Расчет Унч

[NailDer]

Вообщем нашел в хламе транзисторы КТ3102. На пути изучения электроники в книжках после изучения работы транзистора советуют построить первый двухкаскадный УНЧ частоты. Искать МП39-41 по хламу на рынке не хочеться так что решил использовать КТ3102. Скачал из интернета методику расчета каскада УНЧ, посмотрел параметры транзистора в спаровниках подставил и получил вот такой каскад. Но смущает сопротивление цепи колектор - эмиттер. Так как по справочнику Ikmax = 100 ма сопротивление Rk=66 Om Re=12 Om. Сложил два сопротивления и посчитал ток колектора получил 115 мА. Выше допустимого не сгорит ли мой транзистор, или может я не понимаю правильность работы. Схемку прелагаю.

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[Falconist]

1) Кроме максимально допустимого тока коллектора есть еще один важный параметр: максимально допустимая мощность рассеяния.

2) Ток 115 мА пойдет при полностью открытом транзисторе. Многовато, конечно.

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[ТАП]

Судя по полученным номиналам расчет ни какой. Более реальные значения получаются по этому расчету http://rudocs.exdat....dex-295186.html.

Эти расчеты довольно громоздкие. Есть более простые и достаточно точные, состоящие из 4-5-и действий (нахождение номиналов базового делителя, Rк и Rэ). Но к этим упрощенным расчетам дополняются определенные требования к данной типовой схеме, исходящие от заказчика.

Изменено 1 ноября, 2013 пользователем ТАП

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[N&N]

Подставь свои значения и посмотри что делал не так.

Расчёт транзисторного каскада с общим эмиттером (ОЭ)

Прежде чем перейти непосредственно к расчёту транзисторного каскада, обратим внимание на следующие требования и условия:

• Расчёт транзисторного каскада проводят, как правило, с конца (т.е. с выхода);

• Для расчета транзисторного каскада нужно определить падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер транзистора в режиме покоя (когда отсутствует входной сигнал). Оно выбирается таким, чтобы получить максимально неискаженный сигнал. В однотактной схеме транзисторного каскада работающего в режиме "A" это, как правило, половина значения напряжения источника питания;

• В эмиттерной цепи транзистора бежит два тока - ток коллектора (по пути коллектор-эмиттер) и ток базы (по пути база-эмиттер), но так как ток базы достаточно мал, им можно пренебречь и принять, что ток коллектора равен току эмиттера;

• Транзистор – усилительный элемент, поэтому справедливо будет заметить, что способность его усиливать сигналы должна выражаться какой-то величиной. Величина усиления выражается показателем, взятым из теории четырёхполюсников - коэффициент усиления тока базы в схеме включения с общим эмиттером (ОЭ) и обозначается он - h₂₁. Его значение приводится в справочниках для конкретных типов транзисторов, причём, обычно в справочниках приводится вилка (например: 50 – 200). Для расчётов обычно выбирают минимальное значение (из примера выбираем значение - 50);

• Коллекторное (R_к) и эмиттерное (R_э) сопротивления влияют на входное и выходное сопротивления транзисторного каскада. Можно считать, что входное сопротивление каскада R_вх=R_э*h₂₁, а выходное равно R_вых=R_к. Если Вам не важно входное сопротивление транзисторного каскада, то можно обойтись вовсе без резистора R_э;

• Номиналы резисторов R_к и R_э ограничивают токи, протекающие через транзистор и рассеиваемую на транзисторе мощность.

Порядок и пример расчёта транзисторного каскада с ОЭ

Исходные данные:

Питающее напряжение U_и.п.=12 В.

Выбираем транзистор, например: Транзистор КТ315Г, для него:

P_max=150 мВт; I_max=150 мА; h₂₁>50.

Принимаем R_к=10*R_э

Напряжение б-э рабочей точки транзистора принимаем U_бэ = 0,66 В

Решение:

1. Определим максимальную статическую мощность, которая будет рассеиваться на транзисторе в моменты прохождения переменного сигнала, через рабочую точку В статического режима транзистора. Она должна составлять значение, на 20 процентов меньше (коэффициент 0,8) максимальной мощности транзистора, указанной в справочнике.

