Зарядное Усиройство - Модификация

[Андрей Лапшов]

Здравствуйте. У друга сгорело зарядное . На данный момент я имею диодный мост , тиристор, и силовой трансформатор. У меня завалялся IGBT транзистор с током К-Э до 40 ампер, Транзистор FGH40N60. Я подумал что можно применить его в качестве ключа и управлять и с помощью ШИМ. Шим успешно собран на 555 и работает на 1 Кгц. Сильно повышать частоту ? и как управлять выходом с 555 транзистором IGBT. Скажу сразу, что я пробовал выход открытого коллектора подтянутый к V+ 10ком., управление транзистором через резистор 100-1000ом , потом поставил перед ним два комплиментарных транзистора биполярных на которые подал выход открытого коллектора подтянутый к питанию . Результат один - очень сильный нагрев и просаживание выхода на тока менее 3 ампер. Во время экспериментов доставшийся IGBT я конечно же сжег( подскажите , имеет ли смысл такое управление током на одном транзисторе +PWM и как управлять IGBT с помощью 555.

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[igorillich]

Советую вместо IGBT поставить любой мосфет из завалявшейся материнской платы компа.

К примеру у меня 85Т03GH выдает на гора шесть амперов без особого перегрева. При управлении шимом на 555.

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[mvkarp]

Сожжете и остальные имеющиеся. На одном транзисторе и 555 никак не получите схему защиты от перегрузки по току. И будут гореть Ваши силовые транзисторы один за другим.

[Реклама]

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Александр73ул]

Привет. Может как то так можно:

только полевик как то надо поставить вместо биполярника.

[Андрей Лапшов]

я подключал так. Так же пробовал на затвор IGBT подавать через 2 транзистора pnp и npn как тут без оптронной развязки, на базы транзисторов подтянутый через 10к к V+ Шим выход Discharge, что является открытым коллектором выходного транзистора в 555. Нагружал автомобильной лампой 12в. При токе около 3 ампер резкое падение тока и лампа гаснет, транзистор горячий ппц. Так же охрененные помехи на фронтах силового IGBT. Нехватка мощности источника питания? Отсутствие deadtime? Есть драйвера для такого разрывного управления IGBT? Он n-каналный стоял в разрыве минуса(Земли)

Забыл, брать управление с выхода Q тоже пробовал

[Гость Гость]

Зарядное Усиройство - Модификация

Переименовать бы тему.. Чтобы народ не уcирался..

[mvkarp]

Эт точно.

Лапшов, и где в Ваших схемах пахнет зарядным?

[Андрей Лапшов]

какая перегрузка по току у транзистора держащего 40 ампер , там стоит амперметр и зарядка не автомат. Защиту по току можно прикрутить - это уже другая история

да принесли мне зарядное из транса и диодного моста и тиристора и горелой оторванной платой с парой транзисторов. Вот как- то так и называю..

Да, Вы правы, тема - управление большим током при помощи IGBT и 555 или другого ШИМ сигнала, а не о зарядном каком-то, как таковом

[igorillich]

Андрей, IGBT так же как и мощные высоковольтные мосфеты плохо годятся для использования в низковольтных преобразователях. У них сопротивление в открытом состоянии сравнительно большое.

Ну зачем забивать гвозди микроскопом, ежели можно использовать как я уже сказал хотя бы те же 85Т03GH...

[Андрей Лапшов]

Вы правы, просто интересно почему так происходит...

[igorillich]

В следствие законов физики. Чем больше сопротивление открытого канала - тем больше падение напряжения на нем.

И как результат - тепловая мощность рассеиваемая транзистором P=U x I.

[Андрей Лапшов]

ну так он под активным охлаждением и на радиаторе немалом... Q=(I^2)(Rt) не пальцем деланы тоже. Ток мы сами выставляем, следовательно дело в сопротивлении, то есть транзистор не до конца открывается и/или закрывается..!?

[igorillich]

Он открывается до конца. Только конец малость длинный...

Попробуйте все-таки любой мосфет с материнки. И убедитесь в разнице тепловыделения воочию.

[Гость Гость]

а где осциллограммы на затворах хотябы? что за исследовательская работа без глаз? приборы-наши глаза. чем Вы определяете формы напряжений, токов на устройстве?

[Андрей Лапшов]

Цифровой осциллограф. Увы не имею сейчас фото или распечатки с флешки. Мультиметр далеко не за 1к рублей.

[Александр73ул]

У вас ток 3А , значит у такого IGBT на 40А примерно 1,8-2в в открытом состоянии при 3А, это максимум 6Вт на нём выделяется, а если больше,значит вы не правильно его коммутируете или какая самоиндукция его пробивает. В любом случае импульсный ток надо ограничивать чем то при зарядке, например дросселем.

[Александр73ул]

Обратите внимание, что управление по току идёт через 5 ножку микросхемы 555.

В мной предложенной схеме.