Перейти к содержанию

Усилители Высокой Мощности.


Рекомендуемые сообщения

Подскажите пожалуйста схему мощного умзч на базе TDA7294 , а то её мощности маловато.

Для подобных вопросов есть специально отведенное место.

Misterio, просьба - тдашников и сткашников которые в этой ветке начинают даун-вопросы задавать нужно немного прибанивать, недели на две.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Главная проблема в защите. Очень мал ток срабатывания при переходе через ноль. Защита будет хлопать и подрабатывать. Ток срабатывания при переходе через ноль долже быть равен половине амплитудного для минимального Rн. В данном случае это не выполняется и при заявленной мощности просто невыполнимо. Транзисторы далеко за ОБР. Конечно у транзисторов есть технологический запас, но это чистое хулиганство. Для любительского усилителя чтобы на кухне слушать конечно допустимо, но для концертного это п.....ц на первом же мероприятии. За такое разработчику нужно бейцы обрывать.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Инженеры КОМПЭЛ провели сравнительное тестирование аккумуляторов EVE и Samsung популярного для бытовых и индустриальных применений типоразмера 18650. 

Для теста были выбраны аккумуляторы литий-никельмарганцевой системы: по два образца одного наименования каждого производителя – и протестированы на двух значениях тока разряда: 0,5 А и 2,5 А. Испытания проводились в нормальных условиях на электронной нагрузке EBD-USB от ZKEtech, а зарядка осуществлялась от лабораторного источника питания в режиме CC+CV в соответствии с рекомендациями в даташите на определенную модель. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Мне всегда нравилась Ваша манера объяснений, ну да ладно - суть уловлена...

На тему защиты, ну не знаю, при ее сработке звук сразу становится хрюкающим и светодиод горит, это все регулируется по технологии - нагружаешь активным сопротивлением и набалтываешь сигнал до киплинга, затем крутиком выставляешь начало сработки...

При нагрузке подрабатываний не наблюдалось ни в первой, ни во второй схеме... Хотя конечно можно что то и поточнее примудрить, однако работу она свою делает - при настройке на 4 Ома на 2 Ома срабатывает четко...

Что касается ОБР, тут правда Ваша - транзисторам второго этажа приходится ОЧЕНЬ тяжело, особенно при уровне сигнала чуть больше напряжения питания первого этажа...

И на эту тему был разговор, что надежности несколько маловато и предлагалось к каждому транзистору первого этажа использовать полтора IRFP во втором, таким образом при 4 парах оконечников на втором этаже получится 6 пар. В этом варианте то мощнсоти второй этаж разгружается довольно не плохо и думаю этого будет вполне достаточно... Выложенный же вариант просто был собран в металле и работоспособен и жив остался выдавая написанную мощность, но WP прав - это предел возможностей ...

И еще, маленькая пометочка на полях - обе схемы затачиваются как готовый универсальный набор плат, т.е. используя какое то количество блоков можно получить усилитель от 500 до 1500 Вт Вт в первом варианте и от 100 до 1300 во втором (это для 4-х Ом, наращивая кол-во оконечников можно и на 2 Ома заставить работать), собственно поэтому и введена цепочка установки тока покоя последнего каскада усилителя напряжения.

Ну и наконец повторю просьбу WP - с микрухами сюда давайте соваться не будем, для этого вообще отдельный раздел сделали...

Безвыходной ситуацией называется такая ситуация из которой только два выхода, но их не видно...

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. 

Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств. Подробнее параметры и результаты тестов новой серии PLM по ссылке.

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Особенно сильно выплывут проблемы с защитой при работе сабвуфер, сопротивление сильно комплексное и защита начинает щелкать вблизи перехода через ноль. Еще раз повторю - в области перехода выходного напряжения через ноль ток срабатывания защиты должен быть равен половине максимального амплитудного. Исходя из этого определяются требования к ОБР мощных транзисторов и соответственно их количество. Подстроечные элементы в таких местах нежелателны. В режиме короткого замыкания выхода или сильно комплексной нагрузки сильнее всего напрягаются транзисторы первого этажа. Для транзисторов второго этажа эти условия работы самые легкие. Для них наиболее тяжелым режимом является работа на чисто активную нагрузку.

