Никита Тыманович Опубликовано 19 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 19 декабря, 2016 В инверторах,по своей привычке, пользовался всегда только мосфет, а под новый год появилась возможность за копейки получить несколько мосфетов или igbt, и тут у меня появилось сомнение насчет них. Стал гуглить, но на форумах были ярые сторонники как мосфетов,так и igbt, при том аргументы и у тех и у других были одинаковы... В общем,решил раз и навсегда разобраться, что же все-таки лучше(интересует их кпд и рассеиваемая мощность при одинаковом токе,напряжении, частоте и кто из них лучше стоит в параллели со своими собратьями, ибо те же биполярные транзисторы очень плохо стояли друг с другом в параллели,мосфеты хорошо их-за отрицательного теплового воздействия на сопротивление,а про igbt даже не знаю...) 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
ARV Опубликовано 19 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 19 декабря, 2016 Если кратко, до IGBT практически без вариантов для напряжений более 800 вольт. Для MOSFET-ов это практически предел возможностей, а IGBT имеются и до 4500 вольт. Ну и еще плюс у них в том, что падение напряжения в открытом (насыщенном) состоянии у них практически не зависит от тока, как у биполярных. В остальном разница с MOSFET небольшая... Практически все достоинства и недостатки совпадают. Да, для малых напряжений MOSFET-ы предпочтительнее, т.к. низковольтных IGBT не бывает, а у высоковольтных на малых напряжениях напряжение коллектор-эмиттер будет таким же, как и на высоком напряжении... что означает бОльшие статические потери по сравнению с MOSFET. 0 Если забанить всех, кто набрался смелости думать независимо, здорово будет на форуме - как на кладбище: тишина, птички поют... Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!Перейти на страницу акции Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849
Никита Тыманович Опубликовано 19 декабря, 2016 Автор Поделиться Опубликовано 19 декабря, 2016 1 минуту назад, ARV сказал: Если кратко, до IGBT практически без вариантов для напряжений более 800 вольт. Для MOSFET-ов это практически предел возможностей, а IGBT имеются и до 4500 вольт. Ну и еще плюс у них в том, что падение напряжения в открытом (насыщенном) состоянии у них практически не зависит от тока, как у биполярных. В остальном разница с MOSFET небольшая... Практически все достоинства и недостатки совпадают. Т.е. при напряжении из розетки они будут приблизительно одинаковы и взаимнозаменяемы? 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>> Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161
ARV Опубликовано 19 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 19 декабря, 2016 С моей точки зрения для "розеточных" напряжений еще MOSFETы должны выигрывать... Но это мнение - конкретно надо сравнивать по характеристикам. 0 Если забанить всех, кто набрался смелости думать независимо, здорово будет на форуме - как на кладбище: тишина, птички поют... Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
KRABIK Опубликовано 19 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 19 декабря, 2016 Самое интересное, что все давно разжевано в Гугле, для забаненных там ... ---- http://artradiolab.ru/9-mosfet.htm 1 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Никита Тыманович Опубликовано 19 декабря, 2016 Автор Поделиться Опубликовано 19 декабря, 2016 55 минут назад, KRABIK сказал: Самое интересное, что все давно разжевано в Гугле, для забаненных там ... ---- http://artradiolab.ru/9-mosfet.htm Спасибо.В статье наглядно расписаны расчеты и применение. В гугле мне попадались чуть-чуть другие статьи,поэтому после 2-3 статей сразу пошел по форумам. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Zamir_Ramilevich Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 В полумостовых и мостовых, схемах, на igbt наблюдается один неприятный эффект, точнее дефект, при закрытии одного из транзисторов, по причине высокого dI/dt происходит самопроизвольное открытие и как следствие big-bang. Поэтому в таких схемах необходимо обеспечить бОльший дедтайм, закрывать транзистор быстро, а открывать медленно, что обуславливает повышение динамических потерь. На практике найти компромис между КПД и надежностью сложно, но можно... Иногда с кучей паленных ключей, а иногда вообще без представления от чего и почему у него все горит и взрывается... 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
IRFP460 Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 Это называется эффект Миллера. есть несколько схематических решений для борьбы с ним. на IGBT можно смотреть только при ограниченном бюджете. Если бюджет позволяет смысла в IGBT нету. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Elektronics Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 И не мало важное забыли сказать, что mosfet по высоким частотам выигрывает у igbt. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
