Отрицательный Ток В Базе?

[8244]

<p>Приветствую мозги раздела!

Господа, объяснить кто-нибудь эту картинку?. Я уже полгода смотрю на эти осциллограммы и не въезжаю как такое может быть. Главное, сколько схем ни собирал - всегда одно и то же!

Обычный полумостовой автогенератор (типовая схема энергосберегайки с небольшими изменениями в базовой цепи). Кривые напряжения тока эмиттера (синий) и тока базы (красный, инвертирован) нижнего транзистора (на шунте ~0.1 Ом). Хоть с делителем, хоть через развязывающий трасформатор по питанию - всё одно и то же. Откуда берётся отрицательный выброс в базе?? И в эмиттере! Чтобы высадить такой импульс на 0.1 Ом шунте, нужно нехилый заряд пропустить назад - но ведь база-эмиттер это, фактически, диод! ЧЕРЕЗ ЧТО В БАЗЕ шурует такой заряд???

Чёрт подери!!! Опять не прикрепляются картинки! Модераторы, ау! Уже год такая фигня у меня! (пишет: файл не выбран)

Изменено 26 июля, 2016 пользователем 8244

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[MRTT]

А схема будет?

У меня на осциле картинок тоже много.

Изменено 26 июля, 2016 пользователем MRTT

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[Григорий Т.]

Приведите схему с "небольшими изменениями" и как включали шунты и осциллограф. Или на экстрасенсов надеетесь?

[Реклама]

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Alex]

Модераторы, ау! Уже год такая фигня у меня! (пишет: файл не выбран)

Т.е. фигня у вас, а виноваты модераторы ?

[8244]

вот такая обвязка тр-ров.

трансформатор большой 35+5+5 (хотя осциллограммы сняты, кажется, для 100+15+15), маленький 3+3+1

13003

Базовая цепочка подобрана так, чтобы схема устойчиво работала на малых токах. Защитный стабилитрон блокирован диодом, чтобы ускорить его запирание (в реальности он не работает, т.к. там 5 вольт). Диоды 1007 из энергосберегайки.Большие выбросы наблюдаются при больших токах

UPD схема исправлена

Изменено 27 июля, 2016 пользователем 8244

[J_Ohm]

[Григорий Т.]

Защитный стабилитрон блокирован диодом

По логике, оба нужно перевернуть.

[8244]

Григорий Т.: да, я ошибся, торопился. Исправил.

J_Ohm, я тоже сначала так думал, но смутило что в побратную сторону проходит такой большой заряд.

Причём, заметьте, транзистор не сильно насыщен: Ib = 0.22A, Ic=2.2A, т.е. 1:10, но и h21e ~ 10

А вот с другим трансформатором - здесь вообще площадь одинакова!

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Сейчас попробую порассуждать, почему это может быть так

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Как я понимаю конструкцию, и процессы в кристалле, а база она и есть основная масса кристалла, заряд в базе накапливается всегда в толще самой базы.

Светцов, Холодков, - Физическая электроника и электронные приборы. Учебное пособие, Иваново, Ивановский Физ-Тех, 2008

1. Когда транзистор не насыщен (т.е. потенциал коллектора выже чем базы), неосновные носители в области базы захватываются потенциалом коллектора, быстро проскакивают толщину кристалла, не накапливаясь, т.е. суммарный объёмный заряд в толще базы невелик.

2. В случае насыщения (потенциал коллектора равен или ниже базы) скорость движения неосновных носителей в коллектор уменьшается пропорционально уменьшению его потенциала, т.е. суммарный объёмный заряд базы растёт.

3. Неосновные носители в базу поступают из эмиттера (больше неоткуда), т.е. заряд в базе создаётся эмиттерным током, а не базовым.

Таким образом, возвращаясь к нашей схеме, на отрицательной полуволне через базовый вывод проходит заряд, который накопился в базе, но т.к. он создан эмиттерным током (в h21e раз большим), вообще говоря, он может быть не просто равен, а, в принципе, до h21e раз больше заряда, прошедшего в прямом направлении!

Правильно рассуждаю?

Меня смутил этот огромный обратный выброс, но теперь вроде всё согласуется с физикой работы транзистора.

Отсюда вывод: цепь смещения должна быть спроектирована таким образом, чтобы запирающий импульс базы позволял отвести заряд, равный или больше заряда, закачанного в базу прямым током

Что скажете?

----------------------------

//J_Ohm, очень информативно.

Изменено 27 июля, 2016 пользователем 8244

[J_Ohm]

С зарядом базы я, скорее всего, ошибся - упустил из виду, что выброс идет уже после переключения. - По крайней мере, - правая часть. Ее, вероятно, можно отнести к стабилитрону

Но надо заметить, что на эпюры тока управляющей цепи возможно накладывается еще сильное искажение...

... Картина была бы яснее, если добавить еще форму напряжения на коллекторе.

Изменено 27 июля, 2016 пользователем J_Ohm

[Vslz]

Токи баз биполяров хорошо наблюдаются в симуляторе. Как правило, амплитуда тока рассасывания неосновных носителей базы должна быть больше прямого тока базы в несколько раз, иначе время выключения транзистора станет слишком большим, вырастут переключательные потери. Ток коллектора обрывается сразу после окончания прохождения импульса тока рассасывания. Длительность импульса обратного тока базы в моём случае (MJE13007) - 420 нс, зависит от типа транзистора и тока коллектора. Амплитуда зависит от величины накопленного заряда базы, мощности предвыходного каскада и величины отрицательного смещения, которое определяется базовой цепочкой R-VD.

В реальной схеме не раз удавалось убедиться в соответствии формы сигнала напряжения симулируемым графикам, но шунта не ставил и тока не наблюдал.