Усилители Высокой Мощности.

[Kavtas]

а покажи её

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[WP_]

Подскажите пожалуйста схему мощного умзч на базе TDA7294 , а то её мощности маловато.

Для подобных вопросов есть специально отведенное место.

Misterio, просьба - тдашников и сткашников которые в этой ветке начинают даун-вопросы задавать нужно немного прибанивать, недели на две.

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[WP_]

Главная проблема в защите. Очень мал ток срабатывания при переходе через ноль. Защита будет хлопать и подрабатывать. Ток срабатывания при переходе через ноль долже быть равен половине амплитудного для минимального Rн. В данном случае это не выполняется и при заявленной мощности просто невыполнимо. Транзисторы далеко за ОБР. Конечно у транзисторов есть технологический запас, но это чистое хулиганство. Для любительского усилителя чтобы на кухне слушать конечно допустимо, но для концертного это п.....ц на первом же мероприятии. За такое разработчику нужно бейцы обрывать.

[Реклама]

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[det]

Мне всегда нравилась Ваша манера объяснений, ну да ладно - суть уловлена...

На тему защиты, ну не знаю, при ее сработке звук сразу становится хрюкающим и светодиод горит, это все регулируется по технологии - нагружаешь активным сопротивлением и набалтываешь сигнал до киплинга, затем крутиком выставляешь начало сработки...

При нагрузке подрабатываний не наблюдалось ни в первой, ни во второй схеме... Хотя конечно можно что то и поточнее примудрить, однако работу она свою делает - при настройке на 4 Ома на 2 Ома срабатывает четко...

Что касается ОБР, тут правда Ваша - транзисторам второго этажа приходится ОЧЕНЬ тяжело, особенно при уровне сигнала чуть больше напряжения питания первого этажа...

И на эту тему был разговор, что надежности несколько маловато и предлагалось к каждому транзистору первого этажа использовать полтора IRFP во втором, таким образом при 4 парах оконечников на втором этаже получится 6 пар. В этом варианте то мощнсоти второй этаж разгружается довольно не плохо и думаю этого будет вполне достаточно... Выложенный же вариант просто был собран в металле и работоспособен и жив остался выдавая написанную мощность, но WP прав - это предел возможностей ...

И еще, маленькая пометочка на полях - обе схемы затачиваются как готовый универсальный набор плат, т.е. используя какое то количество блоков можно получить усилитель от 500 до 1500 Вт Вт в первом варианте и от 100 до 1300 во втором (это для 4-х Ом, наращивая кол-во оконечников можно и на 2 Ома заставить работать), собственно поэтому и введена цепочка установки тока покоя последнего каскада усилителя напряжения.

Ну и наконец повторю просьбу WP - с микрухами сюда давайте соваться не будем, для этого вообще отдельный раздел сделали...

[WP_]

Особенно сильно выплывут проблемы с защитой при работе сабвуфер, сопротивление сильно комплексное и защита начинает щелкать вблизи перехода через ноль. Еще раз повторю - в области перехода выходного напряжения через ноль ток срабатывания защиты должен быть равен половине максимального амплитудного. Исходя из этого определяются требования к ОБР мощных транзисторов и соответственно их количество. Подстроечные элементы в таких местах нежелателны. В режиме короткого замыкания выхода или сильно комплексной нагрузки сильнее всего напрягаются транзисторы первого этажа. Для транзисторов второго этажа эти условия работы самые легкие. Для них наиболее тяжелым режимом является работа на чисто активную нагрузку.

Бывают дажа такие случаи - из за комплексного сопротивления нагрузки срабатывает защита настроенная на 2 Ома при сопротивлении сабвуфера 8 Ом, только из за того что ток срабатывания вблизи перехода выходного напряжения через ноль сильно меньше половины максимального амплитудного.

Изменено 10 июля, 2007 пользователем WP_

[det]

В описании на мощный усилитель фирмы Dynacord , указывалось на специальную схему подавления электромагнитной обратной связи, наводимой от акустических систем.

