Перейти к содержанию

Расчте Резистора В Цепи Затвора Rg


Рекомендуемые сообщения

Добрый день, тема поднималась не раз, но я так и не нашел ответы и конкретные рекомендации. Ситуация следующая, есть драйвер IR2110 и полу-мост собранный на IRF3205. Необходимо рассчитать затворный резистор Rg. Я понимаю, что величина данного резистора дается в DS к транзисторам. Однако меня интересует именно расчет. Поднял Апноуты, в частности:

http://www.semikron.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-application-note-an-7003-gate-resistor-principles-and-applications-en-2007-11-12-rev00

На странице 6 дается следующая формула:

http://prntscr.com/6ljf4l

Вопрос в том, что Vg(on) и Vg(off) - как пишется, снимаются с выхода драйвера. В DS к драйверу я не могу найти данных величин. Уважаемые - подскажите, как расчет произвести?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Инженеры КОМПЭЛ провели сравнительное тестирование аккумуляторов EVE и Samsung популярного для бытовых и индустриальных применений типоразмера 18650. 

Для теста были выбраны аккумуляторы литий-никельмарганцевой системы: по два образца одного наименования каждого производителя – и протестированы на двух значениях тока разряда: 0,5 А и 2,5 А. Испытания проводились в нормальных условиях на электронной нагрузке EBD-USB от ZKEtech, а зарядка осуществлялась от лабораторного источника питания в режиме CC+CV в соответствии с рекомендациями в даташите на определенную модель. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Литиевые аккумуляторы EVE Energy и решения для управления перезаряжаемыми источниками тока (материалы вебинара)

Опубликованы материалы вебинара Компэл, посвященного литиевым аккумуляторам EVE Energy и решениям для управления перезаряжаемыми источниками тока.

На вебинаре мы представили информацию не только по линейкам аккумуляторной продукции EVE, но и по решениям для управления ею, что поможет рассмотреть эти ХИТ в качестве дополнительной альтернативы для уже выпускающихся изделий. Также рассмотрели нюансы работы с производителем и сервисы, предоставляемые Компэл по данной продукции. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Вообще говоря, минимальное Rg нужно рассчитывать исходя из допустимого тока драйвера. И если резистор окажется меньше, чем рекомендовано в даташите на транзистор, то ставите рекомендованный. Если больше, то оставляете рассчитанный.

Никогда не спорьте с дураком - люди могут не заметить между вами разницы

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Литиевые батарейки и аккумуляторы от мирового лидера  EVE в Компэл

Компания Компэл, официальный дистрибьютор EVE Energy, бренда №1 по производству химических источников тока (ХИТ) в мире, предлагает продукцию EVE как со склада, так и под заказ. Компания EVE широко известна в странах Европы, Америки и Юго-Восточной Азии уже более 20 лет. Недавно EVE была объявлена поставщиком новых аккумуляторных элементов круглого формата для электрических моделей «нового класса» компании BMW.

Продукция EVE предназначена для самого широкого спектра применений – от бытового до промышленного. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

Вообще говоря, минимальное Rg нужно рассчитывать исходя из допустимого тока драйвера.

Дело в том, что типовое значение Vg(off) лежит в пределах (-5/-15В) - cудя по статье http://www.chipinfo..../200813/p9.html

Опять не ясно, откуда данный параметр Vg(off) брать? Для современных транзисторов - напряжение выключение близко к нулю?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

откуда данный параметр Vg(off) брать?

Из даташита на драйвер.

Никогда не спорьте с дураком - люди могут не заметить между вами разницы

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

откуда данный параметр Vg(off) брать?

Из даташита на драйвер.

Эм...а вы уверены, что этот параметр драйвера, а не транзистора? В DS к драйверу указывается значение напряжения логической единицы и нуля - Vg(off) - не указан

[

Изменено пользователем Serebro
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

А причём тут транзистор? Максимальный ток равен перепаду напряжения на выходе драйвера, делённому на резистор Rg.

Никогда не спорьте с дураком - люди могут не заметить между вами разницы

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Вы не так поняли.

