AZee7787

Опознание микросхем, транзисторов и других р/деталей, устройств

8 102 сообщения в этой теме

Foton-4n    11

Смысл темы был утерян с переносом в связи в потерей заголовка. Я создавал тему про подобные повышалки но ни кто даже не слышал о таких 3-х выводных. Так вот мне попался живой пример такой микры. Кто знает что за микры то такие? Плиз NCP1402 и подобные не вспоминать.

ZXLD831 не когда не может быть похожа только из-за функциональной разницы.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
docent    0

Всем привет!Может кто знает схему этой микросборки?Хотелось бы определиться с этим компонентом. 

 

 

2018-01-11 22-33-02.JPG

2018-01-11 22-19-18.JPG

Изменено пользователем docent

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
KRAB    4 332

На форумах по ремонту - по-моему мелькала - ищи там ... а проще - универсальный ИИП поставить в ТВ.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Профан    23
11 час назад, docent сказал:

Всем привет!Может кто знает схему этой микросборки?Хотелось бы определиться с этим компонентом. 

Может поможет

http://www.radioradar.net/datasheet_search/S/D/H/SDH209B_ETC.pdf.html

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
docent    0
4 часа назад, Профан сказал:

Битая ссылка.Пишет 404.:wacko:

5 часов назад, KRAB сказал:

На форумах по ремонту - по-моему мелькала - ищи там ... а проще - универсальный ИИП поставить в ТВ.

Ещё проще новую купить,но за них много чё то просят сейчас.

На форумах официальные даташиты,а в них только позиционные схемы.Принципиалки именно сборки нема...:umnik2:

Мож кто ковырял эту сборку и схемка осталась.

Изменено пользователем docent

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Загрузка...
Haki    0

Новые смарт часы А1 с Алиэкспресс. Аккумулятор 3.7V, 380 mAh, вольтаж его зарядки 4.2V. При попытке зарядить часы зарядкой микро-USB на 5V и 2А "раздался легкий пшик" и запахло паленым из корпуса. Часы перестали заряжать аккумулятор, хотя и работают и включаются по-прежнему. На зарядку (эту и другие) не реагируют никак, а аккумулятор медленно разряжается. Другие смарт часы, планшеты и телефоны нормально заряжаются именно от этой зарядки. Осмотр с лупой показал, что аккумулятор вроде целый (пробовал вставлять другой такой же аккум и другие зарядки). Тестер показывает на клемма при вынутом аккумуляторе 2.6V. На плате обнаружил чуть оплавленный компонент (стрелка на фото). Обозначение на нем только Y2 - плохо видно из-за вспучивания. Похоже на стабилитрон, по соответствию обозначение вроде BZX84-C в корпусе SOT-23. Но они разные по вольтажу насколько я понимаю. Например BZX84-C4V3.215 подойдет? Есть еще BZX84-C12  и т.д...

Прошу помочь. Правильно ли я идентифицировал проблему и какой в итоге стабилитрон нужен для замены?

Фото Часы А1.JPG

Изменено пользователем Haki

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
docent    0

Всем привет и с Рождеством Христовым!

Подскажите плиз,кто в курсе,что это такое?Маркировка на ней такая:

F300

DBBS

546+

Само устройство-это платформа для подзарядки ЛИ батарейки.На него приходит питание 9В 1,2А, на выходе примерно  5В и 200-300мА.

 

 

 

2018-01-19 12-45-20.JPG

2018-01-19 12-47-06.JPG

2018-01-19 12-40-48.JPG

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
vg155    375
51 минуту назад, Алексей123 сказал:

что это за чудо лампа

Индикаторную напоминает. Что, совсем без названия?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Falconist    4 854

Похожа на низкочастотный кварц. Где-то на единицы кГц. Если присмотреться - всего два вывода на 4 активных ножки.

Были у меня похожие, но с другой формой резонатора.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Гость ГОСТ   
Гость ГОСТ

ИК нагреватель. 

Ток жрёт прилично. 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
vg155    375

@Алексей123 эти полоски внутри колбы, пластины что ли? Тогда доктор, пожалуй прав, НЧ резонатор, скорее буржуйский. Собрать генератор и проверить.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Falconist    4 854
1 час назад, vg155 сказал:

скорее буржуйский

С точностью до наоборот. Наш, родимый. 

Цитата

Да здравствуют советские транзисторы, самые большие транзисторы в мире!

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах

Добрый день товарищи! помогите пожалуйста определиться с 1 схемой! попала она мне в руки почти случайно, предполагается, что это блок НЧ усилителя с радиотелефона "Алтай" , гугл внятных ответов не дает, даташит с схемой к алтаю отличаются от схемы. Меня собсно терзает вопрос как это чудо подключать? В сети было предположение что это схема на комплиментарной паре с общим эмиттером, нагрузку соответственно подключать надобно с выхода объединенных коллекторов двухполярное, ну а входной сигнал подавать на 3 пин микросхемы предусилителя К157уд на его 3 пин... вроде все просто... но по схеме радиотелефона во первых 4 вывода блока(у меня их  там !восемЬЬ!!) во вторых питание там считается однополярным 12 В, в третьих на некоторые выводы предусилителя, в том числе и неинвертирующий вход 3 пина идет черте что и сбоку бантик! и на инвертирующий вход(4 вроде) что-то какая-то дорожка идет... каких то еще там бонусов в виде транзисторов понавороченно, в общем все эти чудейса меня смущают,

и вроде бы подсоединил и смотри и в тоже время по глупости спалить жалко...

