Jump to content

Serebro

Members
  • Content Count

    11
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About Serebro

  • Rank
    Новенький

Электроника

  • Стаж в электронике
    1-2 года
  1. Добрый день, подскажите какую марку высоковольтных конденсаторов выбрать (С7,С8,С9). Конденсаторы стоят в качестве снабберов . http://uploads.ru/yuqbK.jpg
  2. Суммарное значение - в ряде случаев не указывается в DS - и ее определяют на основе экстраполяции. В Статье: Управление изолированным затвором IGBT. Основные положения, Часть 1. Есть строка: ...Если в спецификации транзистора приводится только положительная область характеристики, то суммарное значение QG может быть определено с помощью экстраполяции, Т.е. в ряде случаев - есть только график, а не числовое значение общего заряда затвора
  3. Да, это я знаю, только он не всегда присутствует
  4. Ах вон тут какая магия...тогда действительно = Vbias = 15В Григорий, это только одна из методик расчета...вы видели какие-либо еще? Например я встречал следующие: Предлагается вашему вниманию две методики расчета сопротивления цепи затвора (емкость затвора транзистора IRF3808 составляет C=5300 pF, время включения транзистора t=100 ns): 1. Заряд конденсатора характеризуется постоянной времени заряда, то есть это время, за которое конденсатор зарядится до уровня 0,63% от напряжения питания. t = RxC. Определим из нее резистор. 100ns = Rx5300pf. Следовательно R = 18,86 Om. Ток, протекающий по цепи заряда, будет определяться как I = ( Uп - Uс)/R. В начальный момент, когда уровень заряда конденсатора равен нулю, ток в цепи будет максимален. Отсюда Iмакс = 10 / 18,86 = 0,53 А. Общий ток в нашей схеме из 6 транзисторов равен 6*0,53 = 3 А. Если учесть, что реальный переходной процесс заряда равен 3 - 4 постоянным времени, то Значение резистора можно уменьшить до 6 Ом. В общем практически резистор будет от 20 Ом до 6 Ом. 2.Средний ток заряда емкости затвора I=(Uп-Uc)xC/t = (10-0)x0,0000000053/0,0000001=0,53 A Следовательно R=U/I=10/0,53=18,86 Ом. Таким образом обе методики дают один и тот же результат. Уменьшая величину резистора, принимайте во внимание нагрузочную способность схемы управления. Примененная в нашем устройстве схема IR2110 способна обеспечить ток 2 А. Автор отталкивается от того емкости затвора транзистора: I=(Uп-Uc)xC/t =(10-0)x0,0000000053/0,0000001=0,53 A Следовательно R=U/I=10/0,53=18,86 Ом. Как вы думайте, является ли данная методика правильной?
  5. Эм, но их разность не дает в результате напряжение питания драйвера
  6. Григорий, спасибо за ответы. Хорошо, тогда можете ткнуть носом, откуда берутся значения Vg(on) и Vg(off) в DS драйвера http://lib.chipdip.ru/159/DOC000159769.pdf
  7. Потому что в статье идет речь о напряжении переключения транзистора
  8. Из даташита на драйвер. Эм...а вы уверены, что этот параметр драйвера, а не транзистора? В DS к драйверу указывается значение напряжения логической единицы и нуля - Vg(off) - не указан [
  9. Добрый день, тема поднималась не раз, но я так и не нашел ответы и конкретные рекомендации. Ситуация следующая, есть драйвер IR2110 и полу-мост собранный на IRF3205. Необходимо рассчитать затворный резистор Rg. Я понимаю, что величина данного резистора дается в DS к транзисторам. Однако меня интересует именно расчет. Поднял Апноуты, в частности: http://www.semikron.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-application-note-an-7003-gate-resistor-principles-and-applications-en-2007-11-12-rev00 На странице 6 дается следующая формула: http://prntscr.com/6ljf4l Вопрос в том, что Vg(on) и Vg(off) - как пишется, снимаются с выхода драйвера. В DS к драйверу я не могу найти данных величин. Уважаемые - подскажите, как расчет произвести?
×
×
  • Create New...