Cahes Опубликовано 23 апреля, 2015 Поделиться Опубликовано 23 апреля, 2015 (изменено) Драйвер для мосфета обычно делается на 2 ампера, есть на 6 ампер, но чем диктуется выбор? Очевидно ёмкостью затвора, разряжающегося. Как выбрать подходящий драйвер, и при этом не покупать максимальный и не переплачивать? Как определить - какой ток разряда затвора в пике? Как определить - подойдёт ли некий биполярный транзистор для драйвера на диоде и одном транзисторе, открывающимся для закрытия мосфета? Пусть ёмкость затвора 1000 пФ, частота 30 кГц, транзистор КТ816, напряжение 12 вольт, что дальше? Изменено 23 апреля, 2015 пользователем Cahes 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
mvkarp Опубликовано 23 апреля, 2015 Поделиться Опубликовано 23 апреля, 2015 А вот этот вопрос пока отложите в сторонку. Разберитесь с простыми своими непониманиями. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!Перейти на страницу акции Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849
IMXO Опубликовано 23 апреля, 2015 Поделиться Опубликовано 23 апреля, 2015 но чем диктуется выбор? Очевидно ёмкостью затвора, разряжающегося. сферическим конем в вакууме.... выбор диктуется кол-вом полного заряда на затворе и временем откытия/закрытия мосфета.... 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>> Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161
o_l_e_g Опубликовано 23 апреля, 2015 Поделиться Опубликовано 23 апреля, 2015 Ток-кулоны в секунду. Далее, смотрим, для данной емкости и частоты, с какой скоростью мы можем управлять, и как затянутся фронты. 1 Errare humanum est. Коли людЯм позволено, что же о нас то говорить! Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Cahes Опубликовано 23 апреля, 2015 Автор Поделиться Опубликовано 23 апреля, 2015 (изменено) Для транзистора IRLI530G http://www.vishay.co...91311/91311.pdf и драйвера на 2А имеем: C=930pF U=12V Q=C*U=930*0,000000000001*12=0,00000001116 © T`=Q*I=0,00000001116*2=0,00000002232 (Sec) = 0,02232 (mkS) = 22 (nS) T` по даташиту = 22 (nS) (Turn-Off Delay Time) Получились равные значения. То есть ток разряда является как раз 2А. Правильно? Изменено 23 апреля, 2015 пользователем Cahes 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
IMXO Опубликовано 23 апреля, 2015 Поделиться Опубликовано 23 апреля, 2015 нет не правильно... 1. максимальное напряжение на затворе Vgs = +/- 10v... 2. время закрытия Td(off) = 22nS приводится для Vgs = 5v & Vds = 80v смотрим рис.6 и рис.13 полный заряд затвора Qg=17,5nC I = Qg/Td(off)=17,5nC/22nS = 0.795A , но опять же это грубый расчет тк не учитывает время заряда и уровень напряжения плато-Миллера, а оно у каждого мосфета разное... поэтому приводится худший случай Rg = 6ом т.е. I = 0.833A 1 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Cahes Опубликовано 24 апреля, 2015 Автор Поделиться Опубликовано 24 апреля, 2015 Ну хорошо. Понятны ошибки, правда не понятен переход от "C=930пФ" к "Qg=17,5nC". Я исходил из того, что - Q=C*U; U=5В; Q=930*0,000000000001*5=0,00000000465©=4,65(nC); если я правильно посчитал. 4,65nC и 17,5nC различаются вчетверо. Ну да ладно, даташит умнее, это всё мелочи. ********************************** Как определить - подходит ли КТ816 http://www.trzrus.narod.ru/sourse/kt816.pdf в качестве запирающего транзистора для драйвера мосфета? Странно, но на него я не смог найти временных характеристик. Вот единственно: h21э=25 (при Iэ=1А), fгр=3мГц. Частота 30кГц, мосфет вышеуказанный. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
IMXO Опубликовано 24 апреля, 2015 Поделиться Опубликовано 24 апреля, 2015 правда не понятен переход от "C=930пФ" к "Qg=17,5nC" емкости мосфета нелинейны....читайте http://masters.donnt...rary/mosfet.pdf если конечно сможете осилить PS ссылка умерла, ПДФка в пост11 2 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