Григорий, спасибо за ответы. Хорошо, тогда можете ткнуть носом, откуда берутся значения Vg(on) и Vg(off) в DS драйвера http://lib.chipdip.ru/159/DOC000159769.pdf

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

VOH High level output voltage, VBIAS - VO 14 — — 1.2 IO = 0A

VOL Low level output voltage, VO 15 — — 0.1 IO = 0A

Никогда не спорьте с дураком - люди могут не заметить между вами разницы

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

VOH High level output voltage, VBIAS - VO 14 — — 1.2 IO = 0A

VOL Low level output voltage, VO 15 — — 0.1 IO = 0A

Эм, но их разность не дает в результате напряжение питания драйвера

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Если вы заметили, VOH = VBIAS-VO, т.е. относительно напряжения питания.

Никогда не спорьте с дураком - люди могут не заметить между вами разницы

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Если вы заметили, VOH = VBIAS-VO, т.е. относительно напряжения питания.

Ах вон тут какая магия...тогда действительно = Vbias = 15В

Григорий, это только одна из методик расчета...вы видели какие-либо еще? Например я встречал следующие:

Предлагается вашему вниманию две методики расчета сопротивления цепи

затвора (емкость затвора транзистора IRF3808 составляет C=5300 pF, время

включения транзистора t=100 ns):

1. Заряд конденсатора характеризуется постоянной времени заряда, то есть

это время, за которое конденсатор зарядится до уровня 0,63% от напряжения питания.

t = RxC. Определим из нее резистор. 100ns = Rx5300pf. Следовательно R =

18,86 Om. Ток, протекающий по цепи заряда, будет определяться как I = ( Uп - Uс)/R. В

начальный момент, когда уровень заряда конденсатора равен нулю, ток в цепи будет

максимален. Отсюда Iмакс = 10 / 18,86 = 0,53 А. Общий ток в нашей схеме из 6 транзисторов равен

6*0,53 = 3 А. Если учесть, что реальный переходной процесс заряда равен 3 - 4

постоянным времени, то

Значение резистора можно уменьшить до 6 Ом. В общем практически резистор

будет от 20 Ом до 6 Ом.

2.Средний ток заряда емкости затвора I=(Uп-Uc)xC/t =

(10-0)x0,0000000053/0,0000001=0,53 A

Следовательно R=U/I=10/0,53=18,86 Ом. Таким образом обе методики дают

один и тот

же результат. Уменьшая величину резистора, принимайте во внимание

нагрузочную

способность схемы управления. Примененная в нашем устройстве схема

IR2110

способна обеспечить ток 2 А.

Автор отталкивается от того емкости затвора транзистора:

I=(Uп-Uc)xC/t =(10-0)x0,0000000053/0,0000001=0,53 A

Следовательно R=U/I=10/0,53=18,86 Ом.

Как вы думайте, является ли данная методика правильной?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Он же сам пишет

Если учесть, что реальный переходной процесс заряда равен 3 - 4

постоянным времени, то

Отличие в 3-4 раза это, считайте, от потолка.

В даташите есть более правильный параметр - полный заряд затвора. Через него и нужно считать.

Никогда не спорьте с дураком - люди могут не заметить между вами разницы

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

В даташите есть более правильный параметр - полный заряд затвора. Через него и нужно считать.

Да, это я знаю, только он не всегда присутствует

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Суммарное значение - в ряде случаев не указывается в DS - и ее определяют на основе экстраполяции. В Статье: Управление изолированным затвором IGBT. Основные положения, Часть 1. Есть строка:

...Если в спецификации транзистора приводится только положительная область характеристики, то суммарное значение QG может быть определено с помощью экстраполяции,

Т.е. в ряде случаев - есть только график, а не числовое значение общего заряда затвора

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

  • 1 год спустя...

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Гость
Unfortunately, your content contains terms that we do not allow. Please edit your content to remove the highlighted words below.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Восстановить форматирование

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

Загрузка...
  • Последние посетители   0 пользователей онлайн

    • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу
×
×
  • Создать...