Принимаем P_рас.max=0,8*P_max=0,8*150 мВт=120 мВт

2. Определим ток коллектора в статическом режиме (без сигнала):

I_к0=P_рас.max/U_кэ0=P_рас.max/(U_и.п./2) = 120мВт/(12В/2) = 20мА.

3. Учитывая, что на транзисторе в статическом режиме (без сигнала) падает половина напряжения питания, вторая половина напряжения питания будет падать на резисторах:

(R_к+R_э)=(U_и.п./2)/I_к0 = (12В/2)/20мА=6В/20мА = 300 Ом.

Учитывая существующий ряд номиналов резисторов, а также то, что нами выбрано соотношение R_к=10*R_э, находим значения резисторов :

R_к = 270 Ом; R_э = 27 Ом.

4. Найдем напряжение на коллекторе транзистора без сигнала.

U_к0=(U_кэ0+ I_к0*R_э)=(U_и.п.- I_к0*R_к) = (12 В - 0,02А * 270 Ом) = 6,6 В.

5. Определим ток базы управления транзистором:

I_б=I_к/h₂₁=[u_и.п./(R_к+R_э)]/h₂₁ = [12 В / (270 Ом + 27 Ом)] / 50 = 0,8 мА.

6. Полный базовый ток определяется напряжением смещения на базе, которое задается делителем напряжения R_б1,R_б2. Ток резистивного базового делителя должен быть на много больше (в 5-10 раз) тока управления базы I_б, чтобы последний не влиял на напряжение смещения. Выбираем ток делителя в 10 раз большим тока управления базы:

R_б1,R_б2: I_дел.=10*I_б = 10 * 0,8 мА = 8,0 мА.

Тогда полное сопротивление резисторов

R_б1+R_б2=U_и.п./I_дел. = 12 В / 0,008 А = 1500 Ом.

7. Найдём напряжение на эмиттере в режиме покоя (отсутствия сигнала). При расчете транзисторного каскада необходимо учитывать: напряжение база-эмиттер рабочего транзистора не может превысить 0,7 вольта! Напряжение на эмиттере в режиме без входного сигнала примерно равно:

U_э=I_к0*R_э = 0,02 А * 27 Ом= 0,54 В,

где I_к0 - ток покоя транзистора.

8. Определяем напряжение на базе

U_б=U_э+U_бэ=0,54 В+0,66 В=1,2 В

Отсюда, через формулу делителя напряжения находим:

R_б2= (R_б1+R_б2)*U_б/U_и.п. = 1500 Ом * 1,2 В / 12В = 150 Ом

R_б1= (R_б1+R_б2)-R_б2 = 1500 Ом - 150 Ом = 1350 Ом = 1,35 кОм.

По резисторному ряду , в связи с тем, что через резистор R_б1 течёт ещё и ток базы, выбираем резистор в сторону уменьшения: R_б1=1,3 кОм.

9. Разделительные конденсаторы выбирают исходя из требуемой амплитудно-частотной характеристики (полосы пропускания) каскада. Для нормальной работы транзисторных каскадов на частотах до 1000 Гц необходимо выбирать конденсаторы номиналом не менее 5 мкФ.

На нижних частотах амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) каскада зависит от времени перезаряда разделительных конденсаторов через другие элементы каскада, в том числе и элементы соседних каскадов. Ёмкость должна быть такой, чтобы конденсаторы не успевали перезаряжаться. Входное сопротивление транзисторного каскада много больше выходного сопротивления. АЧХ каскада в области нижних частот определяется постоянной времени t_н=R_вх*C_вх, где R_вх=R_э*h₂₁, C_вх - разделительная входная емкость каскада. C_вых транзисторного каскада, это C_вх следующего каскада и рассчитывается она так же. Нижняя частота среза каскада (граничная частота среза АЧХ) f_н=1/t_н. Для качественного усиления, при конструировании транзисторного каскада необходимо выбирать, чтобы соотношение 1/t_н=1/(R_вх*C_вх)<<f_н в 30-100 раз для всех каскадов. При этом чем больше каскадов, тем больше должна быть разница. Каждый каскад со своим конденсатором добавляет свой спад АЧХ. Обычно, достаточно разделительной емкости 5,0 мкФ. Но последний каскад, через Cвых обычно нагружен низкоомным сопротивлением динамических головок, поэтому емкость увеличивают до 500,0-2000,0 мкФ, бывает и больше.

