Jump to content

Search the Community

Showing results for tags 'Полевой транзистор'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Вопрос-Ответ. Для начинающих
    • Песочница (Q&A)
    • Дайте схему!
    • Школьникам и студентам
    • Начинающим
    • Паяльник TV
    • Обсуждение материалов с сайта
    • Competition 2019
  • Радиоэлектроника для профессионалов
    • Световые эффекты и LED
    • Роботы и модели на ДУ-управлении
    • Автоматика
    • Самодельные устройства к компьютеру
    • Программное обеспечение
    • Автомобильная электроника
    • Системы охраны и наблюдения. Личная безопасность
    • Питание
    • Электрика
    • Промышленная электроника
    • Ремонт
    • Металлоискатели
    • Измерительная техника
    • Мастерская радиолюбителя
    • Сотовая связь
    • Спутниковое ТВ
    • КВ и УКВ радиосвязь
    • Жучки
    • Телефония и фрикинг
    • Высокое напряжение
    • Идеи и технологии будущего
    • Справочная радиоэлементов
    • Литература
    • Разное
  • Аудио
    • FAQ, Технологии и компоненты
    • Для начинающих
    • Источники звука
    • Предусилители, темброблоки, фильтры
    • Питание аудио аппаратуры
    • Усилители мощности
    • Акустические системы
    • Авто-аудио
    • Ламповая техника
    • Гитарное оборудование
    • Прочее
  • Микроконтроллеры
  • Товары и услуги
  • Разное
  • Переделки's ATX->ЛБП
  • Переделки's разные темы
  • Киловольты юмора's Юмор в youtube
  • Радиолюбительская доска объявлений exDIY's Надежность и группы продавцов

Blogs

There are no results to display.

There are no results to display.

