Для напряжения более 12,6В VD5 нужен кремневый, а для напряжения 12,6В падение напряжения на кремневом диоде будет многовато, а для напряжения 8,4В вообще много. Что касается обратного тока диодов шоттки , замерял обратный ток нескольких диодов 1N5817 1N5819 1N5822 при обратном напряжении около 12В значения тока получились от 2 до 7мкА. Но даже если обратный тоа VD5 будет 100мкА то чтоб разрядился аккумулятор ёмкостью 1,5Ач понадобится забыть его на 15000ч. Что нереально если аккумулятор используется.
А на что будет критически влиять ток утечки С4?
Термостабильности TL431 достаточно для данного применения. Попробовал нагреть TL431 до температуры примерно 60 градусов, выходное напряжение схемы упало на 100мВ, что допустимо для трех банок.(допустимое оклонение 50мВ на банку). Можно пример китайского контролера заряда для болле чем одной банки лития? Что касается термостатирования TLки то это лишнее, лучше уж ввести термозависимые элементы в делитель TLки.
Некоторые пояснения по схеме:
Печатная плата приведенная мной не предназначена для установки VT3 непосредственно на плату(расположение контактных площадок ЭКБ не соответствует расположению выводов транзистора)
Схема не может заряжать глубоко разряженные аккумуляторы, при просадке напряжения на выходе ниже 9-8В. Схема уйдёт в шатдаун.