so-nic

Подключение светодиода к сети

14 сообщений в этой теме

so-nic    0

Добрый вечер. Посмотрел схемы подключения светодиода к сети, и по некоторым схемам возник ступор.

file.jpg.1d1b7da8154147133c77675369937908.jpg

Понятно что через ограничительный конденсатор С1 приходят несколько миллиампер, но на конденсатор С2 и диод VD1 приходит сетевое напряжение, так как стабилитрона нет. По идее C2 должен взорваться, а VD1 должен прибиться.

Или я чего-то не понимаю?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Slavka    1 961

Напряжение после С1 как бы стабилизируется светодиодом. Поэтому на С2 будет 2-2.5в, в зависимости от тока через С1.

Но что то  в схеме  мне не нравится. 

Изменено пользователем Slavka

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
radio-technics    103
Цитата

Реактивное сопротивление – электрическое сопротивление переменному току, обусловленное передачей энергии магнитным полем в индуктивностях или электрическим полем в конденсаторах.

В вашем случае при сети в 50Гц реактивное сопротивление конденсатора на 100нф будет равно 31.83кОм.

С2 убрать, а R1 увеличить до 27-33 кОм.

Изменено пользователем radio-technics

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Лоцман    26
4 минуты назад, Slavka сказал:

Но что то  в схеме  мне не нравится. 

Наверное, то, что при обрыве с/д С2 должен рвануть.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Vascom    635

Как известно, напряжение на диоде зависит от тока через него. Таким образом, при положительной полуволне напряжение на конденсаторе C2 будет равно падению напряжения на светодиоде VDL1, а при отрицательной полуволне - падению напряжения на диоде VD1. Следовательно, никогда не превысит нескольких вольт.

 

Конденсатор взорвался бы и светодиоды пробились бы, если бы не было ограничения тока конденсатором C1 и резистором R1.

Изменено пользователем Vascom

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Sstvov    71

Конденсатор С2 может и не взорвётся но обязательно сдохнет, поскольку на него переменное напряжение подаётся. А при его ёмкости в 100мкф светодиод не сможет зажечся, напряжения не хватит, весь ток через С2 уходить будет. Не правильная схема.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Загрузка...
sulphur    31
5 часов назад, Slavka сказал:

Но что то  в схеме  мне не нравится. 

Может, Вам не нравится то, что нет резистора, разряжающего конденсатор С1 после отключения от сети?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
КЭС    1 057
7 часов назад, Sstvov сказал:

С2 может и не взорвётся но обязательно сдохнет, поскольку на него переменное напряжение подаётся

Ничего ему не будет от 0,6В в обратной полярности. А если VD1 германиевый или Шоттки - то и того меньше.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Cloud+    63
9 часов назад, Sstvov сказал:

, весь ток через С2 уходить будет. Не правильная схема.

С2 есть смысл ставить только при такой схеме подключения.
Например, такая схема  (только еще со стабилитроном параллельно С2) часто встречается  в  бестрансформаторных блоках питания   еще тех времен, когда  ставить  диодный мостик для радиолюбителя было роскошью..:)

file.jpg.1d1b7da8154147133c77675369937908.jpg

Изменено пользователем Cloud+
Параллельно С1 нужен резистор примерно 500кОм

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
bam-buk    80

Вот очень простые рассуждения:

LED-1.png.f476850f09cb7dc8c026a1596d6531f1.png

LED-2.png.72315f50032807bda58bbb14aa66b567.png

Для первой схемы (красная линия осциллографа) совершенно очевидно, что после С2 ничего, кроме переменного напряжения небольшой амплитуды частотой 50Гц не появится (~300мВ "благодаря" емкостному делителю С1С2).

Вторая схема (зелёная линия осциллографа) "выдаёт" 1,7В при токе через светодиод 3,08мА и незначительными пульсациями (158мВ). Кстати: если отключить светодиод, то С2 зарядится до 620В ("благодаря" однополупериодному умножителю напряжения С1Д1Д2). Ещё одна неприятная особенность схемы: пульсации тока почти 9мА, что приведёт к пульсациям света светодиода. Уменьшить их почти полностью (~3%) можно, включив в цепь между С4 и светодиодом резистор сопротивлением 3кОм. Пульсации тока при этом уменьшатся до ~0,1мА.