Что это за явление ? Когда возникает и какое воздействие на аппаратуру оказывает ?

Динамик есть устройство довольно сложное, состоящее из активного сопротивления (указывается прямо на дине), дросселя - катушка намотана цилидром и находится в магнитопроводящем материле (описаие СЛИШКОМ упрощенное).

ну с активом думаю все понятно - резистор есть резистор, а вот болтающаяся по керну катушка индуктивности ведет себя весьма своеобразно, точнее с точки зрения электромагнетизма все правильно она делает...

Есть такое понятие как самоиндукция, т.е. при приложении к катушке индуктивности напряжения образуется электромагнитное поле и если его резко снять, то поле пропадая на витках катушки наводит напряжение, однако полярность получаемого напряжения изменяется на противоположную.

Ну а теперь банальная ситуация:

Дифузор сабвуфера штука довольно тяжелая и при подаче толчка одной пуловолны он начинает перемещаться совершая работу. В этот момент времени приложенное напряжение исчезает, но дифор тяжелый и он продолжает по инерции двигаться тем самым наводя на катушке какое то напряжение, но пока наводимое напряжение компенсируется сворачиваюшся полем, которое вызывает самоиндукцию...

Вроде пока ничего страшного, но вот дифузор пошел обратно, на свое место покоя и в тот момент когда он максимально разогнался и в нем наводится максимальное напряжение, да еще противоположной полярности от приложенного ранее снова появляется сигнал той же полярности что и был до этого...

Таким образом в этот промежуток времени мгновенное значение сопротивление динамика может приобрести и отрицательное значение и это уже намного круче чем обыкновенное КЗ...

Ну а какое воздействие это оказывает на аппартуру не трудно догодаться...

Что касается защиты, откровенно говоря опыта в сборке таких агрегатов несколько маловато, посему возможно что то и не так делается...

Мысль я уловил, и если правильно понял, то через первый транзистор необходимо первоначально пропускать какой то первоначальный ток, но в этом варианте тиристорный вариант защиты получается либо не приемлемым, либо требует введения дополнительного каскада, поскольку в этой сборке аналога тиристора даже незначительное увеличение напряжения на базе первого транзистора вызывает лавинный процес который переводит оба транзистора в режим насыщения...

Ладничко, поразмышляемс...

[xakep.BDM]

WP - к Вам такой вопрос. 1) А если сделать двухуровневое питание на Холтона - как он себя поведет? или у него есть ограниечени 800 ватт? и больше сделать нельзя? 2) или попробывать, заменить полевики на более мощные, или поставить биполярные, как он себя тогда поведет? 3) Можно ли у него убрать ООС?

[WP_]

1. Будет прекрасно работать. Мощность которую можно получить ограничена Uce транзисторов усилителя напряжения. При использовании транзисторов с напряжением более 300 В можно и более 2 кВт получить. Но желательно уже трехуровневое питание и выходной каскад в классе H. Но вообще то холтон не очень хорошая структура, при высоких напряжениях питания будет сильно гулять постояннка на выходе из за сильно разогрева всех транзисторов. Для высоковольтных применений предпочтительнее комплементарно симметричные структуры - от тепла меньше плывут.

2. Транзисторы первого уровня предпочтительнее биполярные, второго уровня MOSFET.

3. Зачем? Аудиомурзилок начитался?

[xakep.BDM]

1. Будет прекрасно работать. Мощность которую можно получить ограничена Uce транзисторов усилителя напряжения. При использовании транзисторов с напряжением более 300 В можно и более 2 кВт получить. Но желательно уже трехуровневое питание и выходной каскад в классе H. Но вообще то холтон не очень хорошая структура, при высоких напряжениях питания будет сильно гулять постояннка на выходе из за сильно разогрева всех транзисторов. Для высоковольтных применений предпочтительнее комплементарно симметричные структуры - от тепла меньше плывут.

2. Транзисторы первого уровня предпочтительнее биполярные, второго уровня MOSFET.

3. Зачем? Аудиомурзилок начитался?