единственный пин со входа который вызывает у мен уверенность- это третий(на фото их пронумеровал)-он висит в воздухе... по остальным.... 4 пин входа я так подозреваю будет плюсом, 2 пин -земля, 3 пин не используется, 1 пин, который "бочком" стоит... вот фиг его знает- если питание 2 полярка то подозреваю его минусом... 5 или 7 пины- возможно входы... а вот ху из кто и откуда снимать сигнал на выходе... в общем хочу многоуважаемые господа услышать ваше мнение по этому поводу

Скрытый текст

 плата с лицевой стороны

20180119_000514   2.jpg

 

 

и с "изнанки"

 

20180119_000500   2.jpg

Изменено пользователем megauserr895877
фотки не влезли в скрытый текст

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Falconist    4 854

Ну, так конструкции ж разные были. Даже вот, по Вашей ссылке с плоским кристаллом:

quartz_97_065k_1.jpg

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Hambaker    3 528

Действительно не похоже на кварц..При внимательном разглядывании видна токопроводящая (ИМХО) дорожка на подложке.Как будто резистор по технологии толстоплёночных ИС.Может действительно прецизионник калибровочный или датчик какой-нибудь?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах

Мне все таки кажется что это какой то датчик. Потому что лампа эта была в футляре (корпусе) с вырезом

2018-01-20-3301.jpg от лампы шли 2 провода. 

 

2018-01-20-3303.jpg

Изменено пользователем Алексей123
дополнение

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Профан    23

Доброго всем времени суток. Подскажите пожалуйста,в наличии транзисторы(ТО-92) сверху одна красная точка. По справочникам кт368.Но сзади ,противоположной стороне от среза ,зеленая точка.Одна. Что за он?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
KRAB    4 332
50 минут назад, Профан сказал:

думал 368-е нашел.Последнее время в городе напряженка с ними.

и таких нет: KTC9018 (2SC9018),  ? ---

 

https://www.google.com.ua/search?q=C9018&ie=utf-8&oe=utf-8&client=firefox-b-ab&gfe_rd=cr&dcr=0&ei=ut1kWtvUELLL8gfosI-IDg

 

валом их в разборке ... :)

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Профан    23
1 час назад, KRAB сказал:

2SC9018

Такие есть)))).Но 368-е лучше.Проверено.

У нас ЛА7 продают за 1$. А цена ей копейка.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах

Ваша публикация должна быть проверена модератором

Гость
Вы не авторизованы. Если у вас есть аккаунт, пожалуйста, войдите.
Ответить в тему...

×   Вставлено в виде отформатированного текста.   Восстановить форматирование

  Разрешено не более 75 смайлов.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отобразить как ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставить изображения напрямую. Загрузите или вставьте изображения по ссылке.

Загрузка...

  • Похожие публикации

    • Автор: radio.elektronik
      Принцип работы транзистора.

      Самый главный вопрос, который содействовал созданию физики полупроводников это «каков принцип работы транзистора, как усилительного электронного прибора?». Создателям транзистора пришлось изобрести теорию, в которой выходной ток транзистора увеличивался при поступлении на базу тока в отрицательной полярности. Ответить на этот вопрос без применения термодинамической теории было просто невозможно. Тогда были изобретены «дырки» - ток электронов в валентной зоне. Подвижность «дырок» научились измерять… И было придумано много такого, благодаря чему сегодня мы должны создавать физику полупроводников с нуля. Зонная теория, правда пока никуда не ушла. Но, судя по тому как она смело обошлась с валентными электронами, наверное следует пересмотреть и её. Квантовая теория к физике полупроводников вообще никакого отношения не имеет. Так, как квантовую теорию разрабатывали в начале прошлого века, когда плохо была разработана термодинамика ( отсутствовала теория теплового заряда ), то сегодня она тоже нуждается в пересмотре, а главное в ограничении действия квантовых условий. Теория квантов применима, там, где атом излучает световую волну. Такое явление возникает в светодиодах и полупроводниковых лазерах. Несмотря на это, термодинамика явлений в этих приборах должна быть изучена.

      Существующее сегодня ( в официальной физике ) объяснение работы биполярного транзистора:
      Принцип работы биполярного транзистора
      http://electroandi.ru/elektronika/printsip-raboty-bipolyarnogo-tranzistora.html
      https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор

      Итак, главный вопрос - «каков принцип работы транзистора, как усилительного электронного прибора?» - должен изменить физику полупроводников.
      У полупроводниковых элементов Пельтье, которые тоже имеют PN-переходы,  энергообмен ( влияние тепла) неплохо изучен.
      Элемент Пельтье
      https://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/418212

      Почему же полупроводниковый диод остался без термодинамики (термоэлектроники)?

      Сначала изложим правила, по которым происходит энергообмен в PN-переходах.
      Правила:

      1. Вход энергии в PN-переход. ( Эффект Зеебека )
      1.1. Если в PN-переход поступает тепловая энергия в виде эстафетного тока электронов, то она преобразуется в ЭДС на PN-переходе. При этом эстафетный ток преобразуется в инжекционный ток. Инжекционный ток имеет тепловую природу, поэтому не управляется по законам Киргофа.
      1.2. Если входящая энергия создала ЭДС, то эта ЭДС создаёт в PN-переходе прямой ток, по величине этот ток определяется Вольт-Амперной характеристикой соответствующего PN-перехода.