Бывают дажа такие случаи - из за комплексного сопротивления нагрузки срабатывает защита настроенная на 2 Ома при сопротивлении сабвуфера 8 Ом, только из за того что ток срабатывания вблизи перехода выходного напряжения через ноль сильно меньше половины максимального амплитудного.

Изменено пользователем WP_
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Литиевые батарейки и аккумуляторы от мирового лидера  EVE в Компэл

Компания Компэл, официальный дистрибьютор EVE Energy, бренда №1 по производству химических источников тока (ХИТ) в мире, предлагает продукцию EVE как со склада, так и под заказ. Компания EVE широко известна в странах Европы, Америки и Юго-Восточной Азии уже более 20 лет. Недавно EVE была объявлена поставщиком новых аккумуляторных элементов круглого формата для электрических моделей «нового класса» компании BMW.

Продукция EVE предназначена для самого широкого спектра применений – от бытового до промышленного. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

В описании на мощный усилитель фирмы Dynacord , указывалось на специальную схему подавления электромагнитной обратной связи, наводимой от акустических систем.

Что это за явление ? Когда возникает и какое воздействие на аппаратуру оказывает ?

Динамик есть устройство довольно сложное, состоящее из активного сопротивления (указывается прямо на дине), дросселя - катушка намотана цилидром и находится в магнитопроводящем материле (описаие СЛИШКОМ упрощенное).

ну с активом думаю все понятно - резистор есть резистор, а вот болтающаяся по керну катушка индуктивности ведет себя весьма своеобразно, точнее с точки зрения электромагнетизма все правильно она делает...

Есть такое понятие как самоиндукция, т.е. при приложении к катушке индуктивности напряжения образуется электромагнитное поле и если его резко снять, то поле пропадая на витках катушки наводит напряжение, однако полярность получаемого напряжения изменяется на противоположную.

Ну а теперь банальная ситуация:

Дифузор сабвуфера штука довольно тяжелая и при подаче толчка одной пуловолны он начинает перемещаться совершая работу. В этот момент времени приложенное напряжение исчезает, но дифор тяжелый и он продолжает по инерции двигаться тем самым наводя на катушке какое то напряжение, но пока наводимое напряжение компенсируется сворачиваюшся полем, которое вызывает самоиндукцию...

Вроде пока ничего страшного, но вот дифузор пошел обратно, на свое место покоя и в тот момент когда он максимально разогнался и в нем наводится максимальное напряжение, да еще противоположной полярности от приложенного ранее снова появляется сигнал той же полярности что и был до этого...

Таким образом в этот промежуток времени мгновенное значение сопротивление динамика может приобрести и отрицательное значение и это уже намного круче чем обыкновенное КЗ...

Ну а какое воздействие это оказывает на аппартуру не трудно догодаться...

Что касается защиты, откровенно говоря опыта в сборке таких агрегатов несколько маловато, посему возможно что то и не так делается...

Мысль я уловил, и если правильно понял, то через первый транзистор необходимо первоначально пропускать какой то первоначальный ток, но в этом варианте тиристорный вариант защиты получается либо не приемлемым, либо требует введения дополнительного каскада, поскольку в этой сборке аналога тиристора даже незначительное увеличение напряжения на базе первого транзистора вызывает лавинный процес который переводит оба транзистора в режим насыщения...

Ладничко, поразмышляемс...

Безвыходной ситуацией называется такая ситуация из которой только два выхода, но их не видно...

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

WP - к Вам такой вопрос. 1) А если сделать двухуровневое питание на Холтона - как он себя поведет? или у него есть ограниечени 800 ватт? и больше сделать нельзя? 2) или попробывать, заменить полевики на более мощные, или поставить биполярные, как он себя тогда поведет? 3) Можно ли у него убрать ООС?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

1. Будет прекрасно работать. Мощность которую можно получить ограничена Uce транзисторов усилителя напряжения. При использовании транзисторов с напряжением более 300 В можно и более 2 кВт получить. Но желательно уже трехуровневое питание и выходной каскад в классе H. Но вообще то холтон не очень хорошая структура, при высоких напряжениях питания будет сильно гулять постояннка на выходе из за сильно разогрева всех транзисторов. Для высоковольтных применений предпочтительнее комплементарно симметричные структуры - от тепла меньше плывут.

2. Транзисторы первого уровня предпочтительнее биполярные, второго уровня MOSFET.