Изменено пользователем bam-buk

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
Slavka    1 961
11 час назад, sulphur сказал:

Может, Вам не нравится то, что нет резистора, разряжающего конденсатор С1 после отключения от сети?

Да нет, что то другое. Хотя и это замечание вполне правильное.

7 часов назад, Cloud+ сказал:

С2 есть смысл ставить только при такой схеме подключения.

Да, точно, именно это тут не хватает. Нужно разграничить переменное туда- сюда от пульсирующего- постоянного.

7 часов назад, Cloud+ сказал:

только еще со стабилитроном параллельно С2

Вместо него вполне можно использовать стабилитрон вместо VD1. Он будет выполнять двойную функцию- пропускать обратную полуволну (холостую), и ограничивать прямое напряжение для недопущения взрыва лита после него, если светик в обрыв уйдёт.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах
so-nic    0

Благодарю за ответы!!! Не ожидал такой активности.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на других сайтах

Ваша публикация должна быть проверена модератором

Гость
Вы не авторизованы. Если у вас есть аккаунт, пожалуйста, войдите.
Ответить в тему...

×   Вставлено в виде отформатированного текста.   Восстановить форматирование

  Разрешено не более 75 смайлов.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отобразить как ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставить изображения напрямую. Загрузите или вставьте изображения по ссылке.

Загрузка...

  • Похожие публикации

    • Гость wwwpilot
      Автор: Гость wwwpilot
      Подскажите варианты защиты светодиодов по току при параллельном подключении. То что удалось найти не проходит. Мне нужно отсечь на 0,8  максимум на 1Ам, Пиковый ток заявлен 1,1А, но учитывая что Китай..  Напряжение 50v. Сам не сделаю, познаний 0. Если простой предохранитель поставить, то как его пересчитать на постоянный ток? Статьи нашел, но там все так сложно... Мне бы циферку конкретную для моего случая, или формулу на уровне таблицы умножения. Заранее спасибо!
    • Автор: nikita02066
      мерцает светодиод в повербанке.
      два аккумулятора в последовательности подключены, нагрузка виде светодиода, при подключении зарядки начинает мерцать светодиод.
    • Автор: Илья Соболев
      Доброго времени суток, уважаемые форумчане. Нужна помощь и консультация по оборудованию модели "звездного разрушителя" освещением. Купил себе на днях сборную модель всем известного звездного корабля, почти начал собирать, но на просторах интернета увидел как ребята такие же корабли значительно улучшили проведя туда подсветку (см. картинку). Так вот теперь нет желания делать его без нее, проблема в том что я ни в электрике ни в пайке диодов ничего не понимаю, за тем прошу помощи. Моделька из пластмассы общая длина корабля 60см. На картинках вижу что по всему корпусу маленькие огоньки, светодиодов таких размеров я не видел, так что варианта у меня 2: первый - маленьким сверлом по корпусу проделаны дырочки и они пропускают свет большой лампы внутри корабля. второй - к каждой такой светящейся дырочке подведен светящий ус (не знаю как он точно называется, но на подобии тех, как были ламы лет 15 назад, с переливающимися светящими усами(фото тоже прикрепил)). В задние двигатели поставлены либо мелкие лампочки, либо светодиоды. В связи с этим вопрос: подскажите как лучше сделать все это освещение, мне нужно чтобы свет по корпусу горел вместе с синими двигателями, а белые включались отдельно. При этом хорошо бы чтоб все это дело было без проводов, от аккумулятора какого-нибудь, внутри модели я думаю места все это уместить хватит. Очень надеюсь на вашу помощь с тем что мне нужно купить и как все это соединить. 



    • Автор: koverets85
      Помогите пожалуйста. хочу сделать подсветку. нужно подключить светодиод синий 5мм. от сети. если я не ошибаюсь потребление светодиода 3,5-4в, ток 15 мА. видел в сети кучу схем. в основном схема как указано ниже. 
      У вас на форуме я нашел такую тему и там более серьезная схема приведена. подскажите какую лучше выбрать и почему простая не подходит? Спасибо!


    • Автор: Александр Пономарев
      ребят помогите с разработкой...
      это надо для онлайн шутера , чтоб можно было видеть из-за какого угла щас выбегут, такой приборчик надо к компу подцепить...