ARV Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 Только что, IRFP460 сказал: на IGBT можно смотреть только при ограниченном бюджете Бюджет ни при чем: у IGBT практически нет конкурентов на высоких напряжениях и больших токах. В остальном они фактически эквивалентны MOSFETам, т.к. являются однокристальной версией составного транзистора MOSFET+BIPOLAR: подвержены эффекту Миллера, параллелятся подобным образом и т.п. Но на низких напряжениях проигрывают по статическим потерям, о чем уже неоднократно было сказано в теме. 0 Если забанить всех, кто набрался смелости думать независимо, здорово будет на форуме - как на кладбище: тишина, птички поют... Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
IRFP460 Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 (изменено) 47 минут назад, ARV сказал: у IGBT практически нет конкурентов на высоких напряжениях и больших токах Да ладно. SCT2080KE 1200В 40А 1100р. C2M0045170D 1700 В 72А, 48А (ток при 100гр) 84$ штука при мелкой партии. список очень длинный могут переключаться на очень высоких частотах недостижимых для IGBT. по потерям также утрут нос IGBT. Изменено 27 декабря, 2016 пользователем IRFP460 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Armenn Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 44 минуты назад, IRFP460 сказал: SCT2080KE 1200В 40А 1100р. Не дороговато? В Китае 5шт. за такую цену взять можно в легкую. 0 Избегайте тех, кто старается подорвать вашу веру в себя. Эта черта свойственна мелким людям. Великий человек, наоборот, внушает чувство, что вы можете стать великим. (Марк Твен) Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
ARV Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 Только что, IRFP460 сказал: Да ладно Ладно, так ладно, не горячитесь. Если для вас 1200В - это высокое напряжение и 40А большой ток - я ж и не спорю Что скажете про 3300В и 1500А ? Приведете примеры MOSFET-ов, утирающих нос 1MBI1500UE-330 ? 0 Если забанить всех, кто набрался смелости думать независимо, здорово будет на форуме - как на кладбище: тишина, птички поют... Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
IRFP460 Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 (изменено) Ох, ..... Для меня большие. ), в начале темы вопрос стоял про инверторы. 19 минут назад, Armenn сказал: Не дороговато? В Китае 5шт. за такую цену взять можно в легкую. По характеристикам только надпись совпадет на корпусе. Изменено 27 декабря, 2016 пользователем IRFP460 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
ARV Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 Только что, IRFP460 сказал: Для меня большие Дык я сразу и написал, что для "розеточных" напряжений (и токов) MOSFETы лидируют А инверторы разные бывают, и далеко не все "розеточные" 1 Если забанить всех, кто набрался смелости думать независимо, здорово будет на форуме - как на кладбище: тишина, птички поют... Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
герд Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 (изменено) 2 часа назад, IRFP460 сказал: SCT2080KE 1200В 40А А теперь сравните падение на стареньком IGBT ключе и прикиньте, сколько вольт будет падать на SCT2080KE при 30-40 амперах ? Квадратичную зависимость мощности от тока ещё никто не отменял. Сопротивление полевика в открытом состоянии есть линейная величина и падение на нём линейно зависит от тока, в то время как в биполяре оно очень нелинейно и в гораздо меньшей степени увеличивается при увеличении тока через прибор. Несомненно, по быстродействию полевики существенно превосходят айжабят, но вы, как адепт мягких коммутаций, должны понимать, что при использовании ключиков в топологиях с мягкой коммутацией быстродействие не есть главный параметр. Именно по этой причине рекордный по кпд питальник выполнен именно на айжабятах и на вменяемой частоте. А ваши, извините, фантазии с мегагерцами упираются в параметры других ЭРЭ и являются "результатом" работы в области силовой электронике в режиме "4-6 часов". Изменено 27 декабря, 2016 пользователем герд 2 Китайская поговорка гласит: "Кху Ям!" Что в переводе: "Если твоя мудрость не решает твои проблемы, выкинь её". Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
UVV Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 Всем привет. Вопрос такой, токо-частотная характеристика для в даташите есть, а вот скажем на IRF460 такой диаграммы нету и как определить какая частота для IRF460 наиболее приемлемая скажет для 300 В 20 А в импульсном режиме с перезарядкой затвора +15 V -15 V @ARV скажем для однотактового сварочного инвертора MOSFET выбор очень скуден даже если этот инвертор розеточный. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