      2. Выход энергии из PN- перехода. ( Тепловой эффект Пельтье. )
      2.1. Если через PN-переход пропускать прямой ток, то на PN-переходе создаётся разность потенциалов ( ЭДС ) согласно Вольт-Амперной характеристики этого перехода. При этом, электроны, проходящие через PN-переход в прямом направлении выделяют тепловую энергию. Процесс выделения тепла определяется сопротивлением Rd.
      2.2. Если вблизи нет соседних PN-переходов ( потенциальных барьеров ), то энергия из PN- перехода выходит посредством эстафетных движений (токов) электронов – что соответствует теплопередаче.
      Если поблизости от выделяющего энергию PN-перехода находиться другой PN-переход, то он создаёт потенциальную яму – отбирает у эстафеты электрон для заполнения своего скрытого электрического барьера, тем самым превращает эстафетный ток в инжекционный. Как уже говорилось, инжекционный ток имеет тепловую природу и не подчиняется законам Киргофа.

      3. Вход энергии в запертый PN-переход. (Холодильный эффект Пельтье.)
      3.1. Энергия, входящая в запертый PN-переход способна реализовать электронное управление. При входе энергии в запертый PN-переход, сам PN-переход начинает работать сразу в 2-х режимах.
      В нём создаётся ЭДС и протекает прямой ток, сгласно поступившей энергии. (Эффект Зеебека.) Инжекционный ток несёт с собой тепловую энергию. Эта тепловая энергия поглощается в запертом PN-переходе и через переход совместно с прямым током протекает и обратный ток, равный по величине прямому току – это соответствует холодильному эффекту Пельтье. Величина ЭДС устанавливается согласно эмиссионному уравнению для прямого тока PN-перехода, и дополнительно она складывается с разностью потенциалов, создаваемой обратным током.
      3.2. Кроме энергии электронного управления, запертый PN-переход перехватывает все возможные другие поступающие энергии. В эти энергии входят следующие:
      - энергия световых волн.
      - энергия тепла.(Локальное тепло относительно температуры окружающей среды. )
      - энергия тепла, возникающая при протекании электрического тока, при конвертировании энергии источника в тепло – это соответствует закону Джоуля-Ленца.
      - энергия обратного напряжения. ( Подобное явление – это эффект Эрли.)
      Все эти энергии участвуют в процессе управления обратным током.

      Схема с общей базой.

      Рассмотрим работу транзистора как термодинамического электронного прибора в схеме с Общей Базой.
      Работу рассмотрим поэтапно, исследуя во времени 4 момента. Такое рассмотрение удобно для понимания термодинамического принципа работы транзистора. На самом деле – в реальности – транзистор включается в работу мгновенно. Итак, 4 момента во времени.

      Рис. 1. Момент 1.
      Момент 1. Включение цепи. Токи ещё не начались. Здесь на рисунке, транзистор показан в виде 3-х областей NPN, Rвх – входное сопротивление, принадлежащее цепи входного сигнала, Rн – сопротивление нагрузки ( или сопротивление для измерения токов коллектора ), Eб – источник напряжения, представляющий из себя входной сигнал. Eк – батарея цепи коллектора. Полярности включения Eб и Eк отмечены знаками «+» и «-».

      Рис. 2. Момент 2.
      Момент 2. Через переход База-Эмиттер протекает входной ток. В переходе База-Эмиттер возникает выход тепловой энергии в виде эстафетного тока электронов – обозначен сиреневыми двунаправленными стрелками. Эстафетный ток электронов возникает в том случае, если есть градиент температуры и происходит процесс теплопередачи. В данном случае переход База-Эмиттер теплее холодной потенциальной ямы перехода Коллектор-База. Вольтметр В1, подключенный к переходу База-Эмиттер показывает разность потенциалов (ЭДС), согласно Вольт-Амперной характеристики перехода. В PN- переходе База-Эмиттер протекает прямой ток, обозначенный синими стрелками.

      Рис. 3. Момент 3.
      Момент 3. Эстафетный ток достиг потенциальной ямы – перехода База-Коллектор. У перехода База-Коллектор есть скрытый электрический барьер, который отрывает электрон от эстафеты, заряжая тем самым барьер. В результате постоянного отрыва последнего электрона ( достигшего перехода База-Коллектор ), эстафетный ток преобразуется в инжекционный, направленный от перехода База-Эмиттер в сторону перехода База-Коллектор. Инжекционный ток имеет термодинамическую природу.
      Скрытый электрический барьер перехода База-Коллектор начинает заряжаться, в переходе База-Коллектор возникает ЭДС ( измеряется вольтметром В2 ). Соответственно этой ЭДС, согласно эмиссионному уравнению перехода База-Коллектор, через переход База-Коллектор протекает прямой ток – на схеме обозначен синими стрелками.

