Jump to content
Aleksandr1111

Измерение параметров полевых транзисторов (MOSFET)

Recommended Posts

Не нашел аналогичную тему.

В данной теме предлагаю обсуждение измерений различных параметров полевых транзисторов, имеющих практическое значение.

Пример: купил на Али IR3205 в корпусе to-220ab, у которых сопротивление открытого канала Rds on должно быть 8 мОм. При измерении с током стока 0,4 А  получается 28 мОм, никак не меньше. Скажете, при больших токах, как в даташите, оно будет 8? Такого ничего не говорится, наоборот, у высоковольтных полевых сопротивление канала возрастает с увеличением Id. Может, придется смириться с этим за их дешевизну ( 93р/10шт)?

Edited by Aleksandr1111

Share this post


Link to post
Share on other sites

@Aleksandr1111 ,замеры твои ни о чем не могут тебе говорить,читай ,а не понимаешь значений в таблице и графиков,гугл приводит примеры,как искать и оценивать нужные параметры в ПДФ:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3205.pdf

Edited by kotosob

Share this post


Link to post
Share on other sites

Изготовление 2-х слойных плат от 2$, а 4-х слойных от 5$!

Быстрое изготовление прототипа платы всего за 24 часа! Прямая доставка с нашей фабрики!

Смотрите видео о фабрике JLCPCB: https://youtu.be/_XCznQFV-Mw

Посетите первую электронную выставку JLCPCB https://jlcpcb.com/E-exhibition чтобы получить купоны и выиграть iPhone 12, 3D-принтер и так далее...

@Aleksandr1111 Что значит смириться? Тебе подсунули транзистор в 10 раз хуже и дешевле, который обязательно сгорит, и тебя это устраивает?:)

3205 при 5А сильно не греется даже без радиатора, 10А с маленьким радиатором. А твой, скорее всего, взорвётся, или очень сильно будет греться и деградировать, до взрыва или тихого пробоя:bomb:

Edited by motoandrey14

Share this post


Link to post
Share on other sites

В поисках идеального силового ключа

Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку MOSFET и IGBT с широкой запрещенной зоной (SiC и GaN), продолжая при этом работать над их усовершенствованием.

Подробнее

сколько заплатил, столько и получил. Китаец в описании лота соврал? Нет, он написал то что увидел на корпусе. Соответствует? Да. Какие проблемы?

Хочешь оригинал, иди к диллеру.


Нужно делать то, что нужно. А то, что не нужно, делать не нужно. (С) Винни Пух

Share this post


Link to post
Share on other sites

Запускаем новый BLE 5.2-чип BlueNRG-LP от STMicroelectronics

Любая разработка начинается с чтения документации и изучения доступных средств разработки. Данный материал целиком посвящен средствам разработки, включая детальные инструкции по запуску вашего первого приложения на BlueNRG-LP. Описана работа с отладкой STEVAL-IDB011V1, набором инструментов и пакетом ПО позволяющим разработчику быстро войти в курс дела.

Подробнее

Материалы вебинара Практическое использование TrustZone в STM32L5

Материалы вебинара, посвященного экосистеме безопасности и возможностях, которые дает новая технология TrustZone в МК STM32L5, содержат две подробные практические работы: создание простого приложения с изоляцией в TrustZone, и пример отладки и тестирования TFM-SBSFU. Программа рассчитана на технических специалистов и тех, кто уже знаком с основами защиты ПО в STM32.

Подробнее

20.jpg

Edited by Dr. West

"Я не знаю какой там коэффициент, я просто паять умею. "

Share this post


Link to post
Share on other sites
8 часов назад, kotosob сказал:

оценивать нужные параметры в ПДФ:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3205.pdf

Ну и что? У меня есть этот даташит. Почему это Вы решили, что я не понимаю таблиц и графиков? Все я там понимаю. Факт то, что там нет графика зависимости сопротивления открытого канала от тока стока. Или, может, Вы мне такой покажете? И почему это мои замеры мне ни о чем не говорят? Вы хотите сказать, что при duty cycle 2 % , как указано в даташите, температура кристалла будет 25 С, и тогда получим 8 мОм? 

