Wegas

Как раз после прочтения первых глав этой книги и возник такой вопрос) Много раз перечитал там про это, но ответа на мой вопрос не нашел, только данную схему, из которой и стало непонятно почему и как атом (и как я понимаю уже кремния) в итоге отдает электрон из решетки в источник тока на последних кадрах схемы

Это я понимаю, но а в процессе рекомбинации ведь дырки заполняются электронами, так почему последние вновь отрываются, если, насколько мне известно, атом кремния всегда старается удержать 4 валентные связи? (а атомы примеси вообще не отдают захваченный электрон ибо стали ионами)

Вопрос такой: почему дырки в полупроводнике типа p не "заканчиваются", не заполняются со временем свободными электронами во время их движения по диоду, если и атомы примеси и атомы кремния в кристаллической решетке стремятся иметь по 4 электрона? То есть отрицательные ионы примеси, несмотря на это, все же отдают электроны в источник тока или как? Другими словами, как появляются новые дырки, когда заполняются старые на краю полупроводника?