1) А за основу что лучше взять? или самому сделать, чтобы получить 1,5 квт в номинале и с минимум нелинейных искажений?

2) а на чем это сказывается?

3)ООС влияет же на качество? ИА на разогрев транзисторов как влияет ООС?

[WP_]

1. Чтобы понять что взять за основу сначала грызи науку.

2. Биполярные комплементарные транзисторы несколько более линейны и термостабильны по сравнению с силивыми широкодоступными вертикальными MOSFET. А латеральные MOSFET очень дорогие, по некоторым характеристикам лучше биполярных, но у них низкая крутизна и большое сопротивление в открытом состоянии, что приводит к необходимости параллельного включения большого количества транзисторов. Это приводит к очень сильному удорожанию усилителя.

3. При правильном применении ООС только улучшает качество, в том числе и холтона. На разогрев транзисторов ООС никак не влияет. На разогрев влияет рассеиваемая мощность.

[det]

Именно об этом...

[xakep.BDM]

1. Чтобы понять что взять за основу сначала грызи науку.

2. Биполярные комплементарные транзисторы несколько более линейны и термостабильны по сравнению с силивыми широкодоступными вертикальными MOSFET. А латеральные MOSFET очень дорогие, по некоторым характеристикам лучше биполярных, но у них низкая крутизна и большое сопротивление в открытом состоянии, что приводит к необходимости параллельного включения большого количества транзисторов. Это приводит к очень сильному удорожанию усилителя.

3. При правильном применении ООС только улучшает качество, в том числе и холтона. На разогрев транзисторов ООС никак не влияет. На разогрев влияет рассеиваемая мощность.

1) Ну а для проверки что будет лучше? а то Грызть науку и сильно углубляться это слишком долго, а так азы чучуть знаю.

2) Качество всегда стоило дорого, ну а если из них попробывать хотябы 4 пары? для проверки

3) Ок, я понял. ))

[WP_]

1. Без науки только сгоревшие транзисторы будут получаться. При таких мощностях ошибки проектирвания не прощаются.

2. При применении четырех пар результаты лучше не будут. По комплексу параметров биполярные приборы предпочтительнее MOSFET для применения в аналоговых усилителях.

[serg138]

1) Ну а для проверки что будет лучше? а то Грызть науку и сильно углубляться это слишком долго, а так азы чучуть знаю.

2) Качество всегда стоило дорого, ну а если из них попробывать хотябы 4 пары? для проверки

3) Ок, я понял. ))

Ты бы обычный холтон запустил для начала, а потом бы брался за класс G или H.(меняй резистор, иначе ток покоя не выставишь )

Усилитель с симметричной структурой для примера тебе(чтобы далеко не ходить), это ланзар из соседней ветки, можешь посмотреть.

[xakep.BDM]

1. Без науки только сгоревшие транзисторы будут получаться. При таких мощностях ошибки проектирвания не прощаются.

2. При применении четырех пар результаты лучше не будут. По комплексу параметров биполярные приборы предпочтительнее MOSFET для применения в аналоговых усилителях.

1) Да это понятно )), а почему так бывает - когда высчитываешь по формулам все номиналы сопротивлений, емкостей и.т.д. должно получаться по параметрам супер Hi-END , - а когда соберешь получаеться *****(я думаю тут понятно)? (такое было не однократно покрайне мере у меня)

2) Хороошо, тогда я себе поставлю биполярный транзисторы в Холтон посмотрю как он себя поведет при этом, а при их замене нужно ему будет рабочую точку выставлять? или тупо ток покоя?

[det]

Ну да, поставь, только перед биполяром не забудь повторитель поставить...

А кто знает как тут сообщения удалять? Не обратил внимания - в ветке Холтона уже готовую схему выложили, точнее ссылку, так что это сообщение убрать бы...

Изменено 12 июля, 2007 пользователем det

[WP_]

Для Хакера.

1. Когда считаешь нужно размерности учитывать, тогда будет получаться то что нужно.

2. Если не понимаешь физического смысла того, что хочешь сделать результат будет закономерный и всегда один и тот же - х.........я. Грызи науку.