Edited by Aleksandr1111

Share this post


Link to post
Share on other sites

Измерял разные полевики при токах 0,1-2А, зависимости Rds от тока не заметил. 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

@Aleksandr1111 ,я хотел сказать,что надо учиться читать даташиты ,а заодно и зависимость параметров  от напряжения на затворе,тока стока и при этом  сравнивать с таблицей,где указаны режимы,при каких сопротивление перехода будет минимальным.Транзистор  скорей нормальный,чем надумано- проблемный .Проверять в статике минимальных режимов и стремиться увидеть ключевые достижимые ,руководствуясь чем угодно,только не чернобелым текстом даташита,смешно..)).:yes:

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 час назад, kotosob сказал:

параметров  от напряжения на затворе

Мерял при Vgs 10-12 V.

При моих 0,4 А рассеиваемая мощность 0,4*10 mV( падение на канале)=4 мВт, умножаемаем на тепловое сопротивление кристалл-среда 62 С/W, получаем перегрев кристалла 0,25 С, т.е. при таком токе сопротивление канала не должно быть существенно больше указанного в даташите.(если б температура кристалла была близка к макисмальным 175 С, тогда б еще можно было понять)

Не думаю, что многие меряют при импульсном токе 62 А, скорее, при более скромных (тут, наверно, авто аккум. в помощь :)).Поэтому хотелось хотя бы узнать, у кого какие значения получались в статике при обычных токах.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Проверял при токе 1А транзисторы с распая IRF630, IRF540, STP5N60, STP4N60  Rds сходилось с даташитом, у купленных с Али FQPF20N60 Rds измерил 1,4 Ома, по даташиту 0,37

Share this post


Link to post
Share on other sites

При измерении столь малых сопротивлений, можно легко напортачить. Источник тока 0,4А и провода к милливольтметру должны подключаться по-отдельности к электродам транзистора, чтобы проходящий ток не вызывал падения напряжения на измерительных проводниках. У меня все купленные когда-то на рынке IR3205 (иногда тоже попадается ХЗ что) показывали Rdson 6-6,5 мОм при стабилизированном токе стока Id=1,0А и Vgs=9,5 В. При измерениях они, естественно не грелись совсем. Для контроля, проверял тем же методом шунт мультиметра - 10мОм, все ОК.

Edited by Vslz

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 час назад, Vslz сказал:

провода к милливольтметру должны подключаться по-отдельности к электродам транзистора

Да, я это учёл.

@kotosob , померил у IRF630 с логотипом ST (с монитора), при том же токе получилось 370 мОм - сходится с даташитным. Так что, видимо, такие уж они есть у этого продавца. У IRFZ44N, купленных около года назад (по 43р/5 шт) у другого продавца, вместо 22 мОм получалось около 29 - т.е. разница не в разы, как с этими 3205

Edited by Aleksandr1111

Share this post


Link to post
Share on other sites

@Aleksandr1111 ,попробуй мерять точно так,как здесь описано,сверяясь в точности измерений,как Vslz пример привел:
http://allgosts.ru/31/080/gost_20398.13-80.pdf
..где-то даже уверен,что *измерения * проводились по-касьяновски..))..:
 https://www.youtube.com/watch?v=EhJwkAmCNls

Кто-то не заморачиваясь на вычисления нагружает током,близким к максимуму,проверяя нагрев..)....и на последок--просто вскрой транзистор и сравни кристалл с  образцовым,а то нэт полон таких страстей в погоне за дешевкой.. :)

 

Edited by kotosob

Share this post


Link to post
Share on other sites
12 часа назад, Aleksandr1111 сказал:

У IRFZ44N...вместо 22 мОм получалось около 29

В даташите обычно есть три колонки: минимум, типовое и максимум. Иногда производитель ограничивается заполнением максимума, а остальные не указывает. В даташитах на некоторые мосфеты есть и типовая величина Rdson. Сколько типов ключей перепроверил, в основном из распая - у всех Rdson оказывалось ниже даташитного максимума. Они соответствовали именно типовому Rdson. То есть, у меня для IRFZ44N получено 15-16 мОм, можете посмотреть - это соответствует "типовому значению" из даташита. Ваши 28 мОм наводят на подозрение.

Что было у Вас в качестве источника тока и нагрузки при измерениях? Может, ток плывет, или большие пульсации.

