Про разницу между истоком и стоком и нессиметричный pn переход

[Башня]

Вот вроде бы понятно, что за счёт разных концентраций мы получаем смещение барьера в ту или иную сторону. 

Но не могу понять, зачем именно это нужно, если сила тока в последовательном соединении одинакова. Зачем смещать барьер в сторону коллектора/стока?

Интуитивно понятно, что из-за этого должна быть разница между тем, какой стороной подключать коллектор/сток эмиттер/исток, но в чем именно она заключается - не доходит.

В простеньком симуляторе схем какойстороной ни подключишь, токи везде одинаковые.

Кстати, тот же вопрос насчёт обычного диода - какая разница, сместим мы за счёт легирования барьер в сторону p или n области.

Изменено 25 апреля, 2017 пользователем Башня

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[J_Ohm]

Когда базовая область запирающего слоя БК перехода при росте разности потенциала достигнет эмиттера, возникает опасность пробоя. А до этого, смещение ее границы в базе изменяет эффективность перехвата эмиттерных носителей, создает наклон ВАХ коллектора уменьшая его динамическое сопротивление - эффект Эрли. Говорят об изменении "толщины базы".

С эмиттером - другая тема. Легирование эмиттерной области намного выше базовой с целью получения преимущественно эмиттерной составляющей тока БЭ перехода, поскольку базовые носители в усилении тока напрямую не участвуют.

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849