Mrakobes-ice

Всетаки я не пойму одну вещ- на границе насыщения токи базы и коллектора более-менее связаны линейно через коэффициент усиления тока, но уже переходя границу зпвисимость пропадает... Каким тогда образом можно узнать ток базы, зная ток коллектора в насыщении (кроме замера)? Использовать бэту ведь уже нельзя... Отправлено с моего LG-H736 через Tapatalk

т.е. если "h21Э=10..40" это значит что отдельный экземпляр транзистора в лучшем случае может иметь коэффициент усиления 40, а в худшем 10? (это некоторый допуск, да?)

Можете немного пояснить про некоторые непонятные мне параметры биполярных транзисторов? если не сложно... Я пользуюсь МРБ-справочником, и в нем параметры несколько отличаются от тех, что вы указали... 1. С максимальными параметрами все понятно (Ik max, Uke не видел - есть Uke0(max) макс. напряжение коллектора при отключенной базе, Uker(max) на сколько понимаю макс. напряжение коллектора, замеренное с подключенной через некоторое сопротивление базой, только вот я нигде не видел чтобы это сопротивление было указано); Pk(max) - максимальная мощность коллектора при активном режиме работы транзистора (ни отсечки)? при учете Ik(max); 2. Параметры "Ik, Ie, Ib", "Uke", "Ukb" это как я понимаю активные параметры для разных схем включения транзистора (да? т.е. это ни максимальные, а что-то вроде оптимальных?); 3. Есть 2 вида коэффициентов усиления по току "h21Э" в режиме большого сигнала и "h21э" в режиме малого сигнала (можете объяснить в двух словах что это за режимы такие, и чем эти параметры в итоге отличаются). Почему в некоторых случаях коэффициенты указаны в единственном числе, а в других в виде диапазона вроде 10...40? 4. В справочнике МРБ указаны параметры Uкэ(нас)/Uбэ(нас), но почему-то не указаны токи (вы написали "Uкэ нас = 2.5В: в даташите ведь указано, что это значение напряжения насыщения при Iк = 3А, Iб = 0.37 А"... у меня таких токов нету)... вообще дурацкий очень неудобный, непонятный справочник х), смотрите во вложении. Что например означает отсутствие значения "Ik и(max)"? что параметр не известен? или что он такой-же как и в столбце выше? или он не был указан по иным причинам х)

ну а если скажем в датащите написано что Uкэ нас = 2.5В (КТ837Б), то в режиме насыщения реально должно быть <= 2.5В? может же транзистор с такими параметрами уходить в насыщение при меньшем напряжении? как вообще понять что транзистор в насыщении? ну вроде как при изменении тока базы (в схеме с ОЭ) ток коллектора должен быть примерно равен номинальному току нагрузки в цепи коллектора, и практически не изменяться, да? Я попробовал собрать схемку на указанном транзисторе, при напряжении питания в 4В, сопротивлении в цепи базы "Rб" в 1К, а в качестве нагрузки лампочка на 3.5В/0.15A... вот что получилось: Iб ~ 4mA Iк = Iн ~ 128mA Iэ ~ 124mA <--- почему ток эмиттера получился больше? и не выполняется соотношение iэ = iб + iк...? Ur(б) = 3.39В Uбэ = 0.64В Uн = 3.14В Uкэ = 0.88В А если сопротивление сбросить примерно до 150ом (141.8Ом), то ток базы сильно возрастает (Iб = 25.1mA), и токи эмиттера/коллектора незначительно (Iк = 133.1mA, Iэ = 154.5mA)... в этом случае, с погрешностями китайского мультиметра можно увидеть что соотношение iэ = iб + iк сохраняется. Я еще вот чего не могу понять, скажем в справочнике указаны некоторые Uкэ и Ik... они взаимосвязаны? т.е. это напряжение перехода КЭ при некотором токе базы (который почему-то не указан), и указанном токе коллектора? А как оба перехода могут быть открыты одновременно? в схеме с ОЭ например, коллектор и база одновременно подключены к одному потенциалу, разве при этом может быть смещен переход КБ? или под этим понимается что-то другое?

Есть такая программа "Every Circuit" (ссылка открывать в хроме!)... Каждый элемент в ней имеет набор стандартных свойств, но эти свойства часто не совпадают названиями с параметрами из справочника. Например, параметры транзистора: Saturation Current - ? Forward Beta - обычная бэта для схемы с общим эмиттером "B(h21)"; Reverse Beta - бэта для схемы с общим коллектором - "Ki(h21)"; Collector resistanse - ? Base resistanse - ? Emitter resistanse - ? Объясните мне кто-нибудь, что из себя представляют остальные параметры! никак не могу понять, и найти ничего вразумительного, особенно по "Saturation Current" (току насыщения). В вики сказано что ток насыщения - это часть обратного тока, вызванного диффузией неосновных носителей заряда... ОК, как я понял оно должно учитываться в реальном прямом токе транзистора, но как оно учитывается - не понятно... При увеличении обратного тока, увеличивается и ток протекающий через транзистор... но этот ток очень мал (изначально вообще установлен в 1 фемтоампер), а потребление тока растет на значительно большие величины... Ну и может кто-нибудь знает, зачем предоставлена возможность указывать сопротивление коллектора/базы/эмиттера? ведь реально их узнать невозможно (это какая-то модель?)