Спад АЧХ в области верхних частот определяется постоянной времени перезаряда tв=Rвых*Cк=RкCк, где Cк - паразитная емкость коллекторного перехода (указывается в справочниках). Для звуковых частот, емкость коллекторного перехода незначительна, поэтому паразитной ёмкостью можно пренебречь.

[ТАП]

Сами -то верите этим значениям реально. Этот расчет мало чем отличается от расчета ТС. Те же странные номиналы в коллекторе и в базовом делителе. Найдите в работающих известных усилителях такие номиналы. НЕ забывайте у ТС - расчет УНЧ.

Изменено 1 ноября, 2013 пользователем ТАП

[N&N]

"Сами -то верите этим значениям реально", если ко мне, то реально верю. Когда-то собрал на макете, все сошлось.

Вообще хотел обратить его внимание на это:

1. Определим максимальную статическую мощность, которая будет рассеиваться на транзисторе в моменты прохождения переменного сигнала, через рабочую точку В статического режима транзистора. Она должна составлять значение, на 20 процентов меньше (коэффициент 0,8) максимальной мощности транзистора, указанной в справочнике.

Изменено 1 ноября, 2013 пользователем N&N

[NailDer]

Судя по полученным номиналам расчет ни какой. Более реальные значения получаются по этому расчету http://rudocs.exdat....dex-295186.html.

Эти расчеты довольно громоздкие. Есть более простые и достаточно точные, состоящие из 4-5-и действий (нахождение номиналов базового делителя, Rк и Rэ). Но к этим упрощенным расчетам дополняются определенные требования к данной типовой схеме, исходящие от заказчика.

Не поверите наверное но как раз поэтому расчету и считал))

[ТАП]

Так в этом расчете был пример, где принят источник питания=28 В. Принят ток управления базой... Вот эти значения и есть то, при которых можно получить все что угодно, особенно, если это делать как робот без понимания. Мне нравиться, когда принимают Iб=0,8 мА у маломощного транзистора. А отсюда и ток делителя базы Iд=10*Iб=8 мА - просто обалдеть.

Берем ваш пример (транзистор КТ315Б) :

1. Из справочника (график разбросов) h21э =120, при токе эмиттера 2-10 мА, примем ток Iэ=3 мА

2. Ток базы Ioб=Iэ/h21э=3/120=0,025 мА, тогда ток коллектора Iк=Iэ-Iбо=3-0,025=2,975 мА,

3. Ток базового делителя из условия (3-10) Iбо, Iд=10х0,025=0,25мА,

4. Rэ=R2=(0,1÷0,3)Еп/Iэ=0,1х9/3= 0,3 кОм=300 Ом

5. Rк=R3=(0,3÷0,6)Еп/Iк=0,6х9/2,975= 1,8 кОм

6. R1=(Еп-Uоб)/Iоб+Iд=(9-1,4)/0,025+0,25=27,6 кОм, примем 27 кОм, где Uоб =Uэ+Uэб=R2хIэ +0,5=300х3+0,5=1,4 В, где Uэб=(0,4÷0,8)В для кремниевых тр-ров, примем Uэб=0,5 В,

7. R4=Uоб/Iд=1,4/0,25=5,6 кОм.

Расчет велся для обеспечения максимального усиления, т.к. не было ограничения по максимальной границе частот.

Обозначения R взяты как в схеме ТС.

Изменено 2 ноября, 2013 пользователем ТАП

[NailDer]

Расчет УНЧ на КТ3102Б

Данно:

Тип Транзистора: КТ3102Б

Ukдоп = 9 В - Напряжение питания (Допустимое напряжение колектора по методичке, так как у меня нету 50в я его выбрал равным питанию, по справочнику напряжения питания допустимое 50В)

Ik.доп = 100 мА

P.k.доп = 0,25 Вт

Uэ.порог.=0,7 В

B=h21э=250 (Коэф усиления)

Решение:

1) Определяем напряжение питания:

Eпит = 0.8 * Ukдоп =0.8*9=7.2 V

2) Расчет каскада на транзисторе VT с общим эмиттером производим в классе А и проектируем выходной каскад на 80%-ю мощность P_к.доп, рассеиваемую транзистором в режиме покоя [1, 2]:

P.k.пок=0,8*P.k.доп = 0,8*0,25= 0,2 Вт

3)Задаемся напряжением эмиттера покоя:

Eэ.пок = 0,1*Епит = 0,1*7,2 = 0,72 V

4)Выбираем рабочую точку Р.Т. в середине динамической характеристики транзистора, что соответствует напряжению покоя коллектора (рис.6):

Uk.пок= 0,5(Епит-Eэ.пок)=0,5*(7,2-0,72)=3,24В

5) Рассчитываем ток покоя коллектора:

Ik.пок=P.k.пок/Uk.пок=0,2/3,24=0,061 А

6)Находим сопротивление токоограничивающего резистора в цепи коллектора R_к:

R_к=Eпит-Uk.пок/Iк.пок=7,2-3,24/0,061= 64 Ом

7)Находим напряжение покоя базы:

Uб.пок=Eэ.пок+Uэ.порог=0.72+0.7=1.42 В

8)Определяем ток покоя базы:

Iб.пок=Ik.пок/B=0.061/250=0.00024 A= 0.244 mA

9)Задаемся током делителя через резисторы R1, R2:

Iдел=5*Iб.пок=5 * 0.00024 = 0,0012 А = 1,2 мА

10)Находим сопротивление резистора R1:

R1=Eпит-Uб.пок/Iдел+Iб.пок=7,2 - 1,42/ 0,0012 + 0.00024 = 5,78 / 0,00144= 4013 Ом

11)Находим сопротивление резистора R2:

R2=Uб.пок/Iдел=1,42/0,0012= 1183 оМ

12)Находим сопротивление резистора Rэ:

Rэ=Eэ.пок/Ik.пок+Iб.пок=0,72/0,061+0,00024=0,72/0,061=12 оМ

[NailDer]

По методике которая была предложена N&N взятая из просторов рунета через гуглю.

Данно:

Тип Транзистора: КТ3102Б

U и.п = 9 В - Напряжение питания (Допустимое напряжение колектора по методичке, так как у меня нету 50в я его выбрал равным питанию, по справочнику напряжения питания допустимое 50В)

Ik.доп = 100 мА

Pmax = 250 мВт

Uбэ=0,66 В

h21э=250 (Коэф усиления)

Решение:

1)Определим максимальную статическую мощность, которая будет рассеиваться на транзисторе в моменты прохождения переменного сигнала, через рабочую точку В статического режима транзистора. Она должна составлять значение, на 20 процентов меньше (коэффициент 0,8) максимальной мощности транзистора, указанной в справочнике.

Принимаем P_рас.max=0,8*P_max= 0,8*250 мВт = 200 мВт

2)Определим ток коллектора в статическом режиме (без сигнала):

I_к0=P_рас.max/U_кэ0=P_рас.max/(U_и.п./2) = 200мВт /(9 В/2)=200мВт /4,5В = 44 ма (Вот тут я немного не понял сути расчета мВты делят на вольты и получают милиамперы)

3)Учитывая, что на транзисторе в статическом режиме (без сигнала) падает половина напряжения питания, вторая половина напряжения питания будет падать на резисторах:

(R_к+R_э)=(U_и.п./2)/I_к0 = (9В/2)/44 ма=0,102 кОм

Учитывая существующий ряд номиналов резисторов, а также то, что нами выбрано соотношение R_к=10*R_э, находим значения резисторов :

R_к = 102 Ом; R_э = 12 Ом.

4)Найдем напряжение на коллекторе транзистора без сигнала.

U_к0=(U_кэ0+ I_к0*R_э)=(U_и.п.- I_к0*R_к) = (9-0,044*102)=4,52В

5)Определим ток базы управления транзистором:

I_б=I_к/h₂₁=[u_и.п./(R_к+R_э)]/h₂₁ =[9/(102+12)]/250=0.078/250 = 0.000312 A= 0.312 mA

6)Полный базовый ток определяется напряжением смещения на базе, которое задается делителем напряжения R_б1,R_б2. Ток резистивного базового делителя должен быть на много больше (в 5-10 раз) тока управления базы I_б, чтобы последний не влиял на напряжение смещения. Выбираем ток делителя в 10 раз большим тока управления базы:

R_б1,R_б2: I_дел.=10*I_б = 10 * 0.312 мА = 3,12 мА.

