Возможности TL494 повышаем качество сигнала, самого шима.

[Григорий Т.]

11 минуту назад, sonyyy сказал:

Лучше конкретно чем помогли

Вам и помогают, указывая на возможные подводные камни. Но раз у вас и так всё получается, бог в помощь. 

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[Metron]

а зачем автор темы смотрит картинки с 494 на частотах более 50 кГц, почему не работать до?

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[BARS_]

По ключам Каму верить мосфет в среднем на 400-500в имеет сопротивление открытого канала 0.75ом при 6А =27ват тепла  нрн- возьмем даже 1.5воль падения на 6а = 9ватт тепла.

И где это такой бред указан? У биполярника сопротивление перехода на несколько ПОРЯДКОВ выше, чем у mosfet. И тепла они выделяют МЕНЬШЕ. И именно по этому на больших мощностях используют MOSFET. Ну и расскажите заодно, по какой это такой хитрой формуле вы получили 27Вт при 0.75 Ом. И запомните раз и навсегда. Электроника и механика абсолютно РАЗНЫЕ вещи. И силовая электроника не прощает кривой сборки на коленке по кривым схемам.

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[sonyyy]

5 часов назад, Metron сказал:

а зачем автор темы смотрит картинки с 494 на частотах более 50 кГц, почему не работать до?

Данный ибп будет работать на резонанс нагрузки. Нагрузка может иметь разброс по частоте,  для этого и нужна подстройка частоты в ручную на первое время. Для все того же разбег по частоте должен быть желательно 70-130кНz более низки частоты увеличиваюn габариты, как выходного трансформатора, так и резонансного контура в нагрузке.

Собственно отсюда я и начал с тл494 в плане улучшения сигнала (фронтов) так как на данных частотах они составляют 2,4us когда как полный цикл занимает 10us и это только первый каскад а дальше драйвер + еще больше искажений и задержек + емкости паразитные, индуктивности и пока на выхлоп дойдет там полная каша. Да и непонятно в этой каше что откуда попробуй ее потом еще в резонанс настрой с нагрузкой.

С драйвером на маленьком мосфете я добился 0.16us причем на 344кНz  

 

Применять оптику яб с удовольствием, так как мне самаму не очень нравится трансформатор, развязывающий на нем сложней добиться хорошего сигнала, да еще и в широком диапазоне частот. Но надо…. Ибо оптика медленная очень.

В тоже время у меня есть некий запас р.деталей покупать долго ждать и хотелось бы данное устройство сообразить на них. (это та что проще готовый драйвер купить) возможно и проще но нет у меня его зато целая огромная куча материнок, видео карт, транзисторов, строчников и несколько лент смд транзисторов. Этого должно более чем быть достаточно для изготовления данного устройства. В дальнейшем конечно я это все переведу полностью на современные комплектующие феррит Эпсон и т.д. но надо для начала сделать данное ибп из того что есть.

 

5 часов назад, BARS_ сказал:

И где это такой бред указан? У биполярника сопротивление перехода на несколько ПОРЯДКОВ выше, чем у mosfet. И тепла они выделяют МЕНЬШЕ. И именно по этому на больших мощностях используют MOSFET. Ну и расскажите заодно, по какой это такой хитрой формуле вы получили 27Вт при 0.75 Ом. И запомните раз и навсегда. Электроника и механика абсолютно РАЗНЫЕ вещи. И силовая электроника не прощает кривой сборки на коленке по кривым схемам.

Тест КТ834А

Резистор базы 200 ом

Нагрузка 10 ом   15в

Ток 1.46

Падения между Э и К  составило 0.7в отсюда сопротивления перехода составило 0.47 ом. Нагрев 1вт.

 

Основные технические характеристики транзистора КТ834А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 500 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 8 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (500В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 150... 3000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 100 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,13 Ом

 

 

 

Теперь возьмем к примеру  irf840

500v

Сопротивление открытого канала 0.85 ом

Постоянный ток 8А

 

Теперь посчитаем по даташиту

NPN     0.13 ом    ток возьмем 5А   то по закону Ома выходит 3.25 вата рассеется на транзисторе.