Возможно, ситуацию прояснит фотография вашей измерительной "установки". 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Примерно так: (фото)

Источник напряжения 12 V стабилизированного (пульсации малы), на затвор через резистор 1к - тоже 12 V, нагрузка около 27 Ом. К выводам припаяны отрезки провода, падение измеряю на концах выводов. Ну я, в принципе, для себя этот вопрос уже прояснил, буду иметь ввиду, что на Али транзисторы хуже, чем настоящие, которые стОят не 9-10р, а до 40-50/шт в разных интернет-магазинах.

IMG_20180301_130617.jpg

Edited by Aleksandr1111

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 часа назад, Aleksandr1111 сказал:

падение измеряю на концах выводов.

Измерять надо на самих ножках транзистора, и не в местах пайки. Ну а ток как измерили?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Амперметром Ц4317 по потреблению от БП; сопротивление шунта амперметра намного меньше 27 Ом, поэтому погрешности он не вносит.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Берете LM317 (1084, 1085), включаете ее по стандартной даташитовской схеме - стабилизатором тока на 1А. Всего две детали и высокоточный ГСТ готов. Убеждаетесь, что он дает точно 1А.

После этого уже можно допускать, что ток стока не изменится.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

@Aleksandr1111, контактные сопротивления в такой плате, как на вашей фотографии, могут составлять величины, на порядки бОльшие, чем то, что вы пытаетесь измерить. Вы представляете, что такое 8 мОм? Так что для начала весь ваш "стенд" переведите на пайку.

Так же есть момент номер два. Встречал в интернете видео, где ребята показывали транзисторы с нарощенными ногами. Т.е. фирменные б/у транзисторы сначала вырубались (а не выпаивались) из платы, а потом к обрубленным почти под корень выводам приваривались новые. Причём для наращивания была использована не медь, а какой-то более высокоомный сплав. Для транзисторов не с экстремально малыми Rdson влияние повышенного сопротивления выводов незаметно, а для таких, как в вашем случае - уже очень заметно. Проверить транзистор на наличие такого "финта" можно, подпаявшись практически вплотную к корпусу и проведя измерения при таком подключении.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Ко всему вышесказанному добавлю, что Rds-on при заданном Ugs можно также проверить (конечно же, по 4-х проводной схеме) миллиомметром (не так давно приводил пример в курилке) или микроомметром, конечно, если у вас есть такой измеритель. Из практики: измерение миллиомметром при малом токе (порядка 100...200 мА)  дает довольно достоверный результат, сравнимый с измерением методом амперметра-вольтметра на бОльших токах...

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.
Note: Your post will require moderator approval before it will be visible.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Restore formatting

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Loading...

  • Сообщения

    • Угу!!!Гугль такой же адекватный как и ты,что не знает "через тернии к звёздам"!!!Убогий ты,Дима!!!Как и гугыль твой!!!Не позорься!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
    • А для чего вы электролиты утянули за триста метров от выходников ? И какой толк от них в таком виде ? 
    • alend написал: Вы что там "трансформатор Тесла" собираете? и будите метать молнии как Зевс??? Нет, я не собираю трансформатор Тесла. Он повышает напряжение не коэффициентом трансформации, классическим отношением витков, а повышается напряжение в нём резонансом напряжений, на цепочке вторичка + ёмкость земли. И раскачивается он очень большим током. Чем больше тока дашь на него, тем больше раскачку напряжения получишь, то есть больше на выходе напряжение. Такая закачка требует киловатты энергии. Ладно этот трансформатор Тесла выше потолка, но он ещё требует для закачки своей целую большую тумбочку с десятком тяжёлых трансформаторов на 20 000 Вольт, дающих очень мощную искру на первичку его, с огромным током. Тем более мне искры не нужны. Их образование требует тока, а это размеры трансформатора.  Мне просто надо тупо накачать пластину высоким потенциалом, покрытой хорошей изоляцией для безопасности, и что бы не было тока утечки в воздух, что может потребовать тока (размеров трансформатора), или вообще может погасить накапливаемое напряжение на этой пластине.
    • Хочу в светлый тон (угол темный). Акриловая эмаль не годится (очень плохо ложится на поверхность - разводы) . Попробую яхтенную краску, спасибо, что напомнили.
    • @Serjmaster  Даже google не знает туранчёкс https://www.google.com/search?newwindow=1&sxsrf=ALeKk0334emDp15SZcgALC7xEvz0uR58MQ%3A1614258486337&ei=NqE3YOGPFMv2sAeRhrbADg&q=туранчёкс&oq=туранчёкс&gs_lcp=Cgdnd3Mtd2l6EAxQAFgAYOOKAmgAcAF4AIABpQGIAaUBkgEDMC4xmAEAqgEHZ3dzLXdpesABAQ&sclient=gws-wiz&ved=0ahUKEwjhgp29jYXvAhVLO-wKHRGDDegQ4dUDCA0 предлогает исправить на туранчокс.
    • @tifaso  Всё равно чего-то не хватает. Для чего Rel1 нужно? Как процессор узнает, что напряжение в розетке ~230V появилось и пора включать Rel1 и Rel2? Потом напряжение в розетке пропадёт, процессор об этом не узнает и умрёт, не успев переключить реле обратно на батарею.    
    • Скорее всего нет, так как транзисторы редко выгорают сами по себе, да ещё так, чтобы при этом ничего больше не пострадало. Если в аппарате сгоревший транзистор, то очень большая вероятность, что есть ещё что-то сгоревшее.
  • Similar Content

