Генераторы свободной энергии

[TIMIK74]

так вы заявили, что все знают, я вот не знаю да и хотелось бы услышать ответ.

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[radio.elektronik]

1 минуту назад, TIMIK74 сказал:

так вы заявили, что все знают, я вот не знаю да и хотелось бы услышать ответ.

Почитайте заключение гос экспертизы. Или лень?

2 минуты назад, TIMIK74 сказал:

я вот не знаю да и хотелось бы

Я Вашу не знаю. И не хотелось бы.

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[TIMIK74]

зачем мне это читать? как вы любите отвечать, слабо однако.

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[radio.elektronik]

Есть книга Сергея Поварнина "Искусство спора". Почитайте. Интересная тема.

Сергей Поварнин. Искусство спора.

https://yadi.sk/i/kMxtvidG39kAGQ

41 минуту назад, ARV сказал:

а кто на втором?

Кеша наверняка знает как сделать диод из подручных средств.

42 минуты назад, ARV сказал:

Не сжечь Рим, так пошатать физику.

[my504]

1 час назад, radio.elektronik сказал:

Не надо рассказывать сказки. PN  - переходы делаются из стальной проволочки и кристалла геленита.

Кристалл гАленита (а не геленита) - это кристаллический сульфид. Поэтому при контакте с металлом образуется диод Шоттки.  Чем это противоречит зонной теории? PN переход, естественно, отсутствует, поскольку нет примесных полупроводников. Зато есть переход Шоттки, работающий так же на разности уровней Ферми контактирующих веществ. Так же образуется контактная разность потенциалов. 

Мы вроде как обсуждали электронно-дырочную проводимость примесных материалов. Причем тут Шоттки?

Изменено 22 июня, 2018 пользователем my504

[radio.elektronik]

Только что, my504 сказал:

с металлом образуется диод Шоттки. 

Раньше так не считали. Но про дырки бред какой-то несли.

[fant]

19 минут назад, radio.elektronik сказал:

Кеша наверняка знает как сделать диод из подручных средств.

[my504]

3 минуты назад, radio.elektronik сказал:

Раньше так не считали. Но про дырки бред какой-то несли.

Кто раньше не считал? Кто говорил про дырки в контексте диода Шоттки?

[radio.elektronik]

20 минут назад, my504 сказал:

Кто раньше не считал? Кто говорил про дырки в контексте диода Шоттки?

https://my.mail.ru/community/radio_termo_elektro_nika/37169D8D6FB2261A.html

[my504]

Мой рабочий компьютер эту ссылку посылает нах.

Извольте выражаться собственным языком.

16 минут назад, Yon сказал:

Дырка - некомпенсированные положительные заряды ионов донорной примеси.

В диоде Шоттки нет разнопримесных материалов.

Изменено 22 июня, 2018 пользователем my504

[radio.elektronik]

19 минут назад, my504 сказал:

Извольте выражаться собственным языком.

Кристаллический детектор. Ошибка А. Ф. Иоффе и Я. И. Френкеля.

В начале 20-го века в радиотехнике в качестве выпрямителя радиосигнала применяли кристаллические детекторы.
Прибор – кристаллический детектор – был устроен просто: проволочка из металла-проводника упиралась в полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый кристалл можно было изготовить в домашних условиях, сплавляя в пробирке серу и свинец в равных объёмах. Такой сплав назывался галеном. В качестве полупроводникового кристалла можно было применить и любой другой полупроводник.

Для работы детектора, прибор необходимо было настроить. Для этого, оператор искал остро заточенной проволочкой на поверхности кристалла некоторую точку, когда начинал проявляться эффект односторонней проводимости (ОП) полупроводникового диода. Проводимость для прямого тока и для обратного тока становилась различной и прибор был годен к работе.
Так, какую же точку искал оператор?
Было известно, что при хорошем контакте с проволочкой, кристаллический детектор терял свойства ОП и ток через него подчинялся закону Ома и законам Киргофа.
Согласно теории А. Ф. Иоффе и Я. И. Френкеля , оператор искал на поверхности зону с противоположным типом проводимости. Кристалл был P-типа. На поверхности искали зону с проводимостью N-типа.
От материала проволочки-иглы свойства диода не изменялись. Только откуда на поверхности могла взяться зона N?
Современная физика полупроводников зашла в тупик, игнорируя процесс термо-электронной эмиссии. Этот процесс термодинамический и определяет теплопередачу между телами.
Игнорируя термодинамику и термоэлектронную эмиссию, теория А. Ф. Иоффе и Я. И. Френкеля предполагает существование некоторых мифических «дырок», которые являются носителями положительного заряда. Согласно этой теории – на поверхности создаётся противоположный тип носителя, а запорный слой образуется внутри полупроводникового кристалла.
В 20-х годах прошлого века существовало несколько альтернативных теорий. Все они были без «дырочной» проводимости. Так, О. В. Лосев для объяснения работы своего кристадина использовал теорию «дуги».
В книге Абрама Фёдоровича Иоффе «Полупроводники в современной физике» за 1954 год, в главе «Твёрдые выпрямители.» находим описание альтернативных теорий:

«
Запорные слоя полупроводников обладают свойством, которое обеспечило им большое практическое значение: сопротивление запорного слоя различно для разных направлений тока. Поэтому, прикладывая к такому слою переменное напряжение, мы получаем более сильный ток одного направления (это направление называют пропускным), чем противоположного, называемого запорным.
Легко понять происхождение такой асимметрии токов: при разности потенциалов одного знака внешнее поле усиливает контактное поле, тогда как при противоположном знаке потенциала внешнее поле в запорном слое оказывается противоположным контактному полю. В первом случае толщина слоя и создаваемое им сопротивление возрастают, во втором случае слой утончается и при достаточной разности потенциалов почти полностью выравнивается по своему удельному сопротивлению с основной толщей полупроводника.
Такое объяснение асимметрии сопротивления запорного слоя выдвинули Б. И. Давыдов и Д. И. Блохинцев и подробно развил Шоттки. Оно приводит к правильному знаку выпрямления и дает качественно близкую к наблюдаемой в выпрямителях зависимость тока от напряжения как в пропускном, так и в запорном направлении.

»

Если к понятию «контактное поле» добавить идею термоэлектронной эмиссии, то возможно было бы, посредством термодинамики полностью избавиться от теории о «дырочной проводимости», которую развивал А. Ф. Иоффе и Я. И. Френкель.
Торжество «дырочной проводимости» было обусловлено тем, что в 1954 году, через 7 лет после открытия транзисторов возникла необходимость объяснять работу не только диодов, но и транзисторов. А работу транзистора в то время не могли объяснить не создав фиктивный положительный заряд. Биполярный транзистор PNP-типа (в схеме в общим эмиттером) требовал подачи на коллектор отрицательного напряжения, а отпирался при подаче на базу отрицательного тока. Для тех, кто был знаком с работой лампового триода – это явление было необъяснимо! Требовался положительный заряд в виде «дырки». И его создали. Это была ошибка. И эта ошибка базировалась на другом опыте, ошибочно объяснённом – эффекте Холла.
(На самом деле, принцип работы транзистора основывается на взаимодействии эффектов Зеебека и Пельтье у близко расположенных полупроводниковых термопар с широкой запретной зоной ( с выключенной термоэлектронной эмиссией )).
Физики неверно объясняли эффект Холла, потому как эксперимент мог быть некорректно выполнен.
Если для регистрации поперечной ЭДС были использованы токосъёмники из материала отличного от образца, и эти токосъёмники находились бы в зоне магнитного поля, то возникал бы сложный термоэлектрический эффект.
http://ru.wikipedia.org/wik...
Эффект Холла недостаточно изучен. Так, например, я согласен с скептицизмом А. Д. Руднева:

http://katastrofy-phisics.narod.ru/Hollaeff_01.html

Эффект Холла очень похож на термоэлектрический эффект. В результате исследования, он даёт последовательность (ряд) металлов, которая очень похожа на ряд металлов в эффекте Зеебека.
Физики условились по эффекту Холла определять тип проводимости материала, что очевидно, было ошибочной теорией.
Такие металлы как вольфрам, цинк, молибден, благодаря эффекту Холла были отнесены к металлам с дырочным типом проводимости.
Термодинамика термоэлектрических процессов была проигнорирована и заменена ложным учением о «дырках».
Рассмотрим с позиций термодинамики: что же искал оператор заточенной проволочкой на поверхности полупроводникового кристалла?
Сегодня об этом могут поведать тайну диоды Шоттки, которые созданы по аналогичному принципу.
Оператор искал неконтакт!
Когда проволочка упиралась в неконтакт, то на малом расстоянии с кристаллом, ток мог протекать между проволочкой и полупроводником только по термоэлектронной эмиссии.
Рассмотрим этот механизм.
У полупроводникового кристалла – зоны P-эмиссия была более сильной. И если б она была включенной, то электроны с зоны P, в результате взаимодействия эмиссий, потеснили бы электроны с зоны N и перешли на территорию тела N-типа. Зона N зарядилась бы отрицательно, зона P зарядилась бы положительно. Но у полупроводников термоэлектронная эмиссия «выключена», из-за того, что они близки по свойствам к изоляторам. ( термоэлектронная эмиссия зоны P может быть легко включена, например, при облучении светом … или при протекании прямого тока…).
При омическом неконтакте, мы получили контакт термоэмиссий. А через контакт термоэлектронных эмиссий ток можно пропустить только в одну сторону: электроны могут двигаться в сторону зоны P. Зона P обладает ядрами атомов с более высоким зарядом (более высокий атомный номер), чем ядра атомов зоны N.
Такой ток: ток электронов в сторону зоны P, или иначе: ток против направления эмиссии зоны P, мы сегодня называем прямым током полупроводникового диода.
Прямой ток имеет свойство включать термоэлектронную эмиссию зоны P. Потому прямой ток протекает в условиях эмиссии зоны P, что создаёт нелинейность Вольт-Амперной характеристики полупроводникового диода.
Теперь рассмотрим диоды Шоттки.
http://ru.wikipedia.org/wik...
http://ru.wikipedia.org/wik...
Теория барьера Шоттки очень похожа на термоэмиссионную теорию, которую предлагаю я.
Шоттки отбил у «дырочной» теории часть истины. На самом деле все диоды работают по принципу дида Шоттки. В основе их работы лежит скрытая термоэлектронная эмиссия и полупроводниковый эффект Пельтье.
В начале прошлого века немецкий физик Вальтер Герман Шоттки создал диод на основе полупроводникового кристалла и напылённой на него тонкой плёнки металла. Тонкая плёнка создаёт «неконтакт», то есть не обеспечивает запуск механизма для существования закона Ома и законов Киргофа для электрической цепи. Я исследовал Вольт-Амперные характеристики в зависимости от температуры нескольких диодов Шоттки на основе кремния. Их Вольт-Амперные характеристики не сильно отличаются от других кремниевых диодов, и соответствуют эмиссионному уравнению.

