hol hal

Доброго времени суток! Без лишних подробностей ( секрет фирмы) расскажу суть проблемы. Очень надеюсь на помощь опытных комрадов. Есть устройства с флешкой ESMT F50L1G41A Периодически программа, залитая на эту флешку слетает. При попытке восстановить прошивку путем прошивания дампа с живого экземпляра устройство упорно отказывается работать. Методом научного тыка выяснил, что даже есть взять живую флешку - считать дамп - залить назад - флешка дохнет. Значит что-то делаю не так. Насколько знаю зашифрованных областей флеха не содержит. Стало быть я просто неправильно читаю/заливаю дамп. Сам дамп состоит из PartitionTable и flash. Грешу может на размеры этих разделов. Подскажите, в каком направлении копать.

Вообщем сегодня добрался до этого усилителя снова, в этот раз мерял усиление с помощью смесителя на bf998. Сначала подавал сигнал на смеситель без усилителя, потом с ним. На другой затвор вешал китайский генератор на 433. Разница с усилителем и без него примерно 15 дБ по мощности, что соответствует расчетным плюс минус. Влияния ЛТИ не замечено. Кстати говоря поскольку геометрические размеры платы меньше 1/10 длинны волны и расстояния так же меньше, то мудрить с шириной проводников тоже не требуется - смотрите теорию по длинным линиям, как минимум можно глянуть на формулу трансформирования сопротивления длинной линией, можно и по-другому обьяснить. То что тут дарлингтон тоже хитрая вещь - формально может и соглашусь, только реально численно резистор в эмиттере левого по схеме транзистора задает рабочую точку такую, что полосу это не портит. Далее глубокая ООС обеспечивает нужное плюс минус Rвх и максимально возможную полосу( наверное можно ещё корректировать как-то для лучшего результата, но тут без серьезных приборов не обойтись).

Позвольте, оно у меня и не LNA, оно у меня Wideband. Умнее другого я себя не считаю, просто Ваши предложение и замечания были максимально абстрактны. Обдумаю предложения, посмотрю что да как. Пока что - оно работает. Как-то. Анализатор спектра нужен, планирую заказать. Ну все же оно и не совсем дарлингтона, поскольку ток эмиттера Q2 много более тока базы Q1. из-за резистора R1. Скорее ОК + ОЭ. Тогда со входным сопротивлением будет проблема, поскольку эмиттер Q1 по переменке заземлен.

А что, есть какие-то практические доказательства что это мешает работе? или может быть количественный анализ того, как волновое сопротивление влияет в сосредоточенной схеме? Или есть данные о проводимости флюса ЛТИ на частоте 500 МГц с толщиной слоя в микрометры и длинной в миллиметр? Пока что только философствования с Вашей стороны, а так по факту есть куча схем и готовых примеров где всё работает как надо. Могу сколько угодно вам ссылок накидать. Исключительно хобби-образовательный канал с демонстрацией всего и вся, с применением СВЧ осциллографов и другого оборудования, с разжёвыванием каждого нюанса. Вы хотя бы ознакомились? Не нравится канал - пожалуйста - https://www.qsl.net/va3iul/ бумажный вариант от другого человека. Могу ещё найти несколько источников, если не верите. Вот и перейдем к сути - Вам чисто докопаться? или по сути вопроса что-то есть? Кроме философии. Как переводится Low Noise Amplifier я знаю, спасибо. Фото переделки, чтобы ни у кого вопросов не возникало касательно монтажа. Там правда f-разьем всё равно колхозить пришлось, но работает.

Может давать, а может и не давать. В конце концов всё определяется параметрами схемы. ООС есть, схема максимально типовая. Главное чтобы насыщения не было, ну так я примерно и понимаю из расчетов, при каких входных уровнях оно должно наступать, и держу сигнал меньше. Неэстетично - да. В практическом плане особых проблем нету, для макета. Можно посчитать спокойно. емкости таких кусков меди не более 0.25-1pF, в зависимости от размера, индуктивности до 5 nH. Косяк с конкретной длинной проводника в эмиттере - да. Схема на таких частотах вполне себе считается сосредоточенной, с учетом размеров элементов и всей платы. В доказательство - ссылка 1 на ютуб канал - человек макетирует всё на медной фольге. Аккуратнее правда делает, заморачивается. Там у него и 10 ГГц проскакивает. Конечно FR4 на 10 ггц сомнительная вещь, но до 2.5 ГГц особо без проблем, потери растут ближе к двум гигам конечно. Схем с применением стеклотекстолита на такие частоты миллионы. Именно FR4, не фторопласта там какого-нибудь. Пример lna 433 мгц на моем транзисторе из оф. даташита тут. И таких примеров миллион. Можно и микросхему купить, но интереса в этом 0. Особенно когда импедансы уже подогнаны внутри микросхемы. На транзисторах - интереснее. В коммерческом плане конечно гораздо проще не думать и делать всё как у людей - закупить за бугром и собрать из готовых модулей. Но скучно.