      Рис. 4. Момент 4.
      Момент 4. Электроны инжекционного тока приносят в переход энергию. Через PN-переход База-Коллектор начинает протекать обратный ток, согласно холодильному эффекту Пельтье. Величина обратного тока зависит от полученной энергии от перехода База-Эмиттер. Поэтому ток коллектора Ik не превышает Ib. Энергия, забираемая от перехода База-Эмиттер определяется некоторым резистором Rd.
      Вольтметр В2 показывает уже не ЭДС в чистом виде, некую сумму этой ЭДС и разности потенциалов, создаваемой обратным током. ЭДС прямого тока перехода База-Коллектор существует, и ток коллектора Ik без неё был бы невозможен. Усилитель по схеме с общей базой работает! Если к коллектору приложить высокое напряжение (порядка 100 Вольт для кремниевых транзисторов), то это напряжение не попадёт на вывод эмиттера, по той простой причине, что у инжекционного тока природа – термодинамическая. Электроны инжекционного тока движутся в сторону коллектора из-за явления теплопередачи! Высокое напряжение коллектора не может повернуть их назад, так, как контуры тока – входного и выходного - ( по закону Киргофа для электрических цепей ) разорваны.

      При изготовлении транзистора, переход База-Коллектор делается более чувствительным к энергии, а значит – более управляемым. Для перехода База-Коллектор параметр TF значительно выше, чем для перехода База-Эмиттер. Например, для транзистора КТ312В для перехода База-Эмиттер TF = 550 Кельвин, для перехода База-Коллектор TF = 843 Кельвин.
      Если у батареи Eк поменять полярность и тем самым создать прямой ток в переходе База-Коллектор, то возникает процесс, когда оба перехода транзистора будут выделять тепловую энергию. Согласно термодинамике, эстафетный ток электронов возникнет при различном нагреве этих переходов. Передача энергии при этом будет осуществляться методом уравнивания термического заряда (это принцип теплопередачи), от горячего объекта к более холодному. В данном случае, более горячим объектом окажется коллектор ( TF определяет более тёплый переход, при одинаковых приложенных напряжениях, для КТ 312В: 843К > 550К). Эстафетный ток двинется к эмиттеру и превратиться в инжекционный. После чего к ЭДС эмиттера добавиться разность потенциалов – в результате теплового инжекционного тока несущего энергию от перехода База-Коллектор.
      Если увеличивать ток в переходе База-Коллектор, ЭДС в переходе База-Эмиттер будет увеличиваться. Этот процесс будет выглядеть как смещение Вольт-Амперной характеристики перехода База-Эмиттер в сторону более больших напряжений.
      Из-за параметров своего эмиссионного уравнения, переход База-Коллектор обладает более смещающим действием на Вольт-Амперную характеристику перехода База-Эмиттер.

      Точно также объясняется работа схемы с общей базы транзистора PNP- типа. Для инжекционного тока важно наличие горячего и холодного PN- переходов. А направление его движения определяется разностью их температур.
      Не нужны такие фикции как «дырка» и «дырочная проводимость», когда явление электронного управления возможно объяснить с помощью понятия теплопередачи, посредством эстафетных и инжекционных токов, с позиций термодинамики.

      Схема с общим эмиттером.


       Так, как тепловой ток (ему соответствует параметр – мощность, или по другому – входной энергетический сигнал) управляет закрытым переходом, то в схеме с общим эмиттером между переходами возникает многократное отражение этого сигнала. Оба перехода играют роль зеркал, а кратность отражения соответствует коэффициенту β. Как известно, β изменяется в зависимости от протекающего тока (эффект Кирка).

      Рассмотрим работу схемы с общим эмиттером, применяя метод остановки времени – с помощью временных моментов.

      Рис. 1. Момент 1.
      Момент 1. Включение цепи. Токи ещё не начались. Здесь на рисунке, транзистор показан в виде 3-х областей NPN, Rвх – входное сопротивление, принадлежащее цепи входного сигнала, Rн – сопротивление нагрузки ( или сопротивление для измерения токов коллектора ), Eб – источник напряжения, представляющий из себя входной сигнал. Eк – батарея цепи коллектора. Полярности включения Eб и Eк отмечены знаками «+» и «-».

      Рис. 2. Момент 2.

      Момент 2. Через переход протекает ток входного сигнала. Возникает выход из перехода База-Эмиттер тепловой энергии. Возникает явление теплопередачи посредством эстафетного тока электронов. На рисунке 20 эстафетный ток обозначен двунаправленными стрелками фиолетового цвета. В переходе База-Эмиттер возникает ЭДС, согласно Вольт-Амперной характеристики. Синими стрелками в переходе База-Эмиттер обозначен прямой ток.
      О величине Ib и процессе многократных отражений:
      Первоначально величина Ib имеет максимальную величину, но с каждым последующим отражением величина этого тока будет уменьшаться… Если на вход входной сигнал подаётся через стабилизатор тока, то с каждым последующим процессом отражения возникает явление смещения входной характеристики в сторону более больших напряжений, что как раз и показывает уменьшение величины Ib.

      Рис. 3. Момент 3.
      Момент 3. Эстафетный ток достиг потенциальной ямы PN-перехода База-Коллектор. Электрон эстафетного тока, достигший перехода База-Коллектор отрывается электрическим барьером этого перехода и идёт на создание ЭДС этого перехода. Из-за этого эстафетный ток преобразуется в инжекционный. Но природа этого тока осталась прежней – это явление теплопередачи. Запертый переход База-Коллектор является холодным ( холодильный эффект Пельтье ), а переход База-Эмиттер является горячим (тепловой эффект Пельтье).
      Скрытый электрический барьер перехода База-Коллектор начинает заряжаться. Возникает ЭДС. Соответственно этой ЭДС, согласно Вольт-Амперной характеристике перехода База-Коллектор, через переход База-Коллектор протекает прямой ток – обозначен синими стрелками.

