Измерение параметров полевых транзисторов (MOSFET)

[Aleksandr1111]

Не нашел аналогичную тему.

В данной теме предлагаю обсуждение измерений различных параметров полевых транзисторов, имеющих практическое значение.

Пример: купил на Али IR3205 в корпусе to-220ab, у которых сопротивление открытого канала Rds on должно быть 8 мОм. При измерении с током стока 0,4 А  получается 28 мОм, никак не меньше. Скажете, при больших токах, как в даташите, оно будет 8? Такого ничего не говорится, наоборот, у высоковольтных полевых сопротивление канала возрастает с увеличением Id. Может, придется смириться с этим за их дешевизну ( 93р/10шт)?

Изменено 27 февраля, 2018 пользователем Aleksandr1111

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[kotosob]

@Aleksandr1111 ,замеры твои ни о чем не могут тебе говорить,читай ,а не понимаешь значений в таблице и графиков,гугл приводит примеры,как искать и оценивать нужные параметры в ПДФ:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3205.pdf

Изменено 27 февраля, 2018 пользователем kotosob

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[motoandrey14]

@Aleksandr1111 Что значит смириться? Тебе подсунули транзистор в 10 раз хуже и дешевле, который обязательно сгорит, и тебя это устраивает?

3205 при 5А сильно не греется даже без радиатора, 10А с маленьким радиатором. А твой, скорее всего, взорвётся, или очень сильно будет греться и деградировать, до взрыва или тихого пробоя

Изменено 28 февраля, 2018 пользователем motoandrey14

[Реклама]

Организация питания на основе надежных литиевых аккумуляторов EVE и микросхем азиатского производства

Качественное и безопасное устройство, работающее от аккумулятора, должно учитывать его физические и химические свойства, профили заряда и разряда, их изменение во времени и под влиянием различных условий, таких как температура и ток нагрузки. Мы расскажем о литий-ионных аккумуляторных батареях EVE и нескольких решениях от различных китайских компаний, рекомендуемых для разработок приложений с использованием этих АКБ. Представленные в статье китайские аналоги помогут заменить продукцию западных брендов с оптимизацией цены без потери качества. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[mail_robot]

сколько заплатил, столько и получил. Китаец в описании лота соврал? Нет, он написал то что увидел на корпусе. Соответствует? Да. Какие проблемы?

Хочешь оригинал, иди к диллеру.

[Реклама]

Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Инженеры КОМПЭЛ провели сравнительное тестирование аккумуляторов EVE и Samsung популярного для бытовых и индустриальных применений типоразмера 18650. 

Для теста были выбраны аккумуляторы литий-никельмарганцевой системы: по два образца одного наименования каждого производителя – и протестированы на двух значениях тока разряда: 0,5 А и 2,5 А. Испытания проводились в нормальных условиях на электронной нагрузке EBD-USB от ZKEtech, а зарядка осуществлялась от лабораторного источника питания в режиме CC+CV в соответствии с рекомендациями в даташите на определенную модель. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[motoandrey14]

Кто есть диЛЛер?

[Реклама]

Литиевые аккумуляторы EVE Energy и решения для управления перезаряжаемыми источниками тока (материалы вебинара)

Опубликованы материалы вебинара Компэл, посвященного литиевым аккумуляторам EVE Energy и решениям для управления перезаряжаемыми источниками тока.

На вебинаре мы представили информацию не только по линейкам аккумуляторной продукции EVE, но и по решениям для управления ею, что поможет рассмотреть эти ХИТ в качестве дополнительной альтернативы для уже выпускающихся изделий. Также рассмотрели нюансы работы с производителем и сервисы, предоставляемые Компэл по данной продукции. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Dr. West]

Изменено 28 февраля, 2018 пользователем Dr. West

[Реклама]

Литиевые батарейки и аккумуляторы от мирового лидера  EVE в Компэл

Компания Компэл, официальный дистрибьютор EVE Energy, бренда №1 по производству химических источников тока (ХИТ) в мире, предлагает продукцию EVE как со склада, так и под заказ. Компания EVE широко известна в странах Европы, Америки и Юго-Восточной Азии уже более 20 лет. Недавно EVE была объявлена поставщиком новых аккумуляторных элементов круглого формата для электрических моделей «нового класса» компании BMW.