o_l_e_g Опубликовано 24 апреля, 2015 Поделиться Опубликовано 24 апреля, 2015 Виной, пресловутое Миллеровское плато. Ток тИкЁт, а напряжение не увеличивается. 1 Errare humanum est. Коли людЯм позволено, что же о нас то говорить! Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Cahes Опубликовано 24 апреля, 2015 Автор Поделиться Опубликовано 24 апреля, 2015 Ребят - спасибо за заботу, но Миллер - не главное. Мне нужны рекомендации по теме запорного транзистора КТ816. Ссылка, кстати, не работает. Вероятно вы рекомендовали что-то типа вот этого: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/mosfet.pdf? Нет, это пока не для меня, да ещё и на английском... 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
IMXO Опубликовано 24 апреля, 2015 Поделиться Опубликовано 24 апреля, 2015 нет не эту... mosfet.pdf 2 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
o_l_e_g Опубликовано 24 апреля, 2015 Поделиться Опубликовано 24 апреля, 2015 В принципе, 816-817 должны нормально работать в драйвере, порядка 100-150 кГц, при нормальных токах сатурации-десатурации их баз. 2 Errare humanum est. Коли людЯм позволено, что же о нас то говорить! Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Behram Опубликовано 24 апреля, 2015 Поделиться Опубликовано 24 апреля, 2015 (изменено) Ребят - спасибо за заботу, но Миллер - не главное. Мне нужны рекомендации по теме запорного транзистора КТ816. Миллер - главное. Именно он сильнее всего влияет на скорость переключения. А у КТ816 граничная частота маловата. Лучше BD136 поставить. Изменено 24 апреля, 2015 пользователем Behram 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Cahes Опубликовано 25 апреля, 2015 Автор Поделиться Опубликовано 25 апреля, 2015 (изменено) Это на 50 мгц... Так у них единственный показатель - частота, получается. "сатурация десатурация" - то есть насыщение, получается. Ток насыщения должен быть такой, чтоб обеспечить ток максимального импульса на коллекторе, в нашем случае - 0.833A делить на коэффициент усиления 25 и выше, получается 0,03332А = 30мА. Это должна обеспечить микросхема - не вижу в этом проблемы. Спасибо за ссылку, почитал - но манера написания текста не благоприятствует удачному созданию образа. Из поисковика понял что плато Миллера - это эффект прерывания открытия на пол-пути, когда, частично открывшийся транзистор, пускает ток с силового перехода на затвор, который направлен противоположно затворному, и который должен быть преодолён драйвером. На сколько я понял... Один сказал - "подойдёт", другой - "нет"... Ладно, будем пробовать. Частота не велика. Спасибо за разъяснения. Изменено 25 апреля, 2015 пользователем Cahes 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
IMXO Опубликовано 25 апреля, 2015 Поделиться Опубликовано 25 апреля, 2015 Спасибо за ссылку, почитал - но манера написания текста не благоприятствует удачному созданию образа. вот по этому дал упрощенный расчет.... единственное что надо учитывать скорость нарастания напряжения сток-затвор при открытии не превышала пик восстановления диода dV/dt 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
IMXO Опубликовано 25 апреля, 2015 Поделиться Опубликовано 25 апреля, 2015 Это на 50 мгц... Так у них единственный показатель - частота, получается. вы опять не правильно понимаете суть или не читаете что написано....это частота единичного усиления те коэф.усиления в схеме с ОЭ h21e=1 , для номинального усиления частота должна быть минимум в 1,5-2 раз меньше помимо этого h21e в ключевом режиме в 3-5 раз меньше чем в усилительном.... по частоте для КТ816 средний h21e=40 , fгр=3МГц те рабочая частота в лучшем случае до 1,5МГц для BD136 средний h21e=70, fгр=75МГц, те рабочая частота до 50МГц в время переключения мосфета 22ns, те частота = 45,5МГц по току при Iк=0,83А для КТ816 Iб=Iк/(40/3)= 63мА для BD136 Iб=Iк/(70/3)= 36мА 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Cahes Опубликовано 11 июня, 2015 Автор Поделиться Опубликовано 11 июня, 2015 (изменено) А не интересней ли в качестве запорного транзистора использовать импульсный, например мосфет? Суммарный ток проходит маленький, амперы фигурируют только при разряде силовика. Выбрать мосфет с рабочим напряжением 30 вольт и импульсным током в 3 ампера, при этом он выйдёт на порядок-два