Marker Groups

  • Пользователи форума

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


ICQ


Skype


Интересы


Город


Сфера радиоэлектроники


Оборудование

Found 24 results

  1. Столкнулся с проблемой: необходимо построить инвертор на полевых транзисторах,где будет 2 уровня.Нулевой от 0 до 1 вольта, первый от 4 до 5 вольт. Начал строить схему , соответствующую букве в) на приложенном рисунке Всё задание делаю в Multisim 11. Прикрепляю файл laba6.8.ms11.Помогите разобраться
  2. Данные, изложенные ниже, появились в результате многолетней работы над усилителем мощности с использованием высоковольтных MOSFET полевых транзисторов в нетипичном для них линейном режиме. Двухканальный усилитель должен был обеспечивать мощность 1000 Вт, при эффективном выходном напряжении 250 Вольт. Соответственно, при совместной работе двух каналов мощность должна была быть 2000 Вт, а напряжение 500 Вольт. Приведённые параметры, в наше время, особо никого не удивили бы, но усилитель должен был работать в полосе частот 10…200000 Гц. Это значить, что на выходе усилителя нельзя было ставить повышающий трансформатор, так как он никогда не сможет работать в такой полосе частот, да и нелинейные искажения с ним значительно больше. То есть необходимо было заставить работать высоковольтные полевые транзисторы, практически на пределе своих возможностей. Вот здесь и началось самое интересное. После поиска по всевозможным сайтам, были найдены наиболее подходящие по мощности, напряжению и току транзисторы, и был изготовлен опытный образец. Перед этим, маломощный прототип усилителя, подтвердил работоспособность схемных решений и возможность получения необходимого выходного напряжения. Первое включение показало, что усилитель находится в режиме самовозбуждения. Типичная ситуация, но только устранить её никак не получалось, а опыта в такой работе мне хватало. Даже после отключения всех предварительных каскадов, генерация не прекращалась. Ситуация была абсурдной, прототип нормально работал, а на более мощных транзисторах ничего не получалось. Пришлось включить один мощный транзистор в режиме тестирования. Для этого была собрана типовая схема с нагрузкой в виде мощного резистора около 2 кОм, установленном в стоке транзистора и напряжением 600 Вольт, между истоком и нагрузочным резистором. Используя дополнительный низковольтный регулируемый источник питания, подавалось напряжение на затвор транзистора, относительно его истока. Напряжение на стоке транзистора должно было плавно уменьшаться, при увеличении напряжения на затворе. Правда, разработчиками такой режим работы транзисторов никак не регламентирован, что очень удобно для них, чувствуется присутствие “наших людей” в силиконовой долине. Им гораздо удобнее назвать транзисторы импульсными, и не обращать внимания на то, что будет происходить с транзисторами между открытым и закрытым состоянием. Вот тут то и выяснилось, что в промежуточном состоянии, транзистор переходит в режим генерации, что наглядно продемонстрировала собранная схема тестирования. Проверив, находившейся под рукой, транзистор другой марки, получил тот же результат. Надо было устранять генерацию. Вспомнилось, что для устранения взаимного влияния полевых транзисторов, при параллельном включении в импульсных устройствах, предлагалось последовательно с затвором транзистора устанавливать резистор от 10 Ом и выше. Попробовал, и при 20 Ом генерация пропала. Получается, что автор рекомендации сам не понимал сути происходящего, не транзисторы влияют друг на друга, а они сами являются источником генерации, и чем больше их включено параллельно, тем больше склонность к генерации. Стало понятно, почему на маломощных транзисторах такого эффекта не наблюдалось. В дальнейшем, вместо резистора я использовал небольшой дроссель, порядка 10 мкГн, что было удобней в моей схеме управления транзисторами, и это также обеспечивало отсутствие генерации. Но на этом “интересное” не заканчивалось. После того как после доработок опытный образец заработал, выяснилось, что выше частоты 20 кГц, напряжение на выходе резко уменьшается, совсем не в линейной зависимости. А у маломощного прототипа легко получалось достичь 200 кГц. Казалось бы понятно, что у более мощных транзисторов гораздо больше ёмкость между истоком и затвором, и скорее всего она и даёт такой эффект, но измерение напряжения на затворе этого не подтвердили. На затворе напряжение с частотой выше 20 кГц очень плавно уменьшалось вплоть до 200 кГц. Пришлось опять возвращаться к режиму тестирования, только теперь на затвор вместе с постоянным напряжением подавался и синусоидальный сигнал от