Power-V

Понял. Подключил, амплитуда сигнала не изменилась. Правильно ли я понимаю процесс зарядки и разрядки разделительного конденсатора на входе и распределение потенциалов на схеме при подключенном источнике переменного тока?

Работа транзистора с общим коллектором. Эмиттерный повторитель. В ходе измерений ток эмиттера достиг своего максимума 0,0045 Ампер, а ток базы 0,0000138 А, правильно ли я понимаю, что установленный резистор в эмиттер не дает войти транзистору в насыщение, ограничивает ток? С изменением сопротивления на блоке потенциометров - смещения базы изменяется ток и напряжение на эмиттере транзистора, но с сигналом от генератора все иначе, правильно ли я понимаю, что транзистор повторяет входное напряжение от генератора с вычетом падения напряжения PN перехода (0,6...0,7) т.е. если на базе 2 V, то на эмиттере 2 - 0,6 = 1,4 V, но при при этом усиливает входной ток в зависимости от коэффициента усиления транзистора который равен Ib*hFE? Собрал схему, задал три варианта смещения базы, в двух вариантах, виден один тот же пик - пик входного и выходного напряжения, за исключением третьего.

Не совсем понятно. Далее... Ключевой режим транзистора, я так понимаю это транзистор в насыщении? Расчеты из теории: ток базы находят по формуле Iбазы = k * (Iколлектора/hFE), где k это коэффициент насыщения в пределах от 2 до 5. Резистор в коллекторе рассчитывают без учета половины питания Rк = Uпит/Iк. Резистор эмиттер - база рассчитывают как Rэб=Rбазы * 10, почему 10? В случае если в нагрузке светодиод, то резистор коллектора рассчитывают Rк = (Uпит.-Uпит.светодиода-Uэк)/Iсветодиода Набросал простенькую схему управления светодиодом в ключевом режиме работы транзистора.

Почему около 100? Как вы нашли данный коэффициент? Т.е. чем меньше входное напряжение тем меньше THD нелинейные искажения?

Еще раз, теория никогда от слова совсем не заменит практику, читать можно много толку от этого ноль, это раз, далее этот раздел для начинающих и в данной теме я имею полное право задавать вопросы касаемо происходящих процессов, свои виденье, понимания процесса, а именно в транзисторе, а транзистор у нас радиоэлемент и значит я не ошибся разделом форума это два, если вам хочется пофлеймить, для этого у вас есть товарищ выше с "огроооомной преподавательской деятельностью" у которого не существует в его понимании насыщение транзистора, а с вами я вынужден прекратить дальнейшее общение в стиле выяснения отношений это три. Я так понимаю, что половина питания напряжения на резисторе задается с целью создания виртуального резистивного делителя со средней точкой? Задал ток покоя 0,0025А, рассчитал резистор уже с учетом половины питания Rк=(5V/2)/0,0025А= 1000 Ом, заменил резистор коллектора на 1000 Ом, действительно у меня была ошибка, я так понимаю теперь ток коллектора покоя равный 0,0025 A c широкой рабочей областью и находится в середине таблицы между токами насыщения и отсечки. Воспроизвел на стенде См. иллюстрацию. Линейный (усилительный) режим работы: Правильно ли я понял, судя по обрезанной синусоиде на осциллограммах "Отсечку" и "Насыщение"?

Если бы в книге/учебнике - теории все было бы предельно ясно, то я бы не обращался на данный тематический форум.

Именно то, что мне и требовалось понять и чем проще "на пальцах" тем лучше в освоении материала и понимания сути процессов. С насыщением разобрались. 2) Линейный (усилительный) режим работы транзистора. Теория: что бы транзистор начал усиливать, необходимо задать точку смещения базы, которая будет выше отсечки, приоткрыть транзистор выполнив расчет необходимых номиналов резисторов. Расчет состоит из установки тока покоя коллектора и дальнейшего расчета тока смещения базы. Какой задать ток покоя коллектора не совсем понятно?!. 1) Номинал резистора коллектора рассчитывают по формуле: Rколлектора = Uпитания / Iток покоя коллектора; 2) Рассчитывают ток базы по формуле: Iбазы = Iток покоя коллектора / hFE, значение коэффициента усиления hFE берут из даташита, либо узнают с помощью измерительной аппаратурой(мультиметр в режиме измерения hFE), либо двумя мультиметрами с заданным током коллектора 0,010 Ампера, находят разницу Iк/Iб; 3) Номинал резистора базы рассчитывают по формуле: Rбазы = (Uпитания - Uпадения кремния(0,6 ... 0,7 V)/ Iбазы. Для примера выберем ток покоя коллектора равным Iток покоя коллектора = 0,0025 А; 1) Находим номинал резистора Rколлектора = 5V / 0,0025 А = 2000 Ом; 2) Находим ток смещения базы Iбазы = 0,0025 А / 300 (hFE измерил мультметр) = 0,0000083 А или 8,3 мкА; 3) Находим номинал резистора Rбазы = (5V - 0,6V)/0,0000083 = 528 Ом ... пусть это будет блок потенциометров настроенных на 528 Ом. Собираем схему, используем для измерения два мультиметра в режиме измерения силы тока, потом используем двухканальный осциллограф и генератор. Сначала измерения проводим с помощью постоянного тока составляя таблицу зависимости ток коллектора от тока базы, далее подключаем генератор синуса к базе и смотрим усиленный сигнал на осциллографе и далее вопрос в иллюстрации... 1) Почему расчетное смещение базы так близко к насыщению транзистора? 2) Почему нельзя выбрать (из таблицы измерений) ток базы ниже расчетного, где наиболее высший коэффициент hFE, не изменяя номинал (сопротивление) расчетного нагрузочного резистора в коллекторе?

Заменил резистор нагрузки коллектора с 2000 Ом на 510 Ом. Правильно ли я понимаю, что насыщение транзистора зависит от максимального тока нагрузки, в данном случае резистор, который может пропустить через себя ток, который рассчитывают: Iколлектора = Uпитания / Rнагрузки; Iколлектора = 5V / 510 Ом = 0,0098 Ампер? Насыщение транзистора ~ 0,0096 - 0,0097.

Здравствуйте, пользуясь поиском форума, не нашел интересующую для себя информацию касаемо биполярных транзисторов, информацию или методическое пособие(лабораторного практикума), которое можно воспроизвести практически на стенде (макетной платы и т.д.), по итогу закрепить полученные знания и понимания работы транзистора. Рассмотрим режимы работы транзистора: 1) Насыщение Теория гласит: транзистор входит в насыщение, когда прекращается рост коллекторного тока, остается неизменным, а ток базы продолжает расти. Собрал простую схему на макетной плате, которая состоит из NPN транзистора, блока потенциометров, резистора нагрузки коллектора 2000 Ом. Измерительные приборы два мультиметра в режиме измерения тока. Напряжение источника питания 5 вольт. Измерил, полученные результаты заполнил в таблице Excel, подсчитал коэффициент усиления по формуле hFE = Iколлектора / Iбазы. Вопрос: правильно ли я понял, что подопытный транзистор вошел в насыщение на моем стенде с 0,0025 Ампер, выделил красным шрифтом в таблице на технической иллюстрации?