Тогда полное сопротивление резисторов

R_б1+R_б2=U_и.п./I_дел. = 9 В / 0,003 А = 3000 Ом.

7. Найдём напряжение на эмиттере в режиме покоя (отсутствия сигнала). При расчете транзисторного каскада необходимо учитывать: напряжение база-эмиттер рабочего транзистора не может превысить 0,7 вольта! Напряжение на эмиттере в режиме без входного сигнала примерно равно:

U_э=I_к0*R_э = 0,044 А * 12 Ом= 0,528 В

8. Определяем напряжение на базе

U_б=U_э+U_бэ=0,52 В+0,66 В=1,18 В

Отсюда, через формулу делителя напряжения находим:

R_б2= (R_б1+R_б2)*U_б/U_и.п. = 3000 Ом * 1,18 В / 9В = 393 Ом

R_б1= (R_б1+R_б2)-R_б2 = 3000 Ом - 393 Ом = 2607 Ом = 2,6 кОм.

Первый расчет: Rk=64 Om Re=12 Om R1=4013 Om R2=1183 Om

Второй расчет: Rk=102 Om Re=12 Om R1=393 Om R2=2,6 kOm

И получается что по закону Ома I=U/Rкэ = 9В/76 Ом= 0,118 А= 118мА. С чего я и делаю выводы что более точный расчет приведенный в курсовой работе задает минимальный ток коллектора 118 мА а допустимый по справочнику 100 мА хотя максимальная рассеиваемая мощность 250 мВт гораздо выше чем у транзисторов с допустимым током коллектора 100 мА. И я останавливаюсь и задумываюсь где же я рассчитал что то не так хотя эти два методических пособия бродят по интернету других не встречал, может кто поделиться.

[oldmao]

Курите книгу С.А.Гаврилова "Полупроводниковые схемы. Секреты разработчика".

[ТАП]

Любой расчет должен иметь цель не только режимы по постоянному току, но и для того, чтобы транзистор выполнял свое главное предназначение - имел максимально возможное усиление как по току, так и по напряжению (что и делает схема с ОЭ) ,т.е. максимальная мощность. В расчетах топиков №9, №10 только режимы по постоянному току. Хорошая книга в помощь: А.В.Цикина, "Усилители", М.,"Связь", 1972г. (Для техникумов связи).

[NailDer]

Пойду спаяю схему по топику 10 и спалю пару транзисторов может чему научусь)

[N&N]

Первый расчет: Rk=64 Om Re=12 Om R1=4013 Om R2=1183 Om

Второй расчет: Rk=102 Om Re=12 Om R1=393 Om R2=2,6 kOm

Надо:

Второй расчет: Rk=102 Om Re=12 Om R1=2,6 кOm R2=393 Om

Повторил на макете # 4, все сходится.

# 8 - "Берем ваш пример (транзистор КТ315Б) :

1. Из справочника (график разбросов) h21э =120, при токе эмиттера 2-10 мА, примем ток Iэ=3 мА"- при расчетах из справочника h21э берется минимальное (КТ315Б - h21э - 50 - 350)

2. I_б = I_к/h_21, - если это значение берется по рассчитанному максимальному току коллектора в схеме, при чем тут ток эмиттера, если он и будет равен - I_к + I_б

Понял откуда Вы взяли "примем ток Iэ3 мА" - Граничное напряжение при I_э=5мА не менее: КТ315Б - 15В, улыбнуло

"(R_к+R_э)=(U_и.п./2)/I_к0 = (9В/2)/44 ма=0,102 кОм = 102 Ом

"Учитывая существующий ряд Е 24 номиналов резисторов, а также то, что нами выбрано соотношение R_к=10*R_э, находим значения резисторов :

надо:

R_к = 91 Ом; R_э = 11 Ом.

Почему? И получается что по закону Ома I=U/Rкэ = 9В/76 Ом= 0,118 А= 118мА. С чего я и делаю выводы что более точный расчет приведенный в курсовой работе задает минимальный ток коллектора 118 мА а допустимый по справочнику 100 мА хотя максимальная рассеиваемая мощность 250 мВт гораздо выше чем у транзисторов с допустимым током коллектора 100 мА.