3. Зачем? Аудиомурзилок начитался?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

1. Будет прекрасно работать. Мощность которую можно получить ограничена Uce транзисторов усилителя напряжения. При использовании транзисторов с напряжением более 300 В можно и более 2 кВт получить. Но желательно уже трехуровневое питание и выходной каскад в классе H. Но вообще то холтон не очень хорошая структура, при высоких напряжениях питания будет сильно гулять постояннка на выходе из за сильно разогрева всех транзисторов. Для высоковольтных применений предпочтительнее комплементарно симметричные структуры - от тепла меньше плывут.

2. Транзисторы первого уровня предпочтительнее биполярные, второго уровня MOSFET.

3. Зачем? Аудиомурзилок начитался?

1) А за основу что лучше взять? или самому сделать, чтобы получить 1,5 квт в номинале и с минимум нелинейных искажений?

2) а на чем это сказывается?

3)ООС влияет же на качество? ИА на разогрев транзисторов как влияет ООС?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

1. Чтобы понять что взять за основу сначала грызи науку.

2. Биполярные комплементарные транзисторы несколько более линейны и термостабильны по сравнению с силивыми широкодоступными вертикальными MOSFET. А латеральные MOSFET очень дорогие, по некоторым характеристикам лучше биполярных, но у них низкая крутизна и большое сопротивление в открытом состоянии, что приводит к необходимости параллельного включения большого количества транзисторов. Это приводит к очень сильному удорожанию усилителя.

3. При правильном применении ООС только улучшает качество, в том числе и холтона. На разогрев транзисторов ООС никак не влияет. На разогрев влияет рассеиваемая мощность.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

1. Чтобы понять что взять за основу сначала грызи науку.

2. Биполярные комплементарные транзисторы несколько более линейны и термостабильны по сравнению с силивыми широкодоступными вертикальными MOSFET. А латеральные MOSFET очень дорогие, по некоторым характеристикам лучше биполярных, но у них низкая крутизна и большое сопротивление в открытом состоянии, что приводит к необходимости параллельного включения большого количества транзисторов. Это приводит к очень сильному удорожанию усилителя.

3. При правильном применении ООС только улучшает качество, в том числе и холтона. На разогрев транзисторов ООС никак не влияет. На разогрев влияет рассеиваемая мощность.

1) Ну а для проверки что будет лучше? а то Грызть науку и сильно углубляться это слишком долго, а так азы чучуть знаю.

2) Качество всегда стоило дорого, ну а если из них попробывать хотябы 4 пары? для проверки

3) Ок, я понял. :)))

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

1. Без науки только сгоревшие транзисторы будут получаться. При таких мощностях ошибки проектирвания не прощаются.

2. При применении четырех пар результаты лучше не будут. По комплексу параметров биполярные приборы предпочтительнее MOSFET для применения в аналоговых усилителях.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

1) Ну а для проверки что будет лучше? а то Грызть науку и сильно углубляться это слишком долго, а так азы чучуть знаю.

2) Качество всегда стоило дорого, ну а если из них попробывать хотябы 4 пары? для проверки

3) Ок, я понял. :)))

Ты бы обычный холтон запустил для начала, а потом бы брался за класс G или H.(меняй резистор, иначе ток покоя не выставишь :) )

Усилитель с симметричной структурой для примера тебе(чтобы далеко не ходить), это ланзар из соседней ветки, можешь посмотреть.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

1. Без науки только сгоревшие транзисторы будут получаться. При таких мощностях ошибки проектирвания не прощаются.

2. При применении четырех пар результаты лучше не будут. По комплексу параметров биполярные приборы предпочтительнее MOSFET для применения в аналоговых усилителях.

1) Да это понятно :))), а почему так бывает - когда высчитываешь по формулам все номиналы сопротивлений, емкостей и.т.д. должно получаться по параметрам супер Hi-END , - а когда соберешь получаеться *****(я думаю тут понятно)? (такое было не однократно покрайне мере у меня)

2) Хороошо, тогда я себе поставлю биполярный транзисторы в Холтон посмотрю как он себя поведет при этом, а при их замене нужно ему будет рабочую точку выставлять? или тупо ток покоя?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Ну да, поставь, только перед биполяром не забудь повторитель поставить...