Вообщем вытравил плату компактную, в коллектор воткнул индуктивность несколько мелких витков, поставил на вход аттенюатор чтобы удобно было снимать показания с диодного детектора. После всех расчетов получил около 15 дБ по мощности, т.е ~6 по напряжению. Полоса около 700 МГц. Пойдет.

Кому интересно - обратите внимание на усилки по ссылке в первом моем посте. Я ещё гадал зачем туда ставят индуктивность в коллектор. Как раз именно чтобы компенсировать спад усиления из-за индуктивности паразитной в цепи эмиттера. Правда ценой рассогласования по выходу.

Ахахаха. Вовсе нет! Просто генератор Г4-76А который у меня в наличии единственный имеет выходное сопротивление 75 Ом. И да, покупал его когда на дипломе бакалавра проектировал фильтр для современного телевещания, чтобы лишний раз в универ не кататься.

Так оно и сделано. Я кажется действительно нашел ошибку. у выходного транзистора Ку без ООС ~75/(2*rэ) (тут rэ - 1/S). rэ при токе 15мА порядка 1.67 Ома. Но забавно что индуктивность 1нГ на таких частотах тоже порядка 1-3 Ом, что буквально уменьшает усиление с каждым миллиметром лишней дорожки. Про этот эффект мне было известно, но вот количественно я не оценил его влияние. Добавление L=10нг в симуляторе к эмиттеру Q1 убивает все усиление на корню.

Так ну я сам дурак, что не догадался использовать АМ для того чтобы посмотреть Ку. Вообщем амплитудная модуляция увеличивается в ~6 раз со входа на выход. Так что думаю дело исключительно в измерениях. Единственное не ясно как их лучше провести с минимальным бюджетом. Найдено на просторах интернета:

так ли важен этот параметр для детектора? (Сам не уверен). Точно знаю что на практике работает до 200 МГц примерно, по инфе из интернета. Сам мерял ещё давно до 700 МГц детектируемое напряжение почти не падало. Вопрос лишь конечно в том какую нагрузку он вносит в схему и насколько ВЧ напряжение сопоставимо с НЧ калибровкой. Думаю попробовать какой-нибудь свч диод.

Вообщем чуть более точно измерил - Ку около 2.7 Думаю всё-таки критично то, что меряю сомнительными диодными детекторами ( вообще 1д507 насколько потянет на практике? хватит ли его на 500 Мгц?)

Там проблема связана с высоким импедансом внутренней подтяжки. У меня от силы пару резисторов на 1к найдется, плюс дорожки короче и шире. Монтаж на пяточках - не панацея. Вот Вам lna до 2ггц. В Вашем монтаже я бы сказал индуктивности приличнее, чем в моем. В прочем может быть и в этом дело... Вопрос практических изысканий. Ссылка на lna в smd - картинка большая вышла Не смогу найти источник, в моем случае не играет существенной роли. Поскольку длинна волны от силы 70-30см при том что вся схема 2x3 см Можно взглянуть на любой советский ДМВ блок и увидеть там всё как у меня - ну не колхозно конечно.

Транзистор в симуляторе с граничной около 3 Ггц, другого не нашел. Но даже так есть усиление >4. Симулятор хорошо согласуется с моим расчетом на бумажке, строил малосигнальную модель и считал. А вот практика не очень. Если в симе обвешать все емкостями 1pF то картинка особо не меняется.

Думал об этом. Попробую всё хорошенько вытереть, хотя спиртом до этого пробовал пройтись, не очень помогло. Монтаж на первый взгляд не кажется таким уж и плохим, даже если и не очень эстетичный. Емкость площадки под коллектором например прикидочно до 1 pF, не более. с Rвых 75 ом это примерно в 2 ггц полоса. Там конечно ещё выходные емкости транзисторов, только на то оно и охвачено всё ООС.