Сопротивление в цепи эмиттера

[Kln20]

При усилении резистор Rэ меняет сопротивление в h21э раз. Не понимаю физики процесса?

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[Vascom]

Обычный резистор не может менять сопротивление. Откуда такие данные?

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[Kln20]

Формула то есть. 1кОм*h21э=3кОм

[Реклама]

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Гость гость]

2 часа назад, Kln20 сказал:

При усилении резистор Rэ меняет сопротивление в h21э раз.

Кажущееся (со стороны базы) сопротивление Rэ больше истинного в h21э раз (приблизительно). Т.е., при увеличении напряжения, например, на 1В ток через Rэ увеличится на 100мА. Следовательно, Rэ=1В/0,1А=10Ом. Но в базе при увеличении напряжения на 1В ток увеличится на 1мА, т.к. h21э=100. Складывается впечатление, что Rэ=1В/0,001А=1000Ом, т.е. Rэ в h21э раз больше. Во как!

[Alkarn]

Rin=U/I. При том же входном напряжении ток базы меньше, т.к. к переходу база-эмиттер приложена только часть входного напряжения. Значит, входное сопротивление возрастает. Почему в H21 раз - составь уравнения Кирхгофа, реши систему, получишь результат. Приблизительно Rбэ+Rэ*h21.

[Vascom]

А, вы о входном сопротивлении...

[Alkarn]

Пардон, не все так просто!

Не досмотрел. Если эмиттерный резистор шунтирован конденсатором достаточно большой емкости, входное сопротивление переменному току от Rэ практически не зависит. Согласно той же формуле, т.к. сопротивление конденсатора переменному току может быть близким к 0. Формула относится к нешунтированному резистору в эмиттере.

[Kln20]

2 часа назад, Alkarn сказал:

к переходу база-эмиттер приложена только часть входного напряжения

Какая именно часть имеется ввиду?

[Alkarn]

Входное напряжение Uвх делится на 2 части: Uбэ и Uэ. Чтобы определить, как эти части соотносятся между собой, надо знать основы теории цепей. Хотя бы законы Ома и Кирхгофа. Повторяю, это относится к случаю когда нет Сэ. При наличии этого конденсатора и его достаточной величине входное напряжение полностью приложено к переходу б-э и никакого увнеличения входного сопротивления по переменному току нет. Для постоянного тока входное сопротивление транзистора равно приблизительно Rэ*h21. Сопротивление всего каскада меньше за счет делителя R1, R2.

[Kln20]

Вообщем почти понятно. Ещё вопрос, Uк меняется почти от нуля и почти до источника питания усиление по напряжению. Но если мы убираем Rк(эмиттерный повторитель) почему Ue не меняется в таких же пределах ведь транзистор опять меняется от почти открыт и до почти закрыт усиления по напряжению нет?

Изменено 26 июля, 2018 пользователем Kln20