дешевле. Как думаете? Обязательно ли в качестве запорного биполярного транзистора использовать транзистор средней мощности в корпусе ТО126? Предлагаются транзисторы в корпусе ТО92 с неплохими частотными и токовыми характеристиками: 2SB 772Y - 30V; 3A; 10W; 80MHz. Но при десяти ваттах маловато выйдет тока умноженного на напряжение - при типичном токе запора силовика 1А, напряжение выдержит биполярник в 10В - маловато будет. Так что - необходимо выбирать запорный транзистор с мощностью рассеяния 20-30 ватт? Либо мощность здесь рассчитывается исходя из импульсного режима - 30 ватт проходит только в импульсе, и биполярник на 10 ватт спокойно выдержит нормальное закрывание силовика с напряжением затвора 30 вольт и током 3 ампера? Изменено 11 июня, 2015 пользователем Cahes 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Дмитрий Мамедиев Опубликовано 29 июня, 2019 Поделиться Опубликовано 29 июня, 2019 Ок. Тогда выходит для irf840 нужен ток 1,3! Тогда как им управляет ir2153 с выходным током в 0,4а? 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
IMXO Опубликовано 29 июня, 2019 Поделиться Опубликовано 29 июня, 2019 а чего вы решили что 2153 закрывает 840ой за даташитные 14+23 наносекунды? 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
KRAB Опубликовано 29 июня, 2019 Поделиться Опубликовано 29 июня, 2019 3 часа назад, Дмитрий Мамедиев сказал: как им управляет ir2153 с выходным током в 0,4а? в "тюбике" есть мультик с расчетом - разжевано для ясель ... 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Дмитрий Мамедиев Опубликовано 30 июня, 2019 Поделиться Опубликовано 30 июня, 2019 5 часов назад, KRAB сказал: в "тюбике" есть мультик с расчетом - разжевано для ясель ... не нашел в ютубе , нашел в инете. Qg-заряд затвора (для 840 составит 63nC), f-частота переключения, пусть 40кГц Qg*f=63*(10)-9*4*(10)4=252*(10)-5 кл/с или 2,52мА 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
KRAB Опубликовано 30 июня, 2019 Поделиться Опубликовано 30 июня, 2019 36 минут назад, Дмитрий Мамедиев сказал: не нашел в ютубе я ЗА ТЕБЯ нашел: потрать 10 минут и все узнаешь ... 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Дмитрий Мамедиев Опубликовано 30 июня, 2019 Поделиться Опубликовано 30 июня, 2019 ок. хочу поженить tl598 и irf840. для 598 ток открытия 200 мА, ток закрытия 20 мА, питать буду от 15 В. тогда внутреннее сопротивление (исходя из видео) Rмс= 15/0,2(0,02)=75(750)Ом. возьмем затворный резистор номиналом Rg=33 Ом. но я бы прибавил сопротивление затвора из дш на 840, хоть оно и маленькое 2,8 Ом максимум. тогда общее сопротивление Rобщ=33+75(750)+2,8=110,8(785,8) Ом. тогда ток необходимый для мс шим I=15/110.8(785,8)=135.4(19) мА. что меньше 200(20) мА из дш далее из видео... проверяем время отк/закр: для 840 Qg=63 нКл, тогда t=63/0.135(0.019)=466(3315)nS время закрытия получилось.... ток отк/закр взял из даташита, если я правильно понял 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Дмитрий Мамедиев Опубликовано 30 июня, 2019 Поделиться Опубликовано 30 июня, 2019 а вот здесь используется в тесте, источник тока в 3 мА. так что может первый расчет верный? там где 2,52 мА получилось? 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
IMXO Опубликовано 30 июня, 2019 Поделиться Опубликовано 30 июня, 2019 18 минут назад, Дмитрий Мамедиев сказал: тогда внутреннее сопротивление (исходя из видео) Rмс= 15/0,2(0,02)=75(750)Ом. "смотрю в книгу вижу фигу" High-level output voltage Vcc = 15 V, Io = −200 mA : Vo=12V High-level output voltage Vcc = 15 V, Io = −20 mA : Vo=13V перевожу на русский: при напряжении питания 15в и токе нагрузки 200мА , напряжение на выходе 12в , для тех кто не понял падение напряжения на выходе МС равно 3в , сопротивление выхода МС (13-12)/0,2=5ом. Low-level output voltage Vcc = 15 V, Io = 200 mA : Vo=2V Low-level output voltage Vcc = 15 V, Io = 20 mA : Vo=0,4V сопротивление выхода МС (2-0,4)/0,2=8ом. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Присоединяйтесь к обсуждению
Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.