Ом х А = U x A= wt

Теперь 840-й

По даташиту 0.85 ом ток также 5А тогда выходит 21,25 вата рассеется на транзисторе

 

Но это все без потерь на переключениях. Просто вкл.

 

Канешно в низком напряжение мосфет рулит там 0.05-0.01 ом  но высоковольтные модели имеют в среднем 0.5 ом.

 

Изменено 22 февраля, 2017 пользователем sonyyy

[kotosob]

@sonyyy ,,Не пишите очередной бред.Изучите хотя бы элементарные понятия о типах,, назначении и работе транзисторов в разных режимах и их усилительных,временных и ключевых свойствах,а потом возвращайтесь..))

[BARS_]

Ах да, я и забыл, что производители силовой электроники идиоты. Берут и ставят в мощные БП, преобразователи, сварочники и т.п. MOSFET.

[UVV]

13 часа назад, BARS_ сказал:

У биполярника сопротивление перехода на несколько ПОРЯДКОВ выше, чем у mosfet.

У MJE13009 какое сопротивление перехода?

[sonyyy]

15 часов назад, kotosob сказал:

Не пишите очередной бред.

А ну да бред, и в чем же объясните дураку будьте любезны.  

7 часов назад, UVV сказал:

У MJE13009 какое сопротивление перехода?

Вот правда какое?

 

8 часов назад, BARS_ сказал:

Ах да, я и забыл, что производители силовой электроники идиоты. Берут и ставят в мощные БП, преобразователи, сварочники и т.п. MOSFET.

Ага однако все комп блоки на NPN все строчники NPN , сварка ну лежит 1-а так там IGBT  чтот столько техники и не в одной не нашел чтоб были масфет в высоковольтной части либо NPN либо IGBT.

 

  kotosob Походу сам не в курсе минусик поставил и ушел, а ответить за свои слова слабо видимо.

Изменено 23 февраля, 2017 пользователем sonyyy

[kotosob]

@sonyyy ,еще раз--кончай троллить--вперед в песочницу,транзисторы изучать.А то так и будешь считать падение напряжения, сравнивая у биполярников сопротивления перехода,путать типы транзисторов и запускать в ключе *..Дарлингтона(!) в пику мосфетам с лучшим результатом на 344кГц...*..))..

Изменено 23 февраля, 2017 пользователем kotosob

[BARS_]

Комповские БП были на биполярах ровно до тех пор, пока в них стояла tl494. Сейчас они на mosfet. И вы хоть знаете, ЧТО такое IGBT? Чисто для общего развития - IGBT это mosfet, совмещенный с биполярником для упрощения управления. Считайте, что это mosfet совмещенный с драйвером. Силовой элемент там именно mosfet. Строчники на mosfet? Эка невидаль. При той мизерной мощности, там нет смысла ставить mosfet и морочить голову с управлением. Складывается впечатление, что вы вообще не понимаете, о чем пишите. Что уж там, мощные передатчики вообще на лампах делают, ставьте и вы лампы, они же лучше.

[sonyyy]

11 минуту назад, BARS_ сказал:

Комповские БП были на биполярах ровно до тех пор, пока в них стояла tl494. Сейчас они на mosfet. И вы хоть знаете, ЧТО такое IGBT? Чисто для общего развития - IGBT это mosfet, совмещенный с биполярником для упрощения управления. Считайте, что это mosfet совмещенный с драйвером. Силовой элемент там именно mosfet. Строчники на mosfet? Эка невидаль. При той мизерной мощности, там нет смысла ставить mosfet и морочить голову с управлением. Складывается впечатление, что вы вообще не понимаете, о чем пишите. Что уж там, мощные передатчики вообще на лампах делают, ставьте и вы лампы, они же лучше.

Вот и не верно. все какраз да наоборот, Сами изучите для начала, а потом учите других, ибо сами толком не знаете что говорите.