      Рис. 4. Момент 4.
      Момент 4. Первое зеркальное отражение. Закрытый переход База-Эмиттер получает энергию от перехода База-Эмиттер посредством инжекционного тока. Холодильный эффект Пельтье срабатывает и начинает течь ток коллектора Ik. Его можно назвать 1-м зеркальным отражением, потому что, ему предстоит пересечь переход База-Эмиттер в прямом направлении, что вызовет увеличение инжекционного тока – на рисунке 22 это показано как сумма инжекционных токов E1+E2. Следующим шагом будет прибавление к току коллектора ещё одной его порции – второе зеркальное отражение.

      Итак, коллекторный ток становиться источником выброса добавочной энергии, выражающейся в инжекционном токе E2. Этот выброс должен далее создать второе зеркальное отражение, то есть прибавку (удвоение ) тока коллектора.

      После будет утроение коллекторного тока, после ток возрастёт в 4 раза…
      Такой процесс отражений происходит β раз. Казалось бы умножению не будет конца, но существует процесс, ограничивающий β. Это как раз процесс выделения тепла в переходе База-Эмиттер. Процесс выделения тепла определяется резистором Rd, который вносит отрицательную обратную связь для тока База-Эмиттер. Этот процесс сопровождается смещением входной характеристики, и тем самым уменьшением порции входного тока Ib.
      Процессы положительной обратной связи (ПОС) и отрицательной обратной связи (ООС) уравновешиваются при β равном 100 – 300 раз.
      Кольцо ООС ограничивает количество отражений до β раз.
      Если процесс многократных отражений превысит процесс ограничения, то на выходной Вольт-Амперной характеристики транзистора образуется S-образный участок, говорящий о существовании ПОС. Такой режим возникает у германиевых транзисторов при малых токах базы ( 1- 10 мкА), при больших ( порядка 10 Вольт ) коллекторных напряжениях. Такие же процессы, приводящие к образованию S-образной характеристики, происходят при работе динисторов и тиристоров.

      Объяснение работы биполярного транзистора дано с учётом термодинамики (термоэлектроники).

      Источник:
      Принцип работы транзистора
      https://my.mail.ru/community/blog.physics/60DED587A8C5F9E0.html
      Валерий Багницкий,
      07-06-2011
      Инжекционного в кавычках. Инжекционный ток - это тепловой ток, посредством электронов.
    • Автор: Сибирский кот
      Здравствуйте! Прошу вас не особо критикуйте меня,что я иногда пишу с ошибками (инвалид по слуху). И впервые зашел здесь! Я хотел сделать для своей лаборатории широкодиапазонный генератор сигналов из журнала Радио №4 1988 года,но возникла проблема с приобретением микросхемы. Микросхема К574уд1б нереально найти даже в Иркутской области (обыскал все радиомагазины в Иркутске и в Братске и пробовал в объявлении). Нет желания заказать в интернете радиодеталей из-за дороговизны(дешевле заказать в алиэкспрессе,но там нет аналога). Возможен ли заменить К574УД1Б на КР574УД1А в данной схеме генератора?

    • Автор: Artem Yurchenko
      Всем доброго времени суток. Есть две колонки со штекером мини джек. Есть к этим колонкам саб, в котором стоит усилитель и т.д. Хочу напрямую к плате припаять mini jack для дальнейшего подключения к компьютеру. Сам комплект старый, есть два гнезда для подключения микрофона и телефона (тоже мини джек).Больше входов нет. С паяльником начал обращаться примерно месяц назад, в таких сложных схемах ничего не знаю. Спасибо за советы. Могу прикрепить фото.
    • Автор: Zheka424
      Нигде не могу найти ни схему, ни фото платы укачивающий центра Graco. Перегорела штуковина на U2. Возили в ремонт, но там сказали, что они не знают что это и чинить не будут.




    • Автор: andre40
      Большой привет!
      На картинке из даташита LM317 указаны два транзистора - TIP73 и 2N2905. Кто в теме, скажите, пожалуйста, какими из отечественных их можно заменить? Если это вообще возможно, конечно. Спасибо!

  • Сообщения

    • 1. Чип и дип и даже Фарнелл не являются производителями, поэтому пользоваться их базами даташитов чревато потерей времени и средств. Черпайте информацию у производителя. 2. Вы наверное и отвертку не купите, чтобы закрутить пяток шурупов. Будете мучиться с кухонным ножом.  3. "Скупой платит дважды, глупый - трижды, а лох - всю жизнь." (с)  4. Программатор сам по себе не работает. Ему требуется оболочка для ПК. Вы и ее будете сами писать? 
    • пока их неисправность даже не доказана.   а зуб заболит? Тоже на форум? эта тема ни о чем!
    • DesAlex, стаб такой же, но я попробую заменить. Мне непонятно одно - смещение частоты Тх. Было 8200Гц, а теперь находит 8560Гц. Уже всю плату перерыл, но всё тщетно :-(
    • Для обмена не требуется. Рекомендуется для паразитного питания.
    • radio.elektronik  вам бы географию за 6 класс  перечитать надобно! 
    • получаетсо что D класс в плане питания ни чем не отличаетсо от АВ.... ну хоть греетсо меньше   
    • Принцип работы транзистора.