генератора. Результат был примерно тем же самым, выше 20 кГц происходил резкий завал уровня переменного напряжения на стоке. Казалось, что вывод очевиден, транзисторы не “тянут”. Надо искать более высокочастотные экземпляры, что и было сделано, только результата это не дало. Обидно считать себя идиотом, глядя в техническую документацию, где чётко написано, что транзистор должен работать вплоть до 500 кГц. После многочисленных попыток изменить ситуацию с помощью отрицательной обратной связи и других ухищрений, было решено сменить источник сигнала на генератор повышенной мощности и напряжения. Не сразу, но всё же удалось раскачать транзистор на частоте 200 кГц, выше генератор не давал. При этом переменное напряжение на затвор приходилось подавать чуть ли не максимально допустимого уровня в 30 Вольт. В голове сквозила мысль, что же это за современные “супер-пупер” транзисторы, которые имеют дикую нелинейность в частотной области. Опять стало понятно, зачем их называют импульсными, за нелинейность в частотной области отвечать не надо. Но от этого жить легче не стало, так как было не понятно, что же происходит, и как с этим бороться. Быстро текст набирается, да только дела это не касается. На деле всё происходит гораздо медленнее и с постоянными “затыками”, что совсем не нравится руководству, особенно если оно в этом вообще ничего не понимает. После того как стало казаться, что с такой нелинейностью сделать ничего не удастся, в голову приходит мысль посмотреть, что происходит на затворе работающего транзистора с поданным на него высоким напряжением, что совсем не просто без специального изолированного от земли осциллографа. Но если очень хочется, то можно просто обойтись высокочастотным трансформатором, обеспечивающим гальваническую развязку. Вот тут то “карта и пошла”. Всё встало на свои места и чувство ущербности улетучилось. При подаче высокого напряжения, уровень сигнала на затворе очень сильно падал и восстанавливался при отсутствии такового. На частоте 200 кГц от сигнала вообще ничего не оставалось. То есть транзистор каким-то образом гасил “сигнал”. Можно сказать, что мгновенно пришло понимание того, что происходит, если учесть всё время, потраченное до этого момента. В техническом описании на транзистор есть такой параметр, как ёмкость между стоком и затвором, она совсем маленькая и, казалось бы, не должна существенно влиять на работу транзистора. Но именно она и обеспечивает эти самые “интересные” эффекты. Это не что иное, как частотнозависимая отрицательная обратная связь в теле самого транзистора. Чем выше частота и напряжение на стоке транзистора, тем большее влияние оказывает эта паразитная ёмкость. Теперь, если учесть, что транзистор имеет довольно большой коэффициент усиления, несложно сообразить, что при определённых условиях, на высоких частотах, отрицательная обратная связь легко может превратиться в положительную. Для этого необходим небольшой сдвиг фазы до нужной величины и у нас появляется устойчиво работающий генератор высокой частоты, что и подтверждало тестирование отдельных транзисторов. Но это ещё не всё, ведь если удаётся заставить работать транзистор без генерации, обратная связь не исчезнет, она будет проявлять себя в работе транзистора на высоких частотах, очень сильно снижая усиление транзистора. В итоге имеем прибор с отвратительными, хорошо замаскированными разработчиками транзисторов, свойствами, которые проявляют себя в самый неподходящий момент. А претензий предъявлять некому, просто надо назвать транзисторы импульсными и можно жить богато и счастливо. Но что есть, то есть. Понятно, что разработчики старались сделать всё как можно лучше, а получилось …, очень знакомая для наших людей ситуация. Хотя сейчас существует огромный выбор транзисторов, но ведут они себя практически одинаково, так как имеют одинаковую технологию производства. Ясно, что улучшений в ближайшее время ждать не приходится, поэтому надо использовать имеющиеся транзисторы. Каким то образом необходимо снизить влияние этой паразитной отрицательной обратной связи, при этом, не меняя конструкцию транзистора. Это очень напоминает желание овладеть телекинезом, чтобы силой мысли двигать предметы. Придётся научиться делать это, не прибегая к телекинезу. Для этого устанавливаем низкоомный резистор между истоком и затвором, и управляющее напряжение подаём через дроссель с небольшой индуктивностью, мне хватало 10 мкГн. Получаем на затворе транзистора довольно приличный шунт, который быстро разряжает большую ёмкость затвора и тем сильнее уменьшает влияние паразитной ёмкости между стоком и затвором, чем меньше значение