герд Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 И для полевиков и для айжабят всё определяется допустимой температурой кристалла. Посчитайте мощность в ключе и через тепловые характеристики ключа и теплостока определите получающуюся температуру и тот запас, который у вас имеется. И это не зависит от того: какой ток вы коммутируете, с какой частотой и каким типом ключа. Сложнее определить амплитуду температуры кристалла, которая может пришибнуть ключик с вполне приемлемым средним значением оной. Но и для подобных расчётов существуют графики в помогалках и калькуляторы, в том числе и онлайновые. Однако, если вы не допускаете импульсную мощность более 1кВт при включении-выключении, то заморачиваться с амплитудой температуры совсем не обязательно. Ведь не зря же производитель рисует вам некие цифирки в среднем квадратике показанной вами ссылки. Опять же, показанные кривые пригодны лишь для жёсткой коммутации. А вот для резонансного режима работы, во первых строках помогалки, указаны совсем другие допустимые частоты. Короче, рассматривать любые помогалки следует с включённой головой и под руководством здравого смысла. Тогда, даже не будучи специалистом в области применения п.п., вы реально сможете оценивать "способности" имеющихся у вас в "тумбочке" ЭРЭ. 0 Китайская поговорка гласит: "Кху Ям!" Что в переводе: "Если твоя мудрость не решает твои проблемы, выкинь её". Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
IRFP460 Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 6 часов назад, герд сказал: А ваши, извините, фантазии с мегагерцами упираются в параметры других ЭРЭ и являются "результатом" работы в области силовой электронике в режиме "4-6 часов". Низкие частоты мне не интересы. Возможно на частотах ниже 100 кГц из IGBT можно выжать что-то превосходящее по сравнению с mofset , возможно ошибаюсь, я сильно глубоко не копал, и токовые хвосты не ловил, ограничивался datasheet и appnote, мне для моих задач достаточно. Но зачем, к примеру , использовать 60 кГц если можно 600 кГц - это меньше трансформатор, меньше активное сопротивление обмоток, меньше паразитные связи, меньше емкости конденсаторов. потери в феррите не сильно возрастают. До 1мГЦ я пока не дошел, не нашел вменяемого LLC контроллера. вот на 450кГц в режиме полумоста 800 Вт получал, и никакой фантастики в 1мгц не вижу. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
герд Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 (изменено) 7 минут назад, IRFP460 сказал: До 1мГЦ я пока не дошел Уверен, что скоро "дойдёте", но не уверен, что "дойдёт" до вас. Тем не менее, удачи вам в ваших прогрессивных деяниях. Изменено 27 декабря, 2016 пользователем герд 0 Китайская поговорка гласит: "Кху Ям!" Что в переводе: "Если твоя мудрость не решает твои проблемы, выкинь её". Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
IRFP460 Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 Спасибо. В свое время, пытался я поставить в LLC IGBT STGF14NC60KD такой транзистор , соблазнила цена , на холостом ходу и полной нагрузке КПД LLC c ним был ниже, по сравнению mofset 11n60c3 , больше я с igbt особо не связывался. частоты там были около 150кГЦ 21 минуту назад, герд сказал: но не уверен, что "дойдёт" до вас. так подтолкните, буду тока благодарен 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Falanger Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 Когда товарищЧи из ГРЧЦ подойдут , тогда очень даже "дойдёт". И так уже "гайки поджали" ... , но это совсем другая история. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
IRFP460 Опубликовано 27 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 27 декабря, 2016 у инфинеона нашел LLC контроллер с максимальной частотой 1Мгц. 14 минуты назад, Falanger сказал: ГРЧЦ Приборы для испытаний на ЭМС никто не отменял. Если получиться , подойти к 1МГЦ напишу. у бывшей ir демоплаты есть в продаже с рабочей частотой полумоста до 800кГц и дедтаймами до 100 нc. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Starichok Опубликовано 28 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 28 декабря, 2016 8 часов назад, IRFP460 сказал: До 1мГЦ я пока не дошел до 1 миллиГерца? - точно не дойдешь... 0 Мудрость приходит вместе с импотенцией... Когда на русском форуме переходят на Вы, в реальной жизни начинают бить морду. Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Manowar Опубликовано 28 декабря, 2016 Поделиться Опубликовано 28 декабря, 2016 В 27.12.2016 в 22:17, IRFP460 сказал: Но зачем, к примеру , использовать 60 кГц если можно 600 кГц - это меньше трансформатор, меньше активное сопротивление обмоток, меньше паразитные связи, меньше емкости конденсаторов. потери в феррите не сильно возрастают. нецелесообразно это. трансформатор и выходные емкости уменьшатся. но потери вырастут несуразно. и на феррите и на ключах(включая потери управления), диодах, проводниках и на паразитных емкостях, упадёт кпд, возрастёт стоимость. возрастут требования к разводке, фильтрам. некоторые детали и требования безопасности не позволят заключить условный "200вт питальник" в спичечный коробок. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Присоединяйтесь к обсуждению
Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.