Продукция EVE предназначена для самого широкого спектра применений – от бытового до промышленного. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Aleksandr1111]

8 часов назад, kotosob сказал:

оценивать нужные параметры в ПДФ:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3205.pdf

Ну и что? У меня есть этот даташит. Почему это Вы решили, что я не понимаю таблиц и графиков? Все я там понимаю. Факт то, что там нет графика зависимости сопротивления открытого канала от тока стока. Или, может, Вы мне такой покажете? И почему это мои замеры мне ни о чем не говорят? Вы хотите сказать, что при duty cycle 2 % , как указано в даташите, температура кристалла будет 25 С, и тогда получим 8 мОм? 

Изменено 28 февраля, 2018 пользователем Aleksandr1111

[boris_ka]

Измерял разные полевики при токах 0,1-2А, зависимости Rds от тока не заметил. 

 

[kotosob]

@Aleksandr1111 ,я хотел сказать,что надо учиться читать даташиты ,а заодно и зависимость параметров  от напряжения на затворе,тока стока и при этом  сравнивать с таблицей,где указаны режимы,при каких сопротивление перехода будет минимальным.Транзистор  скорей нормальный,чем надумано- проблемный .Проверять в статике минимальных режимов и стремиться увидеть ключевые достижимые ,руководствуясь чем угодно,только не чернобелым текстом даташита,смешно..)).

[Aleksandr1111]

1 час назад, kotosob сказал:

параметров  от напряжения на затворе

Мерял при Vgs 10-12 V.

При моих 0,4 А рассеиваемая мощность 0,4*10 mV( падение на канале)=4 мВт, умножаемаем на тепловое сопротивление кристалл-среда 62 С/W, получаем перегрев кристалла 0,25 С, т.е. при таком токе сопротивление канала не должно быть существенно больше указанного в даташите.(если б температура кристалла была близка к макисмальным 175 С, тогда б еще можно было понять)

Не думаю, что многие меряют при импульсном токе 62 А, скорее, при более скромных (тут, наверно, авто аккум. в помощь ).Поэтому хотелось хотя бы узнать, у кого какие значения получались в статике при обычных токах.

[ndiod]

Проверял при токе 1А транзисторы с распая IRF630, IRF540, STP5N60, STP4N60  Rds сходилось с даташитом, у купленных с Али FQPF20N60 Rds измерил 1,4 Ома, по даташиту 0,37

[Vslz]

При измерении столь малых сопротивлений, можно легко напортачить. Источник тока 0,4А и провода к милливольтметру должны подключаться по-отдельности к электродам транзистора, чтобы проходящий ток не вызывал падения напряжения на измерительных проводниках. У меня все купленные когда-то на рынке IR3205 (иногда тоже попадается ХЗ что) показывали Rdson 6-6,5 мОм при стабилизированном токе стока Id=1,0А и Vgs=9,5 В. При измерениях они, естественно не грелись совсем. Для контроля, проверял тем же методом шунт мультиметра - 10мОм, все ОК.

Изменено 28 февраля, 2018 пользователем Vslz

[Aleksandr1111]

1 час назад, Vslz сказал:

провода к милливольтметру должны подключаться по-отдельности к электродам транзистора

Да, я это учёл.

@kotosob , померил у IRF630 с логотипом ST (с монитора), при том же токе получилось 370 мОм - сходится с даташитным. Так что, видимо, такие уж они есть у этого продавца. У IRFZ44N, купленных около года назад (по 43р/5 шт) у другого продавца, вместо 22 мОм получалось около 29 - т.е. разница не в разы, как с этими 3205

Изменено 28 февраля, 2018 пользователем Aleksandr1111

[kotosob]

@Aleksandr1111 ,попробуй мерять точно так,как здесь описано,сверяясь в точности измерений,как Vslz пример привел:
http://allgosts.ru/31/080/gost_20398.13-80.pdf
..где-то даже уверен,что *измерения * проводились по-касьяновски..))..:
 https://www.youtube.com/watch?v=EhJwkAmCNls

Кто-то не заморачиваясь на вычисления нагружает током,близким к максимуму,проверяя нагрев..)....и на последок--просто вскрой транзистор и сравни кристалл с  образцовым,а то нэт полон таких страстей в погоне за дешевкой..

