Перейти к содержанию

p-канальный биполярник, почему так??


AneoX

Рекомендуемые сообщения

Читал про схемы общий эмиттер и общий коллектор, но так и не понял в чем преимущество именно варианта на схеме.

Пробую в симуляторе менять местами коллектор и эмиттер, оба варианта рабочие, т.е вся схема работает как нужно.

Порядок такой:

Ldo выключен, микросхема IC1 по событию дергает прерывание INT и удерживает, LDO просыпается и дальше там проц уже делает что нужно и засыпает вновь, вырубив подтяжку INT на обоих мосфетах, тем самым вырубая Q1. У процессора есть связь с микросхемой IC1 по шине SPI, этого на схеме не указано.

Я привык вешать нагрузку на коллектор p-канального биполярника. Обьясните пожалуйста, почему на схеме наоборот и чем это лучше.

 

2018-10-07_22-04-32.png.c342320c9ecb7ae152d0aa818abce626.png

 

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

1. кто сказал что схема верная

2. нужно рассматривать напряжение на ЭБ,

Читайте книжки и учите теорию

к тому же не путайте включения транзистора по схеме с ОК и ОЭ для ключевого режима

и когда транзистор используется с усилением

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

19 минут назад, AneoX сказал:

Читал про схемы общий эмиттер и общий коллектор, но так и не понял в чем преимущество именно варианта на схеме.

А Вы попробуйте получить усиление по напряжению в схеме с общим коллектором. Или получить хоть какое-то усиление на граничной частоте в схеме с общим эмиттером.

Не можешь-научим! Не хочешь-не надо!P.S. А достанешь-заБАНят!

Решительный шаг вперёд-как правило результат хорошего пинка сзади.

Не тратьте силы, возьмите молоток побольше!

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

@hasl  

1. схема от производителя IC1 из даташита.

2. vbat 7-30в, автомобильная борт сеть, напряжение на LDO_EN должно быть выше 2в для старта LDO

 

здесь я думал нужен как раз ключевой режим, подать напряжение на LDO_EN 

 

@Hambaker  читал я про то что частотные характеристики транзистора лучше в схеме с общим коллектором, а усиление лучше с общим эмиттером, но тут ведь ключевой режим и токи мизерные.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

А  "р-канальный биполярник" это вообще из разряда  "Кто здесь?!!"

Не можешь-научим! Не хочешь-не надо!P.S. А достанешь-заБАНят!

Решительный шаг вперёд-как правило результат хорошего пинка сзади.

Не тратьте силы, возьмите молоток побольше!

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Или биполярный p-n-p?
К слову, если перепутать выводы коллектора и эмиттера у биполярного транзистора (как это сделано на схеме в первом посте), при низких напряжениях он будет работать. Но не всегда и не везде... Н21э упадет на порядок, также значительно упадет макс. напряжение в закрытом состоянии (оно будет ограничено напряжением Uэбо max)... Это недокументированный и скорей даже "вредный" режим работы биполярного транзистора.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

@IMXO @СКУПОЙ  

p-n-p биполярный Q1, мосфеты на схеме n-p-n

 

@СКУПОЙ 

для включения LDO нужно >2В на LDO_EN, а единственный ключ который может работать при отключенном LDO это мосфет в IC1 который по схеме открытый коллектор подключен к LDO_EN. 

Q1 для этого и применен, т.е большого усиления там не надо, достаточно 2В и нескольких мА на его эмиттере. Но почему в таком включении, мне интересно, об этом и спрашиваю, потому как плохо разбираюсь в биполярных транзисторах. Я бы включил коллектором к LDO_EN и эмиттером к Vin, где правда?)

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

7 минут назад, AneoX сказал:

Я бы включил коллектором к LDO_EN и эмиттером к Vin, где правда?)

Мне повториться? Включайте как положено - коллектором к LDO_EN и эмиттером к Vin. Схема ключа на биполярном транзисторе структуры p-n-p с общим эмиттером, в вашей схеме коллектор и эмиттер перепутаны.

7 минут назад, AneoX сказал:

мосфеты на схеме n-p-n

Мосфеты не бывают n-p-n или p-n-p. У них-то как раз есть канал n или p - типа. Как сказал IMXO, есть также IGBT транзисторы - гибрид полевого и биполярного. Учите матчасть.

PS. Заголовок - жесть

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Поигравшись в симуляторе, думаю сделано так для того чтобы как раз снизить усиление и ток на эмиттере, чтобы при необходимости можно было меньшими потерями снизить напряжение на LDO_EN если Vin превышает LDO_EN(max).

Симулятор показывает напряжение на базе 29.3В при Vin 30В

 

@СКУПОЙ

я эту схему видел в разных истониках и подобные схемы тоже. Не думаю что это опечатка.