  • Сообщения

    • 1. Чип и дип и даже Фарнелл не являются производителями, поэтому пользоваться их базами даташитов чревато потерей времени и средств. Черпайте информацию у производителя. 2. Вы наверное и отвертку не купите, чтобы закрутить пяток шурупов. Будете мучиться с кухонным ножом.  3. "Скупой платит дважды, глупый - трижды, а лох - всю жизнь." (с)  4. Программатор сам по себе не работает. Ему требуется оболочка для ПК. Вы и ее будете сами писать? 
    • пока их неисправность даже не доказана.   а зуб заболит? Тоже на форум? эта тема ни о чем!
    • DesAlex, стаб такой же, но я попробую заменить. Мне непонятно одно - смещение частоты Тх. Было 8200Гц, а теперь находит 8560Гц. Уже всю плату перерыл, но всё тщетно :-(
    • Для обмена не требуется. Рекомендуется для паразитного питания.
    • radio.elektronik  вам бы географию за 6 класс  перечитать надобно! 
    • получаетсо что D класс в плане питания ни чем не отличаетсо от АВ.... ну хоть греетсо меньше   
    • Принцип работы транзистора.

      Самый главный вопрос, который содействовал созданию физики полупроводников это «каков принцип работы транзистора, как усилительного электронного прибора?». Создателям транзистора пришлось изобрести теорию, в которой выходной ток транзистора увеличивался при поступлении на базу тока в отрицательной полярности. Ответить на этот вопрос без применения термодинамической теории было просто невозможно. Тогда были изобретены «дырки» - ток электронов в валентной зоне. Подвижность «дырок» научились измерять… И было придумано много такого, благодаря чему сегодня мы должны создавать физику полупроводников с нуля. Зонная теория, правда пока никуда не ушла. Но, судя по тому как она смело обошлась с валентными электронами, наверное следует пересмотреть и её. Квантовая теория к физике полупроводников вообще никакого отношения не имеет. Так, как квантовую теорию разрабатывали в начале прошлого века, когда плохо была разработана термодинамика ( отсутствовала теория теплового заряда ), то сегодня она тоже нуждается в пересмотре, а главное в ограничении действия квантовых условий. Теория квантов применима, там, где атом излучает световую волну. Такое явление возникает в светодиодах и полупроводниковых лазерах. Несмотря на это, термодинамика явлений в этих приборах должна быть изучена.

      Существующее сегодня ( в официальной физике ) объяснение работы биполярного транзистора:
      Принцип работы биполярного транзистора
      http://electroandi.ru/elektronika/printsip-raboty-bipolyarnogo-tranzistora.html https://ru.wikipedia.org/wiki/Биполярный_транзистор
      Итак, главный вопрос - «каков принцип работы транзистора, как усилительного электронного прибора?» - должен изменить физику полупроводников.
      У полупроводниковых элементов Пельтье, которые тоже имеют PN-переходы,  энергообмен ( влияние тепла) неплохо изучен.
      Элемент Пельтье https://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/418212
      Почему же полупроводниковый диод остался без термодинамики (термоэлектроники)?

      Сначала изложим правила, по которым происходит энергообмен в PN-переходах.
      Правила:

      1. Вход энергии в PN-переход. ( Эффект Зеебека )
      1.1. Если в PN-переход поступает тепловая энергия в виде эстафетного тока электронов, то она преобразуется в ЭДС на PN-переходе. При этом эстафетный ток преобразуется в инжекционный ток. Инжекционный ток имеет тепловую природу, поэтому не управляется по законам Киргофа.
      1.2. Если входящая энергия создала ЭДС, то эта ЭДС создаёт в PN-переходе прямой ток, по величине этот ток определяется Вольт-Амперной характеристикой соответствующего PN-перехода.

