Южнокорейский производитель полупроводниковой памяти NETSOL разработал микросхему памяти нового поколения STT-MRAM.

STT-MRAM — это усовершенствованный тип магниторезистивной энергонезависимой памяти.
MRAM - магниторезистивная память с произвольным доступом, где биты данных, в отличие от DRAM, хранятся с использованием магнитных состояний вместо электрических зарядов. Благодаря 28-нм технологической норме, SST-MRAM от NETSOL может похвастаться низким энергопотреблением и компактными размерами. Массовое производство STT-MRAM стартовало в 2022 году. Продукция может использоваться в самом широком спектре применений:

- Медицинская аппаратура
- Интернет вещей
- Автоэлектроника
- Телекоммуникации

Источник: https://www.kedglobal.com/korean-startups/newsView/ked202211110033