[WP_]

Немного разъяснений от чего зависит выходная мощность, или как взглянув на схему определить чего можно ожидать - в смысле мощности.

Выходная мощность зависит от выходного напряжения и сопротивления нагрузки. P=U*U/R U в вольтах R в омах.

Выходное напряжение максимальное неискаженное синусоидальное.

Максимальное неискаженное синусоидальное напряжение зависит от напряжения питания. В идеальном случае когда остаточное напряжение на выходных транзисторах равно нулю и отсутвует просадка выходного напряжения источника питания U вых =0,707*U рит. U пит - для одного плеча двухполярного источника или половина однополярного. Это мы получили амлитудное выходное напряжение.

В реальности остаточное напряжение на выходных транзисторах не равно нулю и обычно составляет 2 - 8 В. Зависит от конкретной схемотехники и выходной мощности. Для грубой оценки можно брать примерно 4 В. Т.е. Амплитуда неискаженного выходного напряжения получается меньше напряжения питания на величину остаточного напряжения. В реальности также не бывает источников питания без просадки выходного напряжения. Просадка может достигать 25% при максимальном токе потребления.

В общем чтобы оценить потенциальную выходную мощность любого усилителя нужно взять его напряжение питания, уменьшить его на 25%, отнять 4 В, получившееся значение умножить на 0,707, возвести в квадрат и поделить на сопротивление нагрузки.

[det]

25% провалов по питанию не многовато?

[WP_]

Если хочется чтобы трансформатор и вес усилителя был разумным, то нормально.

Потребление усилителя на музыкальном сигнале по сравнению с синусоидальным при полном использовании напряжения питания примерно в 3 - 4 раз меньше. Из этого следует вывод, что габаритная мощность трансформатора может быть меньше чем синусоидальная выходная мощность усилителя. Но при условии, что емкость конденсаторной батареи в источнике питания достаточно велика, чтобы обеспечить потребление на пиках мощности. Но обычно малоопытные радиолюбители этого не понимают, и поэтому часто находяться придурки, которые пару TDA7294 запитывают ит киловаттного трансформатора - по собственной глупости. Пример усилитель NEVA Audio номер какой не помню, но мощность 2х450 Вт примерно. В источнике питания два трансформатора на магнитопроводе ПЛР21х45 (такой же магнитопровод используется во все известном трансформаторе ТС180).

Заявленную мощность развивает полностью. Напряжения просаживается как раз на 25%. Только при длительной работе на синусоидальном сигнале трансформаторы очень сильно нагреваются, примерно через 15 минут срабатывает тепловая защита по перегреву трансформатора. А на музыкальном все нормально, температура трансформаторов в пределах 60 градусов.

Изменено 13 июля, 2007 пользователем WP_

[Alex_NoNe]

Спасибо за разъяснение. Я всегда считал, что выходная мощность указывается для долговременной работе на синусе + запас на пиках (хотя-бы десятикратный)

[pkilla]

Уважаемый WP! нарыл в сети Вашу схему усилителя G класса на STK4048V/STK4050V (сори за офтоп). Требуется ли наладка данного девайса?

[WP_]

Почему нельзя? Вполне возможно, но схему будет уже аномально сложная.

[WP_]

КПД увеличится.

[Samvsun]

1. Без науки только сгоревшие транзисторы будут получаться. При таких мощностях ошибки проектирвания не прощаются.

Полностью согласен с Владимиром по поводу науки и прошу прощения за вопрос не по основной теме.

Владимир, не посоветуете ли достоверные источники по "науке" касательно схемотехники и расчетов.

Сейчас доступны: "Исскуство Схемотехники", Данилов А А "Прецизионные УНЧ", Ежков Ю С "Справочник по схемотехнике усилителей".

Еще пытаюсь нарыть Кибакин В М "ОСНОВЫ ТЕОРИИ И РАСЧЁТА ТРАНЗИСТОРНЫХ

НИЗКОЧАСТОТНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ".

Что скажете?

Спасибо.