      2. Выход энергии из PN- перехода. ( Тепловой эффект Пельтье. )
      2.1. Если через PN-переход пропускать прямой ток, то на PN-переходе создаётся разность потенциалов ( ЭДС ) согласно Вольт-Амперной характеристики этого перехода. При этом, электроны, проходящие через PN-переход в прямом направлении выделяют тепловую энергию. Процесс выделения тепла определяется сопротивлением Rd.
      2.2. Если вблизи нет соседних PN-переходов ( потенциальных барьеров ), то энергия из PN- перехода выходит посредством эстафетных движений (токов) электронов – что соответствует теплопередаче.
      Если поблизости от выделяющего энергию PN-перехода находиться другой PN-переход, то он создаёт потенциальную яму – отбирает у эстафеты электрон для заполнения своего скрытого электрического барьера, тем самым превращает эстафетный ток в инжекционный. Как уже говорилось, инжекционный ток имеет тепловую природу и не подчиняется законам Киргофа.

      3. Вход энергии в запертый PN-переход. (Холодильный эффект Пельтье.)
      3.1. Энергия, входящая в запертый PN-переход способна реализовать электронное управление. При входе энергии в запертый PN-переход, сам PN-переход начинает работать сразу в 2-х режимах.
      В нём создаётся ЭДС и протекает прямой ток, сгласно поступившей энергии. (Эффект Зеебека.) Инжекционный ток несёт с собой тепловую энергию. Эта тепловая энергия поглощается в запертом PN-переходе и через переход совместно с прямым током протекает и обратный ток, равный по величине прямому току – это соответствует холодильному эффекту Пельтье. Величина ЭДС устанавливается согласно эмиссионному уравнению для прямого тока PN-перехода, и дополнительно она складывается с разностью потенциалов, создаваемой обратным током.
      3.2. Кроме энергии электронного управления, запертый PN-переход перехватывает все возможные другие поступающие энергии. В эти энергии входят следующие:
      - энергия световых волн.
      - энергия тепла.(Локальное тепло относительно температуры окружающей среды. )
      - энергия тепла, возникающая при протекании электрического тока, при конвертировании энергии источника в тепло – это соответствует закону Джоуля-Ленца.
      - энергия обратного напряжения. ( Подобное явление – это эффект Эрли.)
      Все эти энергии участвуют в процессе управления обратным током.

      Схема с общей базой.

      Рассмотрим работу транзистора как термодинамического электронного прибора в схеме с Общей Базой.
      Работу рассмотрим поэтапно, исследуя во времени 4 момента. Такое рассмотрение удобно для понимания термодинамического принципа работы транзистора. На самом деле – в реальности – транзистор включается в работу мгновенно. Итак, 4 момента во времени. Рис. 1. Момент 1.
      Момент 1. Включение цепи. Токи ещё не начались. Здесь на рисунке, транзистор показан в виде 3-х областей NPN, Rвх – входное сопротивление, принадлежащее цепи входного сигнала, Rн – сопротивление нагрузки ( или сопротивление для измерения токов коллектора ), Eб – источник напряжения, представляющий из себя входной сигнал. Eк – батарея цепи коллектора. Полярности включения Eб и Eк отмечены знаками «+» и «-». Рис. 2. Момент 2.
      Момент 2. Через переход База-Эмиттер протекает входной ток. В переходе База-Эмиттер возникает выход тепловой энергии в виде эстафетного тока электронов – обозначен сиреневыми двунаправленными стрелками. Эстафетный ток электронов возникает в том случае, если есть градиент температуры и происходит процесс теплопередачи. В данном случае переход База-Эмиттер теплее холодной потенциальной ямы перехода Коллектор-База. Вольтметр В1, подключенный к переходу База-Эмиттер показывает разность потенциалов (ЭДС), согласно Вольт-Амперной характеристики перехода. В PN- переходе База-Эмиттер протекает прямой ток, обозначенный синими стрелками. Рис. 3. Момент 3.
      Момент 3. Эстафетный ток достиг потенциальной ямы – перехода База-Коллектор. У перехода База-Коллектор есть скрытый электрический барьер, который отрывает электрон от эстафеты, заряжая тем самым барьер. В результате постоянного отрыва последнего электрона ( достигшего перехода База-Коллектор ), эстафетный ток преобразуется в инжекционный, направленный от перехода База-Эмиттер в сторону перехода База-Коллектор. Инжекционный ток имеет термодинамическую природу.
      Скрытый электрический барьер перехода База-Коллектор начинает заряжаться, в переходе База-Коллектор возникает ЭДС ( измеряется вольтметром В2 ). Соответственно этой ЭДС, согласно эмиссионному уравнению перехода База-Коллектор, через переход База-Коллектор протекает прямой ток – на схеме обозначен синими стрелками. Рис. 4. Момент 4.
      Момент 4. Электроны инжекционного тока приносят в переход энергию. Через PN-переход База-Коллектор начинает протекать обратный ток, согласно холодильному эффекту Пельтье. Величина обратного тока зависит от полученной энергии от перехода База-Эмиттер. Поэтому ток коллектора Ik не превышает Ib. Энергия, забираемая от перехода База-Эмиттер определяется некоторым резистором Rd.
      Вольтметр В2 показывает уже не ЭДС в чистом виде, некую сумму этой ЭДС и разности потенциалов, создаваемой обратным током. ЭДС прямого тока перехода База-Коллектор существует, и ток коллектора Ik без неё был бы невозможен. Усилитель по схеме с общей базой работает! Если к коллектору приложить высокое напряжение (порядка 100 Вольт для кремниевых транзисторов), то это напряжение не попадёт на вывод эмиттера, по той простой причине, что у инжекционного тока природа – термодинамическая. Электроны инжекционного тока движутся в сторону коллектора из-за явления теплопередачи! Высокое напряжение коллектора не может повернуть их назад, так, как контуры тока – входного и выходного - ( по закону Киргофа для электрических цепей ) разорваны.