      Самый главный вопрос, который содействовал созданию физики полупроводников это «каков принцип работы транзистора, как усилительного электронного прибора?». Создателям транзистора пришлось изобрести теорию, в которой выходной ток транзистора увеличивался при поступлении на базу тока в отрицательной полярности. Ответить на этот вопрос без применения термодинамической теории было просто невозможно. Тогда были изобретены «дырки» - ток электронов в валентной зоне. Подвижность «дырок» научились измерять… И было придумано много такого, благодаря чему сегодня мы должны создавать физику полупроводников с нуля. Зонная теория, правда пока никуда не ушла. Но, судя по тому как она смело обошлась с валентными электронами, наверное следует пересмотреть и её. Квантовая теория к физике полупроводников вообще никакого отношения не имеет. Так, как квантовую теорию разрабатывали в начале прошлого века, когда плохо была разработана термодинамика ( отсутствовала теория теплового заряда ), то сегодня она тоже нуждается в пересмотре, а главное в ограничении действия квантовых условий. Теория квантов применима, там, где атом излучает световую волну. Такое явление возникает в светодиодах и полупроводниковых лазерах. Несмотря на это, термодинамика явлений в этих приборах должна быть изучена.

      Существующее сегодня ( в официальной физике ) объяснение работы биполярного транзистора:
      Принцип работы биполярного транзистора
      http://electroandi.ru/elektronika/printsip-raboty-bipolyarnogo-tranzistora.html https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор
      Итак, главный вопрос - «каков принцип работы транзистора, как усилительного электронного прибора?» - должен изменить физику полупроводников.
      У полупроводниковых элементов Пельтье, которые тоже имеют PN-переходы,  энергообмен ( влияние тепла) неплохо изучен.
      Элемент Пельтье https://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/418212
      Почему же полупроводниковый диод остался без термодинамики (термоэлектроники)?

      Сначала изложим правила, по которым происходит энергообмен в PN-переходах.
      Правила:

      1. Вход энергии в PN-переход. ( Эффект Зеебека )
      1.1. Если в PN-переход поступает тепловая энергия в виде эстафетного тока электронов, то она преобразуется в ЭДС на PN-переходе. При этом эстафетный ток преобразуется в инжекционный ток. Инжекционный ток имеет тепловую природу, поэтому не управляется по законам Киргофа.
      1.2. Если входящая энергия создала ЭДС, то эта ЭДС создаёт в PN-переходе прямой ток, по величине этот ток определяется Вольт-Амперной характеристикой соответствующего PN-перехода.

      2. Выход энергии из PN- перехода. ( Тепловой эффект Пельтье. )
      2.1. Если через PN-переход пропускать прямой ток, то на PN-переходе создаётся разность потенциалов ( ЭДС ) согласно Вольт-Амперной характеристики этого перехода. При этом, электроны, проходящие через PN-переход в прямом направлении выделяют тепловую энергию. Процесс выделения тепла определяется сопротивлением Rd.
      2.2. Если вблизи нет соседних PN-переходов ( потенциальных барьеров ), то энергия из PN- перехода выходит посредством эстафетных движений (токов) электронов – что соответствует теплопередаче.
      Если поблизости от выделяющего энергию PN-перехода находиться другой PN-переход, то он создаёт потенциальную яму – отбирает у эстафеты электрон для заполнения своего скрытого электрического барьера, тем самым превращает эстафетный ток в инжекционный. Как уже говорилось, инжекционный ток имеет тепловую природу и не подчиняется законам Киргофа.

      3. Вход энергии в запертый PN-переход. (Холодильный эффект Пельтье.)
      3.1. Энергия, входящая в запертый PN-переход способна реализовать электронное управление. При входе энергии в запертый PN-переход, сам PN-переход начинает работать сразу в 2-х режимах.
      В нём создаётся ЭДС и протекает прямой ток, сгласно поступившей энергии. (Эффект Зеебека.) Инжекционный ток несёт с собой тепловую энергию. Эта тепловая энергия поглощается в запертом PN-переходе и через переход совместно с прямым током протекает и обратный ток, равный по величине прямому току – это соответствует холодильному эффекту Пельтье. Величина ЭДС устанавливается согласно эмиссионному уравнению для прямого тока PN-перехода, и дополнительно она складывается с разностью потенциалов, создаваемой обратным током.
      3.2. Кроме энергии электронного управления, запертый PN-переход перехватывает все возможные другие поступающие энергии. В эти энергии входят следующие:
      - энергия световых волн.
      - энергия тепла.(Локальное тепло относительно температуры окружающей среды. )
      - энергия тепла, возникающая при протекании электрического тока, при конвертировании энергии источника в тепло – это соответствует закону Джоуля-Ленца.
      - энергия обратного напряжения. ( Подобное явление – это эффект Эрли.)
      Все эти энергии участвуют в процессе управления обратным током.

      Схема с общей базой.