сопротивления этого шунта. Для достижения хороших результатов, транзистору с ёмкостью затвора порядка 10000 пФ, потребуется резистор не более 10 Ом. Тем самым полевой транзистор перестаёт быть полевым, так как для его управления потребуется не только напряжение, но и вполне приличный ток. Если включается несколько транзисторов параллельно, то к каждому подключается свой шунт и свой дроссель. Для управления таким прибором потребуется специальный подход, чтобы оптимизировать затраты на управление. Отсюда, чем меньше напряжение включения транзистора, тем лучше. Максимальное напряжение на затворе должно обеспечивать уверенное открывание транзистора, но не более того. Для ключевых схем оптимальным будет использование импульсных трансформаторов, которые и сейчас используют довольно часто, только мощность у них должна быть заметно больше. А вот для линейных схем, где требуется плавное включение и высокая линейность, пришлось изобретать нечто новое, на основе хорошо забытого старого. Не знаю как сейчас, а 50 лет назад очень популярными были приёмники прямого усиления, а в школе демонстрировали работу детекторного приёмника. В основе работы того и другого, лежат одни и те же принципы. Мне очень запомнилось высокое качество их звучания, благодаря минимальному количеству преобразований и, в результате, минимальным нелинейным искажениям. Если совместить удобство использования импульсного трансформатора и качество работы детекторного приёмника, то получим компактное и достаточно простое устройство управления полевыми, да и любыми другими, транзисторами. Для этого преобразуем управляющее напряжение в радио сигнал с амплитудной модуляцией. Несущая такого сигнала должна быть достаточно высокой частоты, например 3 мГц для моего случая. Она определяется максимально необходимой верхней частотой сигнала управления. По сути, получаем мини радиостанцию, выход которой подключаем к первичной обмотке высокочастотного трансформатора. Сигнал гальванически развязанной вторичной обмотки детектируется и используется для управления транзистором. Получаем почти детекторный приёмник, только с достаточно мощными импульсными диодами, позволяющими получить необходимую мощность сигнала управления. Разброс мощностей такого устройства может быть довольно большим, от 10 мВт до единиц и даже сотен Ватт. Мне хватило 3 Вт. Привожу схему, которая позволила это сделать, она довольно простая, так как собрана всего на двух транзисторах и четырёх диодах, не считая трансформатора и обвязки. Трансформатор намотан на двух ферритовых кольцах диаметром 10 мм, с магнитной проницаемостью 200. Каждая обмотка содержит 7 витков медного изолированного провода диаметром 0,18 мм. В заключение отмечу, что усилитель, в конце концов, заработал так, как от него требовалось, но полной программы испытаний провести не удалось, кончился запас выходных транзисторов. Их доставали 6 месяцев, за это время кончилось терпение у руководства, и автор попал под сокращение из-за возраста, а главное, отсутствия какого либо интереса к этой теме. В общем-то, на предложенный здесь способ управления транзисторами, вполне можно получить патент, знаю по собственному опыту. Но только сейчас это имеет смысл только в том случае, если точно знаешь, что это кому-то понадобится, и удастся как-то на этом заработать. В противном случае зарабатывать будет патентное ведомство, а изобретатель будет его кормить. Поэтому делать изобретения сейчас могут себе позволить только богатые люди. Такое устройство вполне можно было бы сделать 50 лет тому назад, и если бы это случилось, то схемотехника усилителей мощности была бы гораздо проще и не надо было бы придумывать комплементарные пары мощных транзисторов. Но может быть и сейчас кому-то это понравится, а в некоторых случаях выведет из тупика, или сделает решение проблемы гораздо эффективнее. Лично мне уже удалось получить удовлетворение от решения этой, довольно сложной, технической задачи, надеюсь, что я не останусь в одиночестве.