      При изготовлении транзистора, переход База-Коллектор делается более чувствительным к энергии, а значит – более управляемым. Для перехода База-Коллектор параметр TF значительно выше, чем для перехода База-Эмиттер. Например, для транзистора КТ312В для перехода База-Эмиттер TF = 550 Кельвин, для перехода База-Коллектор TF = 843 Кельвин.
      Если у батареи Eк поменять полярность и тем самым создать прямой ток в переходе База-Коллектор, то возникает процесс, когда оба перехода транзистора будут выделять тепловую энергию. Согласно термодинамике, эстафетный ток электронов возникнет при различном нагреве этих переходов. Передача энергии при этом будет осуществляться методом уравнивания термического заряда (это принцип теплопередачи), от горячего объекта к более холодному. В данном случае, более горячим объектом окажется коллектор ( TF определяет более тёплый переход, при одинаковых приложенных напряжениях, для КТ 312В: 843К > 550К). Эстафетный ток двинется к эмиттеру и превратиться в инжекционный. После чего к ЭДС эмиттера добавиться разность потенциалов – в результате теплового инжекционного тока несущего энергию от перехода База-Коллектор.
      Если увеличивать ток в переходе База-Коллектор, ЭДС в переходе База-Эмиттер будет увеличиваться. Этот процесс будет выглядеть как смещение Вольт-Амперной характеристики перехода База-Эмиттер в сторону более больших напряжений.
      Из-за параметров своего эмиссионного уравнения, переход База-Коллектор обладает более смещающим действием на Вольт-Амперную характеристику перехода База-Эмиттер.

      Точно также объясняется работа схемы с общей базы транзистора PNP- типа. Для инжекционного тока важно наличие горячего и холодного PN- переходов. А направление его движения определяется разностью их температур.
      Не нужны такие фикции как «дырка» и «дырочная проводимость», когда явление электронного управления возможно объяснить с помощью понятия теплопередачи, посредством эстафетных и инжекционных токов, с позиций термодинамики.

      Схема с общим эмиттером.


       Так, как тепловой ток (ему соответствует параметр – мощность, или по другому – входной энергетический сигнал) управляет закрытым переходом, то в схеме с общим эмиттером между переходами возникает многократное отражение этого сигнала. Оба перехода играют роль зеркал, а кратность отражения соответствует коэффициенту β. Как известно, β изменяется в зависимости от протекающего тока (эффект Кирка).

      Рассмотрим работу схемы с общим эмиттером, применяя метод остановки времени – с помощью временных моментов.
      Рис. 1. Момент 1.
      Момент 1. Включение цепи. Токи ещё не начались. Здесь на рисунке, транзистор показан в виде 3-х областей NPN, Rвх – входное сопротивление, принадлежащее цепи входного сигнала, Rн – сопротивление нагрузки ( или сопротивление для измерения токов коллектора ), Eб – источник напряжения, представляющий из себя входной сигнал. Eк – батарея цепи коллектора. Полярности включения Eб и Eк отмечены знаками «+» и «-». Рис. 2. Момент 2.