      Рассмотрим работу транзистора как термодинамического электронного прибора в схеме с Общей Базой.
      Работу рассмотрим поэтапно, исследуя во времени 4 момента. Такое рассмотрение удобно для понимания термодинамического принципа работы транзистора. На самом деле – в реальности – транзистор включается в работу мгновенно. Итак, 4 момента во времени. Рис. 1. Момент 1.
      Момент 1. Включение цепи. Токи ещё не начались. Здесь на рисунке, транзистор показан в виде 3-х областей NPN, Rвх – входное сопротивление, принадлежащее цепи входного сигнала, Rн – сопротивление нагрузки ( или сопротивление для измерения токов коллектора ), Eб – источник напряжения, представляющий из себя входной сигнал. Eк – батарея цепи коллектора. Полярности включения Eб и Eк отмечены знаками «+» и «-». Рис. 2. Момент 2.
      Момент 2. Через переход База-Эмиттер протекает входной ток. В переходе База-Эмиттер возникает выход тепловой энергии в виде эстафетного тока электронов – обозначен сиреневыми двунаправленными стрелками. Эстафетный ток электронов возникает в том случае, если есть градиент температуры и происходит процесс теплопередачи. В данном случае переход База-Эмиттер теплее холодной потенциальной ямы перехода Коллектор-База. Вольтметр В1, подключенный к переходу База-Эмиттер показывает разность потенциалов (ЭДС), согласно Вольт-Амперной характеристики перехода. В PN- переходе База-Эмиттер протекает прямой ток, обозначенный синими стрелками. Рис. 3. Момент 3.
      Момент 3. Эстафетный ток достиг потенциальной ямы – перехода База-Коллектор. У перехода База-Коллектор есть скрытый электрический барьер, который отрывает электрон от эстафеты, заряжая тем самым барьер. В результате постоянного отрыва последнего электрона ( достигшего перехода База-Коллектор ), эстафетный ток преобразуется в инжекционный, направленный от перехода База-Эмиттер в сторону перехода База-Коллектор. Инжекционный ток имеет термодинамическую природу.
      Скрытый электрический барьер перехода База-Коллектор начинает заряжаться, в переходе База-Коллектор возникает ЭДС ( измеряется вольтметром В2 ). Соответственно этой ЭДС, согласно эмиссионному уравнению перехода База-Коллектор, через переход База-Коллектор протекает прямой ток – на схеме обозначен синими стрелками. Рис. 4. Момент 4.
      Момент 4. Электроны инжекционного тока приносят в переход энергию. Через PN-переход База-Коллектор начинает протекать обратный ток, согласно холодильному эффекту Пельтье. Величина обратного тока зависит от полученной энергии от перехода База-Эмиттер. Поэтому ток коллектора Ik не превышает Ib. Энергия, забираемая от перехода База-Эмиттер определяется некоторым резистором Rd.
      Вольтметр В2 показывает уже не ЭДС в чистом виде, некую сумму этой ЭДС и разности потенциалов, создаваемой обратным током. ЭДС прямого тока перехода База-Коллектор существует, и ток коллектора Ik без неё был бы невозможен. Усилитель по схеме с общей базой работает! Если к коллектору приложить высокое напряжение (порядка 100 Вольт для кремниевых транзисторов), то это напряжение не попадёт на вывод эмиттера, по той простой причине, что у инжекционного тока природа – термодинамическая. Электроны инжекционного тока движутся в сторону коллектора из-за явления теплопередачи! Высокое напряжение коллектора не может повернуть их назад, так, как контуры тока – входного и выходного - ( по закону Киргофа для электрических цепей ) разорваны.

      При изготовлении транзистора, переход База-Коллектор делается более чувствительным к энергии, а значит – более управляемым. Для перехода База-Коллектор параметр TF значительно выше, чем для перехода База-Эмиттер. Например, для транзистора КТ312В для перехода База-Эмиттер TF = 550 Кельвин, для перехода База-Коллектор TF = 843 Кельвин.
      Если у батареи Eк поменять полярность и тем самым создать прямой ток в переходе База-Коллектор, то возникает процесс, когда оба перехода транзистора будут выделять тепловую энергию. Согласно термодинамике, эстафетный ток электронов возникнет при различном нагреве этих переходов. Передача энергии при этом будет осуществляться методом уравнивания термического заряда (это принцип теплопередачи), от горячего объекта к более холодному. В данном случае, более горячим объектом окажется коллектор ( TF определяет более тёплый переход, при одинаковых приложенных напряжениях, для КТ 312В: 843К > 550К). Эстафетный ток двинется к эмиттеру и превратиться в инжекционный. После чего к ЭДС эмиттера добавиться разность потенциалов – в результате теплового инжекционного тока несущего энергию от перехода База-Коллектор.
      Если увеличивать ток в переходе База-Коллектор, ЭДС в переходе База-Эмиттер будет увеличиваться. Этот процесс будет выглядеть как смещение Вольт-Амперной характеристики перехода База-Эмиттер в сторону более больших напряжений.
      Из-за параметров своего эмиссионного уравнения, переход База-Коллектор обладает более смещающим действием на Вольт-Амперную характеристику перехода База-Эмиттер.