 

Изменено 28 февраля, 2018 пользователем kotosob

[Vslz]

12 часа назад, Aleksandr1111 сказал:

У IRFZ44N...вместо 22 мОм получалось около 29

В даташите обычно есть три колонки: минимум, типовое и максимум. Иногда производитель ограничивается заполнением максимума, а остальные не указывает. В даташитах на некоторые мосфеты есть и типовая величина Rdson. Сколько типов ключей перепроверил, в основном из распая - у всех Rdson оказывалось ниже даташитного максимума. Они соответствовали именно типовому Rdson. То есть, у меня для IRFZ44N получено 15-16 мОм, можете посмотреть - это соответствует "типовому значению" из даташита. Ваши 28 мОм наводят на подозрение.

Что было у Вас в качестве источника тока и нагрузки при измерениях? Может, ток плывет, или большие пульсации.

Возможно, ситуацию прояснит фотография вашей измерительной "установки". 

[Aleksandr1111]

Примерно так: (фото)

Источник напряжения 12 V стабилизированного (пульсации малы), на затвор через резистор 1к - тоже 12 V, нагрузка около 27 Ом. К выводам припаяны отрезки провода, падение измеряю на концах выводов. Ну я, в принципе, для себя этот вопрос уже прояснил, буду иметь ввиду, что на Али транзисторы хуже, чем настоящие, которые стОят не 9-10р, а до 40-50/шт в разных интернет-магазинах.

Изменено 1 марта, 2018 пользователем Aleksandr1111

[Vslz]

2 часа назад, Aleksandr1111 сказал:

падение измеряю на концах выводов.

Измерять надо на самих ножках транзистора, и не в местах пайки. Ну а ток как измерили?

[Aleksandr1111]

Амперметром Ц4317 по потреблению от БП; сопротивление шунта амперметра намного меньше 27 Ом, поэтому погрешности он не вносит.

[Vslz]

Берете LM317 (1084, 1085), включаете ее по стандартной даташитовской схеме - стабилизатором тока на 1А. Всего две детали и высокоточный ГСТ готов. Убеждаетесь, что он дает точно 1А.

После этого уже можно допускать, что ток стока не изменится.

 

[IlCF]

@Aleksandr1111, контактные сопротивления в такой плате, как на вашей фотографии, могут составлять величины, на порядки бОльшие, чем то, что вы пытаетесь измерить. Вы представляете, что такое 8 мОм? Так что для начала весь ваш "стенд" переведите на пайку.

Так же есть момент номер два. Встречал в интернете видео, где ребята показывали транзисторы с нарощенными ногами. Т.е. фирменные б/у транзисторы сначала вырубались (а не выпаивались) из платы, а потом к обрубленным почти под корень выводам приваривались новые. Причём для наращивания была использована не медь, а какой-то более высокоомный сплав. Для транзисторов не с экстремально малыми Rdson влияние повышенного сопротивления выводов незаметно, а для таких, как в вашем случае - уже очень заметно. Проверить транзистор на наличие такого "финта" можно, подпаявшись практически вплотную к корпусу и проведя измерения при таком подключении.

[СКУПОЙ]

Ко всему вышесказанному добавлю, что Rds-on при заданном Ugs можно также проверить (конечно же, по 4-х проводной схеме) миллиомметром (не так давно приводил пример в курилке) или микроомметром, конечно, если у вас есть такой измеритель. Из практики: измерение миллиомметром при малом токе (порядка 100...200 мА)  дает довольно достоверный результат, сравнимый с измерением методом амперметра-вольтметра на бОльших токах...