27-08-2012

Багницкий В. Е.

19 минут назад, my504 сказал:

В диоде Шоттки нет разнопримесных материалов.

Раньше не знали имя Шоттки. А работу детектра объясняли PN-переходом  из той самой дырочной проводимости (с теми самыми дырками). Это есть в книгах 50-х годов.

Изменено 22 июня, 2018 пользователем radio.elektronik

[my504]

А причем тут дырки? Дырки - это всего лишь термин положительного объемного заряда. 

И как дырки влияют на уравнение Шокли?

Изменено 22 июня, 2018 пользователем my504

[radio.elektronik]

Только что, my504 сказал:

термин положительного объемного заряда. 

С чего бы объёмный заряд был в веществе? Дырки, кстати по другому определяются. Как виртуальная частица, возникающая при отсутствии электрона. То есть ион. Но я говорю - всё это ложные гипотезы, ничем не подкреплённые. А вот термо-электричество....

4 минуты назад, my504 сказал:

И как дырки влияют на уравнение Шокли?

Дырок не существует. А уравнение Шокли не верно.

[ARV]

6 минут назад, radio.elektronik сказал:

всё это ложные гипотезы, ничем не подкреплённые. А вот термо-электричество....

Чем-то подкреплено?

[radio.elektronik]

8 минут назад, ARV сказал:

Чем-то подкреплено?

Конечно! Вы знаете как выглядит ВАХ термопары?

[ARV]

Меня в термопаре всегда интересовала её ЭДС в зависимости от температуры. 

[radio.elektronik]

Только что, ARV сказал:

Меня в термопаре всегда интересовала её ЭДС в зависимости от температуры. 

Меня тоже.

А Вы знаете, что ВАХ диода при разных температурах пересекаются?

[my504]

18 минут назад, radio.elektronik сказал:

С чего бы объёмный заряд был в веществе? Дырки, кстати по другому определяются. Как виртуальная частица, возникающая при отсутствии электрона. То есть ион. 

Милейший, а что такое положительный ион, как не носитель объемного заряда? Вы вообще о чем?

[radio.elektronik]

Только что, my504 сказал:

, как не носитель объемного заряда?

Этот заряд можно измерить вольтметром. В диоде ничего нет. Никакой ЭДС. Потому про ОЗ лучше помолчать. Про него и молчат обычно, при объяснении работы диода и транзистора.

[my504]

25 минут назад, radio.elektronik сказал:

Дырок не существует. А уравнение Шокли не верно.

Еще 100500 раз повторите эту ахинею. Вы полагаете, что это метод убеждения? Вы смешны и жалки.

[ARV]

4 минуты назад, radio.elektronik сказал:

А Вы знаете

Мы не в "Что? Где? Когда?", однако. Вы задаете слишком много вопросов, хотя должны, как я подозреваю, давать много ответов.

[radio.elektronik]

Только что, my504 сказал:

Вы полагаете, что это метод убеждения?

Это краткая справка.

Только что, ARV сказал:

хотя должны, как я подозреваю, давать много ответов.

Это из серии: знаете ли Вы?

[my504]

Только что, radio.elektronik сказал:

Этот заряд можно измерить вольтметром. В диоде ничего нет. Никакой ЭДС. Потому про ОЗ лучше помолчать. Про него и молчат обычно, при объяснении работы диода и транзистора.

Вы вообще ТОЭ изучали? Мне кажется, что девок щщупали вместо ТОЭ.

Как можно измерить ЭДС на диоде, если он в целом электронейтрален?  Градиенты заряда существуют в узкой барьерной области.

[ARV]

1 минуту назад, radio.elektronik сказал:

Это из серии: знаете ли Вы?

Знаете ли вы, что ваши "программы" жалки и убоги? Вы хвалились умением их писать - так вот, ваши умения очень плохие, почти отвратительные.

[radio.elektronik]

Только что, my504 сказал:

если он в целом электронейтрален?

Если он в целом электронейтрален, то сборища ионов (ОЗ) внутри нет.

Вот в вакуумном диоде есть ОПЗ - его даже измерить можно при помощи зонда.