном режиме.

Изменено 26 ноября, 2016 пользователем kolobok88