Есть Ли В Atmega16 Не Эноргозависимая Память ?

[maix]

Доброго времени суток уважаемые форумчане!

Делаю кодовый замок на atmega16, впринципе все понятно, но есть один момент.. Хочется сделать этот замок программируемым, что бы по мастер-паролю добавлять и удалять ключи, отсюда вытекает вопрос - есть ли в atmega16 НЕ ЭНЕРГОЗАВИСИМАЯ память, в которую можно из программы записать несколько шестизначных чисел, а так же прочитать их от туда ?

Всем спасибо за внимание.

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[Tesla]

Datasheet, первая страница:

• Nonvolatile Program and Data Memories

– 512 Bytes EEPROM

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[maix]

Tesla, благодарю, извините, по неграмотности не знал что такое EEPROM..

А не подскажите пару примеров записи и чтения в эту память на СИ ?

[Реклама]

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Tesla]

А в даташите это тоже есть

Запись:

void EEPROM_write(unsigned int uiAddress, unsigned char ucData)
{
   /* Ожидаем завершения предыдущей операции записи */
   while(EECR & (1<<EEWE))
   ;
   /* Устанавливаем значения регистров адреса и данных */
   EEAR = uiAddress;
   EEDR = ucData;
   /* Запускаем процесс записи */
   EECR |= (1<<EEMWE);
   EECR |= (1<<EEWE);
}

Чтение:

unsigned char EEPROM_read(unsigned int uiAddress)
{
   /* Ожидаем завершения предыдущей операции записи */
   while(EECR & (1<<EEWE))
   ;
   /* Устанавливаем значение регистра адреса */
   EEAR = uiAddress;
   /* Запускаем процесс чтения */
   EECR |= (1<<EERE);
   /* Возвращаем считанные данные */
   return EEDR;
}

[maix]

Tesla, спасибо еще раз, разбираю..

[COKPOWEHEU]

Flash тоже энергонезависимая. В ней хранится программа, там по-другому нельзя. Хотя без нужды лучше бы ее не перезаписывать из программы.

[maix]

COKPOWEHEU, совсем запутался.. флеш же не энэргозависимый ? 512 байт, это не то место где может хранитиься программа микросхемы, значит EEPROM как я понимаю и создана для хранения ?

Иначе, я вообще все не правильно осмысливаю...

Изменено 22 августа, 2013 пользователем maix

[Tesla]

В AVR есть три типа памяти - SRAM, EEPROM и "Flash". Энергонезависимыми являются последние два.

Flash как правило используется только для хранения программы и констант, не изменяющихся в течение жизненного цикла устройства, данные во flash записываются программатором (имеется возможность перезаписи этих данных и самой программой микроконтроллера, но это применяется в основном для обновления прошивки). Atmel заявляет, что ресурс этой памяти более 10,000 перезаписей.

EEPROM используется для хранения время от времени изменяемых данных, например, пользовательских настроек устройства. Ресурс этой памяти уже 100,000 перезаписей.

[COKPOWEHEU]

maix, да, неправильно. У ATmega16

– 16 Kbytes of In-System Self-programmable Flash program memory

– 512 Bytes EEPROM

– 1 Kbyte Internal SRAM

, 16 кБайт флеша, память программ. Энергонезависимая иначе как хранить программу в обесточенном устройстве.

512 байт EEPROM тоже энергонезависимая, про нее Tesla расписал.

1 кБайт ОЗУ. Вот это уже энергозависимое, зато перезаписывать можно сколько угодно. Там хранятся переменные и прочая информация, которую не нужно хранить при отключении питания.

[dm211]

maix, если используете CVAVR, то там еще проще-

eeprom char primer;
primer=10;

Изменено 23 августа, 2013 пользователем dm211

[COKPOWEHEU]

Как будто в avr-gcc сложнее. Подключить <avr/eeprom.h> и написать eeprom_write_byte().

[maix]

Tesla, COKPOWEHEU, dm211 благодарю, походу разобрался, по крайней мере все компилируется без ошибок =)) Пишу основной код, продумываю как лучше всего сравнивать введенный код с теми которые будут в eeprom..

сначала хотел собирать нажатия кнопок и собирать их в одну переменную типа такого temp = temp + key, но потом подумал что если первое число будет 0 , то получится не например 0378, а просто 378, поэтому решил использовать массивы, собирать из нажатий кнопок один массив и сравнивать его с остальными которые будут в eeprom..

посути же 2 масиива при равных значениях ключей должны быть равны..

char array1 = {1,2,3};

char array2 = {1,2,3};

array1[] == array2[]; так вить ?

и тут попутно следующий возникший вопрос - в php есть многомерные массивы, я ими часто пользуюсь, как многомерный массив создать в СИ ? и возможно ли это ?

[COKPOWEHEU]

char [10][10], проблем-то