Изменено пользователем AneoX
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

@СКУПОЙ

Вы меня поймите правильно, я вижу что 

10 минут назад, СКУПОЙ сказал:

в вашей схеме коллектор и эмиттер перепутаны.

я поэтому и пришел сюда, узнать возможные причины не обычного включения, а вы все одно мне говорите)

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

33 минуты назад, AneoX сказал:

возможные причины

Нарисовали так, вот и все возможные причины.

Хорошо зафиксированный пациент в анестезии не нуждается

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

@минздрав ну судя по симулятору, ток на Vin, если отбросить нагрузку МК и прочего, в два раза ниже. Пока у меня версия такая, чтобы беречь аккумулятор. Всетаки IC1 из разряда Automotive и схема оттуда же.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Причина - ошибка.

Транзистор очень редко включают перевернутым в качестве ключа с малым напряжением насыщения. Это не документированное свойство и здесь причин его использовать не видно.

 

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Убедили, полез искать и нашел еще один даташит от демоборды с этим чипом. И там как раз все обычно. Спасибо всем!

5bba60cee2e42_2018-10-08_01-32-09.png.2e7b8b252614a708f1dc53fb00b3ce95.png

 

Но тут схема предполагает разовое срабатывание прерывания, обработка и выключение МК.

Мне же нужно чтобы МК остался в рабочем состояние и прерывание(INT) могло работать с пробужденным МК. МК должен вырубаться по своему усмотрению. 

Думаю вот так изменить схему, добавив R122, как думаете, будет работать? Это последний вопрос в теме с заголовком 

1 час назад, СКУПОЙ сказал:

PS. Заголовок - жесть

 

2018-10-08_01-32-09.png.cd5c76bfe6f071dcc822fec5735d2608.png

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Гость
Unfortunately, your content contains terms that we do not allow. Please edit your content to remove the highlighted words below.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Восстановить форматирование

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

Загрузка...
  • Последние посетители   0 пользователей онлайн

    • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу
  • Сообщения

    • Ну вот, пока готовил эскиз, на все вопросы ответили :-) Действительно, в 3D моделях DipTrace нет (или не нашёл) модели корпуса ТО220 с распайкой с нижней стороны и креплением к радиатору - по этому и получился такой 3D-портрет платы. Задуманная конструкция выглядит примерно так:  По факту, для наладки, сейчас подключаю транзисторы, закрепленные на радиаторе, проводами.
    • Чтобы потом не допиливать паровоз до истребителя. Заводские варианты схемотехники куда более предсказуемы. Из "вольностей" в первую очередь как-то решать проблему коммутации, подходящий переключатель для режимов искать история долгая и грустная. Что-то там с реле. На диапазоны 6п4н вроде же ?  пг2 хрен найдёшь, п2г тугое неудобство(  Рассыпушный ацп делать, боже упаси. Ну разве что был грешен, побаловался когда-то пнч-ацп. С 1108пп1 и 155 серией
    • Но зачем повторять 1в1? Там дана просто топология   Но не совсем же с нуля. Маловероятно, что вы найдете расширение диапазона 7135 до 200мВ по тому же методу, что это реализовано в В7-38, тем не менее, это вполне реализуемо. А вот до 20мВ я спустить диапазон не смог Что-то предусилитель интегратора отказывается вести себя хорошо   Для сравнения, та же точка (вход интегратора) при 200мв пределе, усиление х10   Ну и 2В Госпаде боже лтц2400, на этой штуке можно и 6 разрядник собрать, лютый АЦП, какие 4.5 разряда Цена на него сейчас конечно негуманная кстати.
    • Что то не нашёл примеров такой реализации замены. С нуля целесообразность подобного действа под вопросом. Тут мои полномочия всё) Как бы почему смотрю на hm8011-3, возможность реализации +/- норм настольного мультиметра без всякой там жести в виде кодинга и микро-мелких современных элементов. Для калибровки валяется где-то в1-12 и прецизионных резисторов если моих не хватит, есть где заказать.  На данный момент разве что качественного файла нет, пытался там всякими улучшайками чего сделать, увы. Пойду через впн лазить по уголочкам всяким, вдруг всплывёт чего. ------------- 8012, 80c32 + 27c512. Чертежи плат есть, осталось hex раздобыть 
    • Вот на этом фото? Я думал  тут радиатор будет под ними, и они к нему "пузом" будут прикручиваться, а дырочки - для отвёртки. У @asng60 транзисторы в наружную сторону "мордой" смотрят. "Пузом" на плату ложатся. Плата так разведена. Вот и непонятно, как их "пузом" к радиатору прикручивать.
    • Что касаемо модели Парафина, я бы порекомендовал товарищу Джексону проверить ток покоя выходного каскада, это первым делом, и вторым делом- проверить модель ОУ. Ибо в ОМ нет никаких оу а в парафине- есть. 
×
×
  • Создать...