  3. Всем привет! Дано: Контроллер подсветки рабочей зоны кухни, реализованный на Tiny 13A. Светодиодная лента длиной 2,3 метра, led 5050, 120 светодиодов/метр. Принципиальная схема устройства ниже: Код прошивки: #include <tiny13.h> #include <delay.h> int triggered = 0; int ontimer = 0; void main(void) { // Input/Output Ports initialization // Port B initialization // Function: Bit5=In Bit4=In Bit3=In Bit2=In Bit1=In Bit0=Out DDRB=(0<<DDB5) | (0<<DDB4) | (0<<DDB3) | (0<<DDB2) | (0<<DDB1) | (1<<DDB0); // State: Bit5=T Bit4=T Bit3=T Bit2=T Bit1=T Bit0=0 PORTB=(0<<PORTB5) | (0<<PORTB4) | (0<<PORTB3) | (0<<PORTB2) | (0<<PORTB1) | (0<<PORTB0); // Timer/Counter 0 initialization // Clock source: System Clock // Clock value: 37,500 kHz // Mode: Fast PWM top=0xFF // OC0A output: Non-Inverted PWM // OC0B output: Disconnected // Timer Period: 6,8267 ms // Output Pulse(s): // OC0A Period: 6,8267 ms Width: 0 us TCCR0A=(1<<COM0A1) | (0<<COM0A0) | (0<<COM0B1) | (0<<COM0B0) | (1<<WGM01) | (1<<WGM00); TCCR0B=(0<<WGM02) | (1<<CS02) | (0<<CS01) | (0<<CS00); TCNT0=0x00; OCR0A=0x00; OCR0B=0x00; while (1) { if (PINB.1==1) { triggered = 1; ontimer = 60; }; if (ontimer > 0) { ontimer--; } else { triggered = 0; }; if (triggered) { if (OCR0A<255) { OCR0A++; }; } else { if (OCR0A>0) { OCR0A--; }; }; delay_ms(10); } } Возникшая проблема: Греется полевой транзистор при работе. Изначально поискав информацию на данную проблему, начал прикидывать. Смотрим график зависимости пропускаемого тока стока (ID )от приложенного напряжения затвор-сток (VGS), при температуре окруж. среды 25 градусов: ID = 14 А (2,3 метра светодиодной ленты не могут столько кушать, по крайней мере я такую не видел). Было предположение что частота переключения ШИМ высокая - отсюда транзистор в не определенном состоянии = нагрев. Рассчитал макс. частоту так: Rg = 100 Ом, Vgs = 5V Заряд затвора: Qiss = Ciss * Vgs = 1800pF * 5v = 9nC Скрость нарастания: S = Rgate * Qiss = 100Ohm * 9nC = 0.009mV*sec Время на открытие или закрытие транзистора: t=S / Vgs = 0.002mV*sec * 3.2v = 4.5uSec Период - это открытие + закрытие: T = t + t = 4.5uSec + 4.5uSec = 9uSec Максимальная частота переключения: F < 1 / T = 1 / 9uSec = 111KHz Ток через затвор (G) и цифровой выход Tiny 13A: I = Qiss / t = 2mA Максимальный выходной ток GPIO у Tiny 13A 40.0mA 2mA < 40.0mA Выставил частоту ШИМ на 37,5 кHz. Вуаля - при подключении 1м светодиодной ленты (тестировал на обрезке), нагрева нет. Но как только подключил все 2,3 метра - транзистор стал снова спустя время греться, аж дотронуться не возможно. Захотел померить ток, который потребляет 1 метр ленты, проверить продавца. Потребление 1 метра ленты оказалось вместо заявленных 600 мА, все 1,85 А, причем заметил странную вещь - ток начал возрастать спустя время на сотые доли и дошел до 1,9 А. Дальше ждать не стал. Режим амперметра в мультиметре сломался? Далее подумал что слишком большая мощность рассеивается на транзисторе. Если учесть то, что при открытом транзисторе, его переход можно представить в виде линейного резистора с маленькой величиной сопротивления, можно рассчитать рассеиваемую мощность на транзисторе: Смотрим сопротивление транзистора в открытом состоянии при VGS = 5В : RDS(on) = 0.18 Ом P1 = 1,9*1,9*0,18 = 0,65 Вт. (1 метр св.ленты). Раз мы взяли потребление 1 метра ленты 1, 9 А, тогда 2,3 метра потребляют = 4,4 А. (Теперь не уверен в своем мультиметре). P2=4.4*4.4*0.18 = 3.5 Ватт - довольно таки многовато я думаю. В общем: Правильно ли я делаю расчеты? Что упустил? Как снизить нагрев транзистора, без применения вентиляторов и здоровенных радиаторов? Есть вариант замены светодиодной ленты на что нибудь поменьше жрущее (60 светодиодов/ метр например), но в будущем еще много раз придется сталкиваться с полевиками, хотелось бы разобраться .
  4. Не нашел аналогичную тему. В данной теме предлагаю обсуждение измерений различных параметров полевых транзисторов, имеющих практическое значение. Пример: купил на Али IR3205 в корпусе to-220ab, у которых сопротивление открытого канала Rds on должно быть 8 мОм. При измерении с током стока 0,4 А получается 28 мОм, никак не меньше. Скажете, при больших токах, как в даташите, оно будет 8? Такого ничего не говорится, наоборот, у высоковольтных полевых сопротивление канала возрастает с увеличением Id. Может, придется смириться с этим за их дешевизну ( 93р/10шт)?
  5. Всем добрый день! Решил поделиться своим опытом изготовления простого усилочка на полевых транзисторах. Думаю, будет интересно тем, кому хочется альтернативы усилителям на TDA2030 и подобных микросхемах. Бродил без особой цели по сайтам радиолюбительской направленности, и наткнулся на статью М. Сапожникова в журнале Радио №12 за 2008 год. Привлекла практическая «бесплатность» элементной базы, - самые дорогие транзисторы IRF540 30 рублей за штуку в базарный день))) Нарисовал модельку в Мультисим, - работает, и не плохо за такие деньги. Вобщем решил в железе попробовать. Плату нарисовал по тому варианту схемы, что крутил в Мультисиме. Опыт не велик в этом деле, так что как уж сумел… В результате после сборки усилитель завёлся с первого включения, постоянка на выходе порядка 1 мВ. Ток покоя выставил порядка 120 мА, с прогревом особо не плавает. Я не являюсь обладателем «золотых ушей», поэтому скажу про звук только то, что он точно не хуже чем TDA2030))) Если кому интересно, - оригинал статьи, моделька и плата в архиве. Спасибо!))) Усил Полевики_1.zip