I_кмакс = (U_и.п /(R_к+R_э) 9/102=0,088 А или 88 мА

Изменено 2 ноября, 2013 пользователем N&N

[ТАП]

# 8 - "Берем ваш пример (транзистор КТ315Б) :

1. Из справочника (график разбросов) h21э =120, при токе эмиттера 2-10 мА, примем ток Iэ=3 мА"- при расчетах из справочника h21э берется минимальное (КТ315Б - h21э - 50 - 350)

Кроме таких справочных данных h21э - 50 - 350, в справочниках есть еще: типовое значение. На графике и было значение h21э-120, при токе эмиттера 2-10 мА. Взято мин значение, т.к на графике h21э имеет макс значение именно при меньших токах, что актуально для предварительных каскадов (режим малого сигнала).

Во всех расчетах рабочая точка транзистора расчитана правильно, нет смысла ее перепроверять - арифметика. Вы начали на макетке, хорошо бы проверить, у какого расчета какое усиление на НЧ. Максимальное усиление и будет критерием правильности расчетов.

[NailDer]

Сваял схемку подал сигнал с мобильного телефона с разъема 3,5 мм на наушники (лапухи) сопротивление 18 Ом. И заработало первая заработавшая схема надо бежать за шампанским . Звук чистый ну или с минимальными искажениями. Правда греется сопротивление Rk и транзистор.

Uk=4.9-4.73

Uб=1,02-1,01

Uбэ=0,68

Uэ=0,32

Все в корне отличается от того что считал) наверное разброс большой.

Изменено 2 ноября, 2013 пользователем NailDer

[ТАП]

Представляете сколько жрет один транзистор, вся энергия источника идет на обогрев. Если уменьшить ток коллектора до минимума неискажений сигнала и измерить его вы сможете убедиться, что и при небольших токах транзистор успешно работает.

[NailDer]

И чтобы уменьшить ток коллектора надо увеличьте сопротивление Rk (Если я не ошибаюсь). И как же это сделать математически правильно для каскада.

[ТАП]

Не правильно, это делается любым из двух резисторов базового делителя R1 - увеличивая номинал (лучший вариант), или R4 - уменьшая.

Изменено 2 ноября, 2013 пользователем ТАП

[N&N]

" h21э имеет макс значение именно при меньших токах, что актуально для предварительных каскадов (режим малого сигнала)."- полностью с Вами согласен.

Все упирается в тех .задание, что Вы хотите получить от своего каскада. в конкретном случае, я так понял, при заданном напряжении, получить максимальную мощность в режиме "А".

[NailDer]

Хотелось собрать простенький УНЧ на трех четырех транзисторах из тех которые имеются начал с предварительного расчета каскада, для понимания принципов работы. Уменьшая ток базы мы уменьшаем ток коллектора, увеличивая сопротивление R1 (сопротивление смещения "как я понял"). Вопрос состоит в том какой нормальный режим работы транзистора должен быть у предварительного усилителя. 50% от возможного усиления? И почему посчитанное не совпадает с собранным))) Как вогнать транзистор в рабочую точку чтобы он и усиливал нормально и не грелся и энергий много не потреблял, и как это производиться нахождение этой золотой средины.

Изменено 2 ноября, 2013 пользователем NailDer

[ТАП]

Для 'N&N' . Для таких схем во всех книгах отдельный раздел, например, "Каскады предварительного усиления" и дальше "Резисторный каскад", который фигурирует здесь и который был расчитан, в принципе, правильно, но в основном,без учета специфики его работы. Эту специфику обычно задает заказчик, а если не оговорено, то делается расчет с оптимальными параметрами, а это экономичность, а значит надежность, усиление по напряжению и т.д. на свободный выбор (мотивированный).

И почему посчитанное не совпадает с собранным))) Как вогнать транзистор в рабочую точку чтобы он и усиливал нормально и не грелся и энергий много не потреблял, и как это производиться нахождение этой золотой средины.

Смотрите мои расчеты. Я именно об этом заботился при расчете. Это не моя выдумка, а следовал не гласным требованиям при таких расчетах, а все остальное по учебнику: Цикина А.В. - писал выше. Для курсовой работы все по формулам. А для практической схемы уже по шаблону, зная, какой элемент схемы на что влияет, дальше небольшая коррекция рабочей точки, усиления, широкополосности и т.д. уже на макете при инструментальной настройке.

Изменено 2 ноября, 2013 пользователем ТАП