Предполагаю, что решать нужно так (исправьте меня, если где-то ошибаюсь): 1. Определяем параметры, при которых транзистор входит в насыщение... (в справочниках чаще всего встречается параметр "Uкэ (нас)", т.е. это фактический минимум, до которого может опустится напряжение перехода КЭ в режиме насыщения... но я как понимаю нужно знать ток базы "Iб (нас)", при котором транзистор уходит в насыщение... но его нет. как его найти?); 2. Подбирается некоторое сопротивление R1 дающее прямое смещение (кстати, как его лучше подобрать? т.е. нужно же обеспечить минимальный ток, для открытия транзистора, или как-то иначе?). Одновременно подобрать конденсатор C1, чтобы цепочка R1C1 обеспечила необходимую частоту (исходя из необходимой постоянной времени). 3. Зная ток насыщения базы, и ток начального смещения базы, рассчитывается вторичка (т.е. поскольку токи входящие в базу/узел складываются по закону Кирхгофа, то вычисляем необходимый ток и напряжение, задающееся Rэ (сопротивление-нагрузка в цепи эимттера)); 4. Рассчитываются оставшиеся обмотки трансформатора... и все... да??? Входные параметры блокинга (если кто нибудь желает поделиться примером :D): Uпит - питание схемы 5V (соответственно, это напряжение первички); Wпит - мощность источника, 0.3А => 1.5W; Uвых - 40V; Iвых - 0,08А;

Привет всем! не могу понять как правильно работает блокинг-генератор, и главное - как рассчитать параметры его элементов... Например, вот по такой схеме: схема Как я понимаю, суть работы блокинг-генератора заключается в зарядке/разрядке конденсатора в цепи вторичной обмотки через положительную обратную связь, что вызывает цикличное отпирание/запирание транзистора (и ни всегда полное): 1. В начальный момент времени база транзистора немного смещена в прямом направлении (за счет резистора "R1") и через переход КЭ проходит малый ток, а напряжение перехода велико (стремится к Uкэ0 max). Резистор "Rэ" нужен для ограничения тока перехода БЭ, верно? т.е. в некоторых случаях в нем вообще нет необходимости... 2. За счет положительной обратной связи, при прохождении тока через первичку и переход КЭ, во вторичке индуцируется ЭДС, причем вторичка подключена так, что ток течет в сторону базы (т.е. обмотка перевернута) и конденсатора, тем самым заряжая его, и увеличивая ток БЭ увеличивается ток КЭ... напряжение на КЭ падает в сторону "Uкэ нас", а напряжение на БЭ также растет вместе с током обратной связи... 3. Транзистор переходя в режим насыщения перестает увеличивать ток коллектора, и при этом моментально перестает увеличиваться ток и ЭДС во вторичке (из-за отсутствия обратной связи). Конденсатор C1 заряжается до напряжения на вторичной обмотке (может ли конденсатор уйти в насыщение раньше чем это сделает транзистор??? если ток вторички будет большим...), а ток через конденсатор стремится к нулю... Эм... а вот что дальше происходит, я ничего не понимаю =) точнее, не очень уверен... мое предположение: 4. Ток через конденсатор больше не проходит, а его заряд имеет обратную полярность... конденсатор может обеспечить большую обратную ЭДС, которая "перекрывает" то прямое смещение, образуемое током резистора R1. Ток конденсатора удерживает транзистор закрытым в течении продолжительного периода времени, медленно разряжаясь через тот-же резистор R1... в процессе разрядки ток и обратное напряжение не меняется, т.к. конденсатор также разряжается и через вторичку, что создает также ЭДС индукции в первичке (обратный блокинг-процесс), и чтобы препятствовать воздействию обратного тока на транзистор (его случайного перехода в "инверсный режим", в связи с прохождением тока через КБ) включен диод VD1, гасящий это ЭДС... Ну и когда конденсатор полностью разрядится (и ЭДС индукции вторички перестанет поддерживать изменение тока в цепи), транзистор также быстро откроется прямым смещением с резистора "R1", и весь процесс пойдет по кругу... Верно мыслю? я еще только учусь =) своим ходом... Исходя из этого, как мне рассчитать данную схему блокинг-генератора? (да, я знаю что в интернете куча статей, как две капли похожих друг на друга... и написанных так, что мозг сломаешь.. С чего лучше начать рассчет?

Доброе время суток! Вот объясните мне пожалуйста, что значит фраза "Если эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения"? Во многих вики написано что для того чтобы транзистор вошел в режим насыщения, необходимо сместить оба его перехода (как я понимаю Э-Б и Б-К) в прямом направлении (а в активном режиме прямосмещенным является только переход Э-Б). Но на деле как я понимаю транзистор переходит в режим насыщения только если ток коллектора перестает подчиняться формуле (B=ik/ib < iнас), и ток базы будет соответсвенно больше чем необходимо... Разве в этот момент коллекторный переход является реально смещенным в прямом направлении? как я понимаю это бы означало что ток через коллектор течет в обратном направлении (т.е. это равносильно подключению коллектора к контакту эмиттера) - раз уж этот режим почему-то еще называют "режимом двойной инжекции"... но ведь это бред, не так ли?