  6. Итак, собрал металлоискатель, но по причине своей идиотии ошибки(закоротил выводы полевика) он вышел из строя(очень сильно нагрелся, и после этого металлоискатель перестал работать), живу далеко от цивилизации, поэто ждать новый нужно очень долго Однако имеются полевики и биполярники других моделей. Можно ли как - нибудь заменить сгоревшую деталь? Схема на сайте по ссылке https://usamodelkina.ru/7339-moschnyy-metalloiskatel-pirat-svoimi-rukami.html
  7. Подскажите как мне подключить нагрузку, чтобы коммутировать нагрузку к питанию, знаю что схема не правильная, p-канального транзистора нету в наличии
  8. Подскажите как в даташитах обозначают коэффициент передачи тока для полевых транзисторов (при заданной частоте и скважности)? А если такое не указывают то как это определить? то есть мне нужно найти соотношение К = Ток стока / ток затвора Ток стока = (напряжениеСтокИсток)/(сопротивлениеКанала)*скважность - с этим все понятно а вот ток затвора как правилно считать? со школы я знаю что в общем случае: Ток = заряд / время (I=q/t) тогда получается Ток = зарядЗатвора/времяПриЗаданнойЧастоте тогда получается Ток = зарядЗатвора*Частота но это пока только ток заряда затвора, а еще примерно такой же ток разряда. в итоге я получаю формулу тока затвора Ig=Qg*f*2 правильно ли это? к примеру: SPW47N60C3 (суммарная емкость 10000пикофарад) (gate charge total 320нанокулон), при частоте 100 000: получается 320/1000 000 000 * 100000 * 2 = 64/1000 ампера (max4420 при этом греется до 40 градусов по моим ощущениям на 1 ватт) если считать по формуле I=C*V*f поучается 10000/1000 000 000 000 *10*100 000 *2 = 20/1000 ампера (соизмеримо) Заключительный вопрос: какая самая точная формула для расчета тока затвора и какие пункты из Datasheet нужно в нее вставлять?
  9. Всем привет. Предлагаю в этой теме обсуждать КВ усилители на мощных полевых MOSFEET транзисторах. Вопрос такой. Как согласовать низкоомный выход однотактного усилителя на МОП транзисторах с входом 50 или 75 Ом.
  10. Всем здравствуйте! Подскажите пожалуйста, на что можно заменить оригинальный полевой транзистор ЭБУ климат-контроля? На нем лишь маркировка 33-28. Спасибо заранее за помощь.
  11. Добрый день! Как проверить полевой транзистор стрелочным мультиметром. Везде где встречал методы проверки используется цифровой мультиметр в режиме прозвонки диодов. У меня мультиметр стрелочный. Транзистор: N канальный hfs7n60
  12. Друзья, такой вопрос. Возможно, среди участников есть опытные радиомастера. Имеющийся полевой транзистор, ирф9540н. Схемка плавного включения светодиодов поработала два дня .... тестирую мультиметром. Режим прозвонки диодов, мультиметр исправен, пищит при кз. Красный щуп на исток, черный на подложку (сток). Мультиметр должен показывать падение напряжения на внутреннем диоде, что он закрыт, но нет - ноль реакции - на табло как была так и есть единичка. Далее красным на базу и обратно в исток - тоже ноль реакции. То есть он не открывается? Тогда черным щупом на базу и обратно в сток - и о, чудо - 460 милливольт! Почему же тогда так? он не открылся, но ЗАКРЫЛСЯ? Мистика какая-то)))) Помогите разобраться, буду благодарен. Причем два купленных новых ведут себя так же .... А полевик другой, ирфзет44ен, открывается, показывает падение напряжения, что он закрыт, затем открывается (транзистор показывает единичку), затем закрывается и вновь показывает 500 с копейками, что он закрыт. Диагноз - исправен ...
  13. Доброго времени суток. Сразу отмечу: я не “super”-спец в радиоэлектронике, в datasheet вижу только распиновку, но осциллографом воспользоваться могу. Собираю индукционный нагреватель по статье Кухтецкого http://www.icct.ru/node/88 В качестве сигнала для ключей (там несколько вариантов) , использую “Модуль компенсатора задержек”, регулировка мощностью “PDM-модулятор”. Собрал (на фото видно), “компенсатор” генерит сигнал около 60кГц, “PDM-модулятор” модулирует плотность импульсов, т.