      Точно также объясняется работа схемы с общей базы транзистора PNP- типа. Для инжекционного тока важно наличие горячего и холодного PN- переходов. А направление его движения определяется разностью их температур.
      Не нужны такие фикции как «дырка» и «дырочная проводимость», когда явление электронного управления возможно объяснить с помощью понятия теплопередачи, посредством эстафетных и инжекционных токов, с позиций термодинамики.

      Схема с общим эмиттером.


       Так, как тепловой ток (ему соответствует параметр – мощность, или по другому – входной энергетический сигнал) управляет закрытым переходом, то в схеме с общим эмиттером между переходами возникает многократное отражение этого сигнала. Оба перехода играют роль зеркал, а кратность отражения соответствует коэффициенту β. Как известно, β изменяется в зависимости от протекающего тока (эффект Кирка).

      Рассмотрим работу схемы с общим эмиттером, применяя метод остановки времени – с помощью временных моментов.
      Рис. 1. Момент 1.
      Момент 1. Включение цепи. Токи ещё не начались. Здесь на рисунке, транзистор показан в виде 3-х областей NPN, Rвх – входное сопротивление, принадлежащее цепи входного сигнала, Rн – сопротивление нагрузки ( или сопротивление для измерения токов коллектора ), Eб – источник напряжения, представляющий из себя входной сигнал. Eк – батарея цепи коллектора. Полярности включения Eб и Eк отмечены знаками «+» и «-». Рис. 2. Момент 2.

      Момент 2. Через переход протекает ток входного сигнала. Возникает выход из перехода База-Эмиттер тепловой энергии. Возникает явление теплопередачи посредством эстафетного тока электронов. На рисунке 20 эстафетный ток обозначен двунаправленными стрелками фиолетового цвета. В переходе База-Эмиттер возникает ЭДС, согласно Вольт-Амперной характеристики. Синими стрелками в переходе База-Эмиттер обозначен прямой ток.
      О величине Ib и процессе многократных отражений:
      Первоначально величина Ib имеет максимальную величину, но с каждым последующим отражением величина этого тока будет уменьшаться… Если на вход входной сигнал подаётся через стабилизатор тока, то с каждым последующим процессом отражения возникает явление смещения входной характеристики в сторону более больших напряжений, что как раз и показывает уменьшение величины Ib. Рис. 3. Момент 3.
      Момент 3. Эстафетный ток достиг потенциальной ямы PN-перехода База-Коллектор. Электрон эстафетного тока, достигший перехода База-Коллектор отрывается электрическим барьером этого перехода и идёт на создание ЭДС этого перехода. Из-за этого эстафетный ток преобразуется в инжекционный. Но природа этого тока осталась прежней – это явление теплопередачи. Запертый переход База-Коллектор является холодным ( холодильный эффект Пельтье ), а переход База-Эмиттер является горячим (тепловой эффект Пельтье).
      Скрытый электрический барьер перехода База-Коллектор начинает заряжаться. Возникает ЭДС. Соответственно этой ЭДС, согласно Вольт-Амперной характеристике перехода База-Коллектор, через переход База-Коллектор протекает прямой ток – обозначен синими стрелками. Рис. 4. Момент 4.
      Момент 4. Первое зеркальное отражение. Закрытый переход База-Эмиттер получает энергию от перехода База-Эмиттер посредством инжекционного тока. Холодильный эффект Пельтье срабатывает и начинает течь ток коллектора Ik. Его можно назвать 1-м зеркальным отражением, потому что, ему предстоит пересечь переход База-Эмиттер в прямом направлении, что вызовет увеличение инжекционного тока – на рисунке 22 это показано как сумма инжекционных токов E1+E2. Следующим шагом будет прибавление к току коллектора ещё одной его порции – второе зеркальное отражение.

      Итак, коллекторный ток становиться источником выброса добавочной энергии, выражающейся в инжекционном токе E2. Этот выброс должен далее создать второе зеркальное отражение, то есть прибавку (удвоение ) тока коллектора.

      После будет утроение коллекторного тока, после ток возрастёт в 4 раза…
      Такой процесс отражений происходит β раз. Казалось бы умножению не будет конца, но существует процесс, ограничивающий β. Это как раз процесс выделения тепла в переходе База-Эмиттер. Процесс выделения тепла определяется резистором Rd, который вносит отрицательную обратную связь для тока База-Эмиттер. Этот процесс сопровождается смещением входной характеристики, и тем самым уменьшением порции входного тока Ib.
      Процессы положительной обратной связи (ПОС) и отрицательной обратной связи (ООС) уравновешиваются при β равном 100 – 300 раз.
      Кольцо ООС ограничивает количество отражений до β раз.
      Если процесс многократных отражений превысит процесс ограничения, то на выходной Вольт-Амперной характеристики транзистора образуется S-образный участок, говорящий о существовании ПОС. Такой режим возникает у германиевых транзисторов при малых токах базы ( 1- 10 мкА), при больших ( порядка 10 Вольт ) коллекторных напряжениях. Такие же процессы, приводящие к образованию S-образной характеристики, происходят при работе динисторов и тиристоров.

      Объяснение работы биполярного транзистора дано с учётом термодинамики (термоэлектроники).

      Источник:
      Принцип работы транзистора
      https://my.mail.ru/community/blog.physics/60DED587A8C5F9E0.html
      Валерий Багницкий,
      07-06-2011 Инжекционного в кавычках. Инжекционный ток - это тепловой ток, посредством электронов.