      Момент 2. Через переход протекает ток входного сигнала. Возникает выход из перехода База-Эмиттер тепловой энергии. Возникает явление теплопередачи посредством эстафетного тока электронов. На рисунке 20 эстафетный ток обозначен двунаправленными стрелками фиолетового цвета. В переходе База-Эмиттер возникает ЭДС, согласно Вольт-Амперной характеристики. Синими стрелками в переходе База-Эмиттер обозначен прямой ток.
      О величине Ib и процессе многократных отражений:
      Первоначально величина Ib имеет максимальную величину, но с каждым последующим отражением величина этого тока будет уменьшаться… Если на вход входной сигнал подаётся через стабилизатор тока, то с каждым последующим процессом отражения возникает явление смещения входной характеристики в сторону более больших напряжений, что как раз и показывает уменьшение величины Ib. Рис. 3. Момент 3.
      Момент 3. Эстафетный ток достиг потенциальной ямы PN-перехода База-Коллектор. Электрон эстафетного тока, достигший перехода База-Коллектор отрывается электрическим барьером этого перехода и идёт на создание ЭДС этого перехода. Из-за этого эстафетный ток преобразуется в инжекционный. Но природа этого тока осталась прежней – это явление теплопередачи. Запертый переход База-Коллектор является холодным ( холодильный эффект Пельтье ), а переход База-Эмиттер является горячим (тепловой эффект Пельтье).
      Скрытый электрический барьер перехода База-Коллектор начинает заряжаться. Возникает ЭДС. Соответственно этой ЭДС, согласно Вольт-Амперной характеристике перехода База-Коллектор, через переход База-Коллектор протекает прямой ток – обозначен синими стрелками. Рис. 4. Момент 4.
      Момент 4. Первое зеркальное отражение. Закрытый переход База-Эмиттер получает энергию от перехода База-Эмиттер посредством инжекционного тока. Холодильный эффект Пельтье срабатывает и начинает течь ток коллектора Ik. Его можно назвать 1-м зеркальным отражением, потому что, ему предстоит пересечь переход База-Эмиттер в прямом направлении, что вызовет увеличение инжекционного тока – на рисунке 22 это показано как сумма инжекционных токов E1+E2. Следующим шагом будет прибавление к току коллектора ещё одной его порции – второе зеркальное отражение.

      Итак, коллекторный ток становиться источником выброса добавочной энергии, выражающейся в инжекционном токе E2. Этот выброс должен далее создать второе зеркальное отражение, то есть прибавку (удвоение ) тока коллектора.

      После будет утроение коллекторного тока, после ток возрастёт в 4 раза…
      Такой процесс отражений происходит β раз. Казалось бы умножению не будет конца, но существует процесс, ограничивающий β. Это как раз процесс выделения тепла в переходе База-Эмиттер. Процесс выделения тепла определяется резистором Rd, который вносит отрицательную обратную связь для тока База-Эмиттер. Этот процесс сопровождается смещением входной характеристики, и тем самым уменьшением порции входного тока Ib.
      Процессы положительной обратной связи (ПОС) и отрицательной обратной связи (ООС) уравновешиваются при β равном 100 – 300 раз.
      Кольцо ООС ограничивает количество отражений до β раз.
      Если процесс многократных отражений превысит процесс ограничения, то на выходной Вольт-Амперной характеристики транзистора образуется S-образный участок, говорящий о существовании ПОС. Такой режим возникает у германиевых транзисторов при малых токах базы ( 1- 10 мкА), при больших ( порядка 10 Вольт ) коллекторных напряжениях. Такие же процессы, приводящие к образованию S-образной характеристики, происходят при работе динисторов и тиристоров.

      Объяснение работы биполярного транзистора дано с учётом термодинамики (термоэлектроники).

      Источник:
      Принцип работы транзистора
      https://my.mail.ru/community/blog.physics/60DED587A8C5F9E0.html
      Валерий Багницкий,
      07-06-2011 Инжекционного в кавычках. Инжекционный ток - это тепловой ток, посредством электронов.