е. прореживает их. Далее идет силовой модуль, питание +300V там другое, вот схемы: Вот питание: С микросхемы драйвера IR2110 на затворы транзисторов HGTG30N60A4D идет такой сигнал (питание +300V пока не включаю): Пауза между ключами dead-time, тоже есть: Регулируем плотность импульсов (мощность), в качестве примера 50% импульсов, тоже все нормально: Подключил, для испытания нагрузки, лампу накаливания. Без лампы, кстати, транзисторы грелись. Включаю питание нагрузки 300V, сразу сработала защита – загорелся диод. Нажал сброс, результат тот-же. Уменьшил плотность импульсов, покрутил резистор R14 – то работает, то при изменении плотности сразу срабатывает защита. Подключил между силовым модулем и питанием мультиметр проверить ток. Отключил лампу посмотреть что будет без нагрузки, сразу с треском сгорают резисторы ( на схеме питания ), как будто короткое. Заменил резисторы, включаю опять без нагрузки – выстрел в первое мгновение, резисторы целы, а вот что с транзисторами: Не могу понять, почему без нагрузки взорвались MOSFETы, и почему они грелись, и почему срабатывала защита??? Там ведь после них ничего нет – один ВОЗДУХ. У Кухтецкого, в статье, все по полочкам разложено и у него все работало. Микросхема IR2110, китайская - может из-за нее что-то быть? Будут ли какие-нибудь мысли?
  14. Здравствуйте! Помогите, пожалуйста, определить сопротивление открытого канала ПТУП по графику. Я попытался определить его, исходя из соображений, что канал открыт при Uзи=0. Определил для Uси=1 В. На резонный вопрос преподавателя- почему не для Uси=5 или 10 В, я ответить не смог Может, подскажете?
  15. Доброго времени суток , помогите подобрать резистор на схеме R1(на схеме) для полевого транзистора, нужен ли он вобще ? задача мерять при помощи arduino показатели автомобильных датчиков , запитывать датчики и arduino буду от стабилизированного источника питания , проблема в том что arduino должна быть запитана постоянно , а датчики только после включения зажигания , работоспособна ли такая схема ? нужен ли резистор ? (транзистор IRF540 тот что есть у меня в наличии поэтому выбрал его). Спасибо. За схему извиняюсь, рисовал в ворде.
  16. Добрый день Собственно вот схема: Не подскажете ли как тут рассчитать VDS (оно же Vout)? Beta = 20.
  17. Нужшо выбрать полевой транзистор для импульсного блока питания! Скажите на что следует обратить внимание на силу тока или мощность выбор такой: FQPF 12N60 C 600V 12A 51W или IRF740 400V 10A 125W Каой лучше? Спасибо!
  18. Помогите рассчитать резисторы R1 и R2. Есть такая схемы. На затвор VT подается от 0 до +5В. При нуле он должен открываться, а при +5 - закрываться. Максимальный ток Uси=20mA. В случае с биполярным разобрался бы, но как я понял, у полевых расчеты другие. И если не сложно, подскажите, с какими параметрами искать полевик. Частота переключения очень низкая, переключаться будет вручную, так что не более 2-5 Гц
  19. Здравствуйте. Собираю схему на полевом транзисторе для управления светодиодной лентой от микроконтроллера. Схема такая: Источником питания служит блок питания на 12 В. Стабилизатор напряжения L7805. Микроконтроллер Atmel ATMega16A [datasheet: http://www.atmel.com...ges/doc8154.pdf‎]. Полевой транзистор Fairchild FDS9926A [datasheet: http://www.fairchild...FD/FDS9926A.pdf‎]. Светодиодная лента (в схеме как LED ARRAY) обычная китайская на 12 В длиной 1 метр [что-то типа такой: http://platan.ru/cgi...279&group=42666]. Логика работы схемы такая: при высоком логическом сигнале на выходе микроконтроллера полевой транзистор открывается и всетодиодная лента загорается. При низком логическом сигнале на выходе микроконтроллера полевой транзистор закрывается и лента гаснет. Предполагается плавная регулировка яркости свечения ленты при помощи ШИМ частотой 120 Гц и коэфф. заполнения 0,5 - 99,5 %. Проблема в том, что при логическом нуле на выходе микроконтроллера светодиодная лента всё равно горит (слабо, но горит, "тлеет"). Тыкался осциллографом: при открытом полевике (логическая "1" на выходе МК) всё работает как надо. Когда МК устанавливает логический "0", то падение напряжения на полевике всего 5 В (должно быть 12 В), а на ленте 7 В (должно быть 0 В), то есть полевик как-будто не закрывается до конца. Смотрел осциллограцом сигналы управления с МК - всё Ок, когда "1" - на затворе 5 В, когда "0" - на затворе 0 В, то есть с сигналом управления всё в порядке. Что пробовал: 1. Пробовал при логическом нуле МК коротить отвёрткой затвор полевика на землю (выходы G с S) - лента всё равно слабо горела. 2. Заменял резистор (притягивающий затвор к земле) с 10 кОм на 1 кОм - лента всё равно слабо горела. 3. Шунтировал светодиодную ленту обратным диодом (катодом к +12В, анодом к стоку транзистора) - лента всё равно слабо горела. 4. Шунтировал светодиодную ленту резистором 1 кОм - лента перестала гореть, но только при постоянном сигнале. При ШИМ (120 Гц, коэф. заполнения 0,5%) она всё равно горит. 5. Заменил светодиодную ленту на обычный резистор 24 Ом. Полевик стал работать как надо (открывался и закрывался полностью). Осциллограф при ШИМ рисовал идеальный меандр напряжения на резисторе. 6. Пробовал заменить полевой транзистор на аналогичный - лента всё равно горит (то есть дело не в конкретном экземпляре транзистора). 7. Собирал аналогичную схему на биполярных транзисторах (ULN2804A, TIP120) - всё работает как надо. На другой модели полевика не пробовал. В принципе, можно установить биполярный транзистор и не париться, но меня интересует работа именно этой схемы с полевым транзистором. Товарищи, сталкивался ли кто-нибудь с подобным, кто может что-то посоветовать?
