Jump to content
Sign in to follow this  
POlSS0N

Пробивное Напряжение Эмали Обмоточных Проводов

Recommended Posts

На ЧД в свойствах эмальпровода ПЭТВ-2 указано "минимальное пробивное напряжение - 5000 вольт".

Тем не менее в мануалах по намотке трансов указано не допускать между соседними витками напряжение выше 100 вольт.

В светильниках например, где стоит резонансная схема зажигания, дроссель намотан вообще проводом в толстой тефлоновой изоляции и между рядами витков проложена трансформаторная изолента, хотя там всего 5 киловольт на выходе.

Соответственно вопрос - что же это за такое минимальное пробивное напряжение? Или реально ПЭТВ пробивает только 5 КВ?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Это напряжение берётся из лабораторных исследований(не в составе индуктивностей),а на фактический пробой двух,рядом расположенных проводников,один из которых,находится под заявленным потенциалом.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Guest Гость

И чё-то нет там 5кв нигде..

http://www.selltec.ru/catalogue/kabelno-provodnaya-produktsiya/emalprovod/petv2/emalprovod-1_4989.html

И проб. напр. зависит ещё и от диаметра провода.

http://un7ppx.narod.ru/info/cable/cab8.htm

И это нужно очень постараться, со всей дури, чтобы создать пробивной потенциал между соседними витками.

Про отступ от края и прокладки каждый шлольник в курсе,.. который шокеры делал.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Вебинар «STM32L5. Секреты оценки энергопотребления» (05.11.2020)

Компания КОМПЭЛ приглашает 5 ноября принять участие в вебинаре, посвященном первому семейству МК STM32L5 на ядре Cortex-M33. На вебинаре будет рассказано об ошибках при расчете энергопотребления МК с помощью отладки STM32L562E-DK. Отладки STM32L562E-DK будут разыгрываться среди участников. Информация об условиях участия будет озвучена на вебинаре.

Подробнее

http://polyus.com.ua/petv2.htm

- пробивное в зависимости от диаметра.

И запас в 3 раза на случайные короткие всплески.


Отыщи всему начало, и ты многое поймешь!

Share this post


Link to post
Share on other sites

Как снизить потери мощности на 30%? Транзисторы SiC MOSFET.

Прогресс в области широкозонных полупроводниковых материалов позволил создать карбид-кремниевые полевые транзисторы (SiC MOSFET) с повышенной рабочей частотой, обеспечивающие меньшие потери на переключение. Усовершенствованные корпуса с малой паразитной индуктивностью, в которых выпускаются такие транзисторы, позволяют разработчикам в полной мере использовать возможности этих компонентов для увеличения КПД силовых преобразователей.

Подробнее

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.
Note: Your post will require moderator approval before it will be visible.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Restore formatting

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Loading...
Sign in to follow this  

×
×
  • Create New...