А кто знает как тут сообщения удалять? Не обратил внимания - в ветке Холтона уже готовую схему выложили, точнее ссылку, так что это сообщение убрать бы...

Изменено пользователем det

Безвыходной ситуацией называется такая ситуация из которой только два выхода, но их не видно...

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Для Хакера.

1. Когда считаешь нужно размерности учитывать, тогда будет получаться то что нужно.

2. Если не понимаешь физического смысла того, что хочешь сделать результат будет закономерный и всегда один и тот же - х.........я. Грызи науку.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Немного разъяснений от чего зависит выходная мощность, или как взглянув на схему определить чего можно ожидать - в смысле мощности.

Выходная мощность зависит от выходного напряжения и сопротивления нагрузки. P=U*U/R U в вольтах R в омах.

Выходное напряжение максимальное неискаженное синусоидальное.

Максимальное неискаженное синусоидальное напряжение зависит от напряжения питания. В идеальном случае когда остаточное напряжение на выходных транзисторах равно нулю и отсутвует просадка выходного напряжения источника питания U вых =0,707*U рит. U пит - для одного плеча двухполярного источника или половина однополярного. Это мы получили амлитудное выходное напряжение.

В реальности остаточное напряжение на выходных транзисторах не равно нулю и обычно составляет 2 - 8 В. Зависит от конкретной схемотехники и выходной мощности. Для грубой оценки можно брать примерно 4 В. Т.е. Амплитуда неискаженного выходного напряжения получается меньше напряжения питания на величину остаточного напряжения. В реальности также не бывает источников питания без просадки выходного напряжения. Просадка может достигать 25% при максимальном токе потребления.

В общем чтобы оценить потенциальную выходную мощность любого усилителя нужно взять его напряжение питания, уменьшить его на 25%, отнять 4 В, получившееся значение умножить на 0,707, возвести в квадрат и поделить на сопротивление нагрузки.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Если хочется чтобы трансформатор и вес усилителя был разумным, то нормально.

Потребление усилителя на музыкальном сигнале по сравнению с синусоидальным при полном использовании напряжения питания примерно в 3 - 4 раз меньше. Из этого следует вывод, что габаритная мощность трансформатора может быть меньше чем синусоидальная выходная мощность усилителя. Но при условии, что емкость конденсаторной батареи в источнике питания достаточно велика, чтобы обеспечить потребление на пиках мощности. Но обычно малоопытные радиолюбители этого не понимают, и поэтому часто находяться придурки, которые пару TDA7294 запитывают ит киловаттного трансформатора - по собственной глупости. Пример усилитель NEVA Audio номер какой не помню, но мощность 2х450 Вт примерно. В источнике питания два трансформатора на магнитопроводе ПЛР21х45 (такой же магнитопровод используется во все известном трансформаторе ТС180).

Заявленную мощность развивает полностью. Напряжения просаживается как раз на 25%. Только при длительной работе на синусоидальном сигнале трансформаторы очень сильно нагреваются, примерно через 15 минут срабатывает тепловая защита по перегреву трансформатора. А на музыкальном все нормально, температура трансформаторов в пределах 60 градусов.

Изменено пользователем WP_
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Спасибо за разъяснение. Я всегда считал, что выходная мощность указывается для долговременной работе на синусе + запас на пиках (хотя-бы десятикратный)

Александр

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

1. Без науки только сгоревшие транзисторы будут получаться. При таких мощностях ошибки проектирвания не прощаются.

Полностью согласен с Владимиром по поводу науки и прошу прощения за вопрос не по основной теме.

Владимир, не посоветуете ли достоверные источники по "науке" касательно схемотехники и расчетов.

Сейчас доступны: "Исскуство Схемотехники", Данилов А А "Прецизионные УНЧ", Ежков Ю С "Справочник по схемотехнике усилителей".

Еще пытаюсь нарыть Кибакин В М "ОСНОВЫ ТЕОРИИ И РАСЧЁТА ТРАНЗИСТОРНЫХ

НИЗКОЧАСТОТНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ".

Что скажете?

Спасибо.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Гость
Unfortunately, your content contains terms that we do not allow. Please edit your content to remove the highlighted words below.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Восстановить форматирование

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

Загрузка...
  • Последние посетители   0 пользователей онлайн

    • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу

×
×
  • Создать...