  20. Здравствуйте, уважаемые специалисты! Решил тут заняться делом. Но не тут-то было Данная схема представляет собой логический переключатель питания на 4 светодиодные гирлянды (4 электронных ключа). Режим работы - независимое переключение входных сигналов каждые 5-10 секунд, мгновенно. Схема будет "сидеть" в герметичном корпусе, поэтому нагрев, и тем более перегрев, крайне нежелателен. Питание логики и транзисторов будет стабилизированное, 9 В. Для ключей использовал МДП-транзисторы КП540. Выбрал помощнее с минимальным сопротивлением Исток-Сток в открытом состоянии, с возможным напряжением до 20 В. Инверсию делал тоже подобным транзистором (пока не подобрал, он не такой мощный нужен). В логике я ещё нормально соображаю, а вот в электронике - 50/50. Последний раз схему делал лет 15 назад. Поэтому прощу помощи в оценке правильности принятых решений и подобранных элементов. Уважаемые профессионалы и любители, теоретики и практики, у меня несколько вопросов, на которые самостоятельно я не смог ответить с уверенностью (хотя в схеме я эти ответы включил по своему разумению): Правильно ли включены полевые транзисторы (при подаче на Затвор относительно Истока +9 В, открывается канал Исток-Сток)? Есть ли необходимость применять ограничительные резисторы на затворе или ток и так ограничен внутренними элементами микросхемы? Какойе номинал использовать? Есть ли необходимость ставить резисторы разрядки на Затвор-Исток? Какой номинал использовать? Можно ли подавать на логические входы микросхемы +12 В, если микросхема питается от 9 В? Думаю нет, но не уверен. В принципе, можно получить 9 В через делитель или, опять же, транзисторным ключом. Если сопротивление И-С открытого транзистора составляет 0,077 Ом, то при токе И-С в 2 А на транзисторе будет выделяться ~0,31 Вт. Прилагаю логическую и принципиальную схемы. Буду благодарен любой помощи и советам.
  21. Здравствуйте люди добрые и не очень Есть у меня проблема в понимании работы полевых транзисторов, а именно: как реализовать коммутатор звуковых сигналов подачей логического нуля либо единицы на управляющий вход. Нужен выбор источника звука для УНЧ. Грубо говоря сигнал должен проходить на усилитель только от одного выбранного источника сигнала, не смотря на то, что оба устройства звуковоспроизведения в этот момент "вещают" звук на своём выходе. Всего звуковых дорожек будет 8. На просторах интернета нашёл схему, но моделируя её в EWB пятой версии никак не получилось добиться работоспособности схемы. Вот эта схема и сразу вопрос по ней - будет ли она без искажений передавать звуковой сигнал? В общем главный вопрос - как можно осуществить коммутатор звуковых сигналов с помощью полевых транзисторов?
  22. Хочу собрать электронный кнопочный регулятор громкости, но столкнулся с проблемой отсутствия нужного транзистора. Нужен BS170, у меня же имеется только КП303. 1. Рабочая ли схема? Мне она нужна для регулировки громкости в колонках. 2. Можно ли заменить транзистор на вышеуказанный?
  23. Подскажите пожалуйста, никак не могу разобраться с этим транзистором. На схеме указан КП103 Д, но в справочниках последняя буква другая (Е,Ж,И,К). Зато есть 2п103 Д, но параметры очень отличаются от КП. Что это за транзистор такой и есть ли аналоги?
  24. Подскажите как понимать данные из даташита по полевикам, у меня не сходится. Есть 2 повевика 9915H и 9916H 9915H ----------- BV(DSS) 20V RDS(ON) 50mΩ ID 20A -- VGS(th) VDS=VGS, ID=250uA MIN 0.5V MAX 1.2V VSD Forward On Voltage2 Tj=25℃, IS=20A, VGS=0V MAX 1.3 V 9916H ----------- BV(DSS) 18V RDS(ON) 25mΩ ID 35A -- VGS(th) VDS=VGS, ID=250uA MIN 0.5V MAX 1.0V VSD Forward On Voltage2 Tj=25℃, IS=35A, VGS=0V MAX 1.3 V ---- Питание схемы 1AA аккумулятор, транзистор работает ключем для питания всей схемы, выбрал 9916, т.к открывается он полностью на 1вольт, проблема в том, что при напряжении на затворе 1.275V он не полностью открывается, в чем проблема может быть? Питаю схему напрямую, кушает она 85ма, через ключ - всего 35ма, тоесть в 2 раза меньше, делаю вывод что транзистор не полностью открыт. схема, D1 тут фототранзистор.
×
×
  • Create New...