    • Guest Gerald
      By Guest Gerald
      В контроллере электросамоката сгорел силовой Mosfet. Подскажите как его правильно перепаять? Нужно ли закорачивать выводы проволокой, чтобы не убить статикой? Или к силовым это не относится?
    • By петя петенька
      продам транзисторы оригинал
      irf3710,P40NF10-20грн.за 1 штуку,есть количество!
      находятся в Украине.


    • By быстрый_15
      Доброгодня. Хочу задать вопросик, буду рад изчепывающему ответу. Столкнулся с вопросом когда, понадобилось делать преобразователь на основе дросселя. Все чаще мода пошла новые типы транзисторов выпускать с защитным диодом от обратки, но не будет ли такой диод паразитным элементом встроенным в транзистор.Мне нужно максимум КПД вывести с дросселя, я бы предпочел мощные полевые транзисторы у них хрошие параметры и дешевизна. а вот внутренний диод смущает. И все же на просторах интерната нахожу не мало схем на IRF полевиках. По моим понятиям такая схема не должна работать и вся энергия запасенная в дросселе замыкается на корпус, а мне нужно максимум вывести для преобразователя с максимальным КПД.

    • Guest AdmiralBlack
      By Guest AdmiralBlack
      Уважаемые господа, строго не пинайте. Есть вот такая схема электронного реле поворотников. (схема не моя)
      В нашем городке в хорошее то время что-то найти сложно было, а сейчас из-за этого вируса и введенного ЧС совсем все закрыто. Собственно вопрос чем можно заменить Mosfet. Из имеющихся в наличии только IRFZ44N, IRLZ44N, WFP50N06 по Datasheet посмотрел вроде подходят.
      С уважением, Александр.

    • By РомуальдVII
      Всем доброго времени суток!
      Я спроектировал (так сказать) драйвер для управления коллекторным двигателем постоянного тока (резистор на 3 Ома, подключённый к реле, изображение приложено). С его помощью, используя два выхода arduino, можно (теоретически) управлять скоростью вращения двигателя (через ШИМ, pin2) и реверсировать его направление вращения с помощью двухканального реле (pin1). Однако, схема эта работает неправильно с точки зрения управления переключением реле - вместо 28 миллиампер (12 В/420 Ом) на катушку идёт лишь 6; я понимаю почему (от главного канала питания ток идёт и через ограничивающий резистор транзистора и на катушку реле), но не понимаю, как перестроить схему так, чтобы и управление транзистором (верхний биполярный) сохранить и релешкой правильно управлять (уже второй день пытаюсь правильно пересобрать схему в эмуляторе).
      Прошу вашей помощи, уважаемые знатоки
      P.S. Очень желательно, чтобы решением являлась именно перекомпоновка показанной мной схемы, без добавления других компонентов, но если это невозможно, то будем-с дозакупаться.
      P.P.S. А может ли быть причиной неработоспособности схемы в эмуляторе (это falstad, кстати) неправильная/некорректная расстановка источников напряжения, или такое представление легально?

×
×
  • Create New...