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления)[1]. Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Каскадное включение транзисторов двух типов позволяет сочетать их достоинства в одном приборе: выходные характеристики биполярного (большое допустимое рабочее напряжение) и входные характеристики полевого (минимальные затраты на управление). Управляющий электрод называется затвором, как у полевого транзистора, два других электрода — эмиттером и коллектором, как у биполярного[2][3].

Выпускаются как отдельные БТИЗ, так и силовые сборки (модули) на их основе, например, для управления цепями трёхфазного тока.

 

 

Все ладно, надоело честное слово, чет доказывать еще если я б знал всю, яб не заводил эту тему а получается просто сплошной тролинг какойто вместо того чтоб объяснить в чем косяк,  толку 0 спасибо за помощь «»

[UVV]

@sonyyy вы проблему с качеством сигнала на выходе TL494 решили?

[Vslz]

48 минут назад, BARS_ сказал:

IGBT ... Силовой элемент там именно mosfet

Ошибаетесь, силовой - биполярный транзистор.

9 часов назад, UVV сказал:

У MJE13009 какое сопротивление перехода?

Какого ещё перехода? Правильно говорить "сопротивление коллектор-эмиттер в режиме насыщения", Rce sat.

В даташитах приводятся графики падения напряжения в насыщенном состоянии, легко вычислить сопротивление Rsat.

У 13009 Rce sat порядка 50-60 мОм, у 13007 - около 0,15 Ом, у 2SC3039 - 0,2 Ом.

Эти Rce sat могут быть получены лишь при особых условиях питания базы (пропорционально-токовое управление, отрицательное смещение с массой тонкостей). Схемотехнически это удачно решено в компьютерных блоках питания на полумосте. В остальных топологиях такие условия создать труднее. Биполярные ключи на токи более 12 А мало распространены, поэтому, видимо, БП на биполярниках мощности большей 0,5 кВт - редкость.

Значение Rce sat полностью совпадают с результатами моделирования в LTSpice.

Графики из даташитов читать, надеюсь, все умеют.

[UVV]

Ну вот зависимость в пропорциях и опять пресловутый закон Ома не чего хитрого. Но правда есть ещё тепловые влияния на кристал.

[sonyyy]

[Григорий Т.]

2-5 ms.

А зачем вам этот режим?

[Григорий Т.]

И зря вы пытаетесь подсчитать мощность рассеяния на транзисторе, учитывая только статические параметры. Динамические потери гораздо выше. И они пропорциональны времени вкл.-выкл. транзистора. У полевиков оно меньше в 10-100 раз. 

Изменено 23 февраля, 2017 пользователем Григорий Т.

[sonyyy]

21 минуту назад, Григорий Т. сказал:

2-5 ms.

А зачем вам этот режим?

 

[Григорий Т.]

Вы запутались с размерностью. Я спрашивал про mc. Ну и, да, на что это будет похоже при таком времени вкл.-выкл.? 

[sonyyy]

Да чтот я запутался 5Us = 5Ms

Ой все понял, ошибся во времени. Тогда все норм 15А  =)

Изменено 23 февраля, 2017 пользователем sonyyy

[Григорий Т.]

32 минуты назад, sonyyy сказал:

Тогда все норм

Норм будет, когда соберёте и проверите.

[sonyyy]

[sonyyy]

Теперь по порядку.

При пуске Тл работает в штатном режиме на фиксированной частоте 20-30Кнz, в разрыв нагрузке стоит трансформатор. тока от которого будет брать питания и сигнал микросхема коррекции частоты. Как только конденсатор питания ис зарядится она шунтирует конденсатор с1 задающий частоту тл494 и начинает генерировать свою пилу 3вольта с частотой трансформатора тока (резонанса нагрузки).

Возможен ли такой способ? 

[Starichok]

6 часов назад, sonyyy сказал:

Ой все понял, ошибся во времени. Тогда все норм 15А

ничего там у тебя нормального нет.

на графиках указана скважность больше 1000. это фактически одиночный импульс.

[sonyyy]

1000 чего? Us? или импульс умноженное на 1000? тогда получается что оптимальный режим для 4А около 50Us правильно?