Подключение внешней NAND Flash памяти на 256МБ

[i.vozvahov]

Доброе утро, форумчане!

Еще по прошлому своему вопросу я скорее всего поразил вас своей безграмотностью, но я попытаю счастье и задам еще один вопрос.

Мне необходимо, как я уже написал в заголовке, подключить к МК память на 256МБ, то есть это на 2Gb. Но суть вопроса даже в другом, я смотрел даташиты на всевозможные модели и видел только памяти с вшнешней шиной в 8 и 16 бит. Затем стал читать общую спецификацию и там тоже видел информацию только на эти два типа. Но каких-то конкретных фраз, что nand flash памяти с большими разрядностями не выпускают, я не видел. Бывают ли памяти с большими разрядностями nand flash?
И небольшой вопрос именно по структуре работы. Если у нас 2Gb, то есть надо покрыть адреса в 31бит, то есть для задания адреса как раз и надо минимум 4-5циклов. На работе по циклам и основывается работа nand flash памяти, все же верно?

Если есть возможность, был бы очень благодарен на какую-нить ссылку или книгу, кот-ая совсем развеяла бы все мои вопросы. Честно пробовал искать, но тяжело фильтровать информацию самостоятельно.

Еще раз прошу прощения за свои базовые вопросы.

Спасибо.

Изменено 29 апреля, 2017 пользователем i.vozvahov

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[Vascom]

Зайди на сайты производителей флеш-памяти и посмотри какие есть варианты (например у Toshiba).

Вообще сейчас отказались от многоразрядных интерфейсов из-за их низкой скорости. Легче гонять несколько бит на гигагерцах, чем десятки бит на сотнях мегагерц из-за взаимных наводок.

Впрочем, нужную разрядность можно добрать, используя несколько микросхем параллельно.

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[Alexeyslav]

Когда нужно больше разрядность чипы параллелят. Первые DRAM-чипы например были вообще 1-битные поэтому в системе требовалось от 8 чипов. Потом на 286-х и 386-х системах пошли уже 4-битные DRAM, в то время как шина памяти уже была 32-битной. т.е. опять же минимум 8 чипов на планке памяти.

А многие чипы флеш-памяти параллельно поддерживают ещё и SPI-интерфейс, по сути 1-битный. Он как раз используется в случаях когда не нужна высокая производительность - например интерфейс подключения к программатору, для первичной прошивки прямо в устройстве, а основным интерфейсом микросхема торчит в DMA-контроллер. Вот сейчас посмотрел в роутер, там ФЛЕШ-память используется с подключением ТОЛЬКО ПО SPI, потому что с DRAM ей тягаться всёравно не получится, а прошивку загрузить один раз в начале в RAM можно и медленно.

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Treaster]

На сколько я знаю, принцип работы с NAND практически у всех производителей идентичен. Даже есть специальные библиотеки под AVR(название не вспомню), которые работают с большинством микросхем.

Поочередно по 8 битной шине отправляется команда: 3 байта с адресом страницы, и 2 байта с адресом  строки откуда начинать чтение/запись.