Ав - С Низкими Искажениями

[Olegyurich]

Угу. В принципе здесь тоже можно обойтись 2 jfet вместо 6, тем более что для поддержания нуля на выходе все равно придется интегратор использовать. Зато так можно общую ООС завести - 1 полюс примерно на 50 кГц и верхние гармоники, по крайней мере в полосе до 20 кгц при охвате ООС не растут(хотя и не уменьшаются), выше не смотрел.

КПД около 10%(при Кг=1%), при охвате ООС примерно Кг=0.12%, глубина ООС примерно 18 дБ. Разомкнутое усиление около 40 дБ, т.е. без охвата ООС чувствительность примерно 0.13 В(амплитуда).

Про АБ я немного поспешил - при малом токе покоя снижается крутизна выходных транзисторов и соответственно усиление, так что в этом случае надо будет все немного пересчитать. Но в принципе все равно возможно. Там КПД можно процентов до 20 поднять.

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[Ulis]

Выход придется в класс А загнать ,с током покоя хотя бы 300ма.

Боюсь не хватит для раскачки выхода такого УН.

Изменено 23 августа, 2007 пользователем Ulis

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[Olegyurich]

Так в класс А? Или нет?

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[Ulis]

Как сказать .Задача собственно построить приличный АБ с выходом на имеющихся в наличии латеральниках 2SK1058\2SJ162.

Поэтому буду искать еще.Есть еще один вариант УН в принципе.Однотактный но можно и двухтактный зазеркалив сделать.

[Olegyurich]

А каковы пределы по выходной и потребляемой мощности?

[Ulis]

Вот УН.

Есть трансик 250 вт. 4 обмотки по 25В Х 2А.Так что можно даже двойное моно (типа) сделать..

От него и отталкиваться буду.Ток покоя можно в принципе и повыше поставить,например как в том же MF А2 - 300ма.Тем более, что у этих полевиков с ростом тока крутизна прилично растет.

Изменено 23 августа, 2007 пользователем Ulis

[Olegyurich]

Дык это как ра то что надо для приведенной мною выше схемы, с учетом стабилизаторов до 15 Вт в АБ сможешь получить без проблем с небольшой ООС. А можно и чистый А попробовать, может быть мощи и хватит - но там поменьше -ватт 8 будет.

На твоей картике обычный несимметричный УН среднего качества, и в нем есть что подправить

[Ulis]

Дык это как ра то что надо для приведенной мною выше схемы, с учетом стабилизаторов до 15 Вт в АБ сможешь получить без проблем с небольшой ООС. А можно и чистый А попробовать, может быть мощи и хватит - но там поменьше -ватт 8 будет.

На твоей картике обычный несимметричный УН среднего качества, и в нем есть что подправить

При таком трансе можно и побольше выкачать,только УН придумать получше .Я думаю ватт 30-35.Тем более что выходников можно и две пары поставить.

На твоей картике обычный несимметричный УН среднего качества, и в нем есть что подправить

Всегда есть, что подправить. .Ты что бы подправил например?

[Olegyurich]

Ну например резисторы эмиттерные в ДК я бы поменьше сделал, ом по 100. ЭП после дк я бы на транзисторе другой проводимости сделал, а то так как тут Uкэ очень маленькое и он работает в весьма нелинейном режиме. ИТ для УН я бы тоже каскодным сделал, тем более, что для этого понадобится только 1 транзистор - все остальное уже есть.

Да и еще входной ДК я бы закаскодил.

[М.Васильев]

Смотрю, пригодилась моя ссылка. . только наверное лучше ун питать более высоким напряжением ,чем выходнойкаскад ..

[Ulis]

Смотрю, пригодилась моя ссылка. . только наверное лучше ун питать более высоким напряжением ,чем выходнойкаскад ..

Максим, двумя постами выше есть описание транса БП.Другого не будет .Поэтому питание - константа.

Ну например резисторы эмиттерные в ДК я бы поменьше сделал, ом по 100. ЭП после дк я бы на транзисторе другой проводимости сделал, а то так как тут Uкэ очень маленькое и он работает в весьма нелинейном режиме. ИТ для УН я бы тоже каскодным сделал, тем более, что для этого понадобится только 1 транзистор - все остальное уже есть.

Да и еще входной ДК я бы закаскодил.

Короче дифкаскад опять превратился в первоначальный вариант .Как в первых постах.

[Olegyurich]

Не сказал бы...

[М.Васильев]

типа таких какодов?

[Olegyurich]

Почти, ну VT2 и VT5 не нужны, вместе с своей обвязкой.

[Ulis]

Почти, ну VT2 и VT5 не нужны, вместе с своей обвязкой.

Заменить их на ИТ на одном биполяре с опорой на светики.У полевика в качестве ИТ есть ограничения по питанию,хотя с каскодом наверху потянет наверное.

[М.Васильев]

дошло. если вторй тр-р другой проводимости ,то на один переход по питанию меньше будет и не будет лишней потери напруги. молодец. хитро придумано.

[Ulis]

дошло. если вторй тр-р другой проводимости ,то на один переход по питанию меньше будет и не будет лишней потери напруги. молодец. хитро придумано.

Да это ж не я придумал .Классический вариант.

[Ulis]

Порылся в закромах.

Нашел штук по 10 jfet-s 2SK246GR/2SJ103GR.

Можно попробовать и "комплементарный" дифкаскад на полевичках

[Olegyurich]

У этих крутизна маленькая. С ними будет сложнее.

У меня кстати есть новая идея - если убрать ДК и оставить по 1 полевику в плече, их истоки пустить на землю через общий резистор, и в эту же точку завести сигнал ООС, получится простейший усилитель с токовой ООС. А если учесть, что ООС снижает выходное сопротивление, то можно выходной резистор увеличить в несколько раз и довести КПД даже в классе А до 30-40 %.

[Ulis]

У этих крутизна маленькая. С ними будет сложнее.

У меня кстати есть новая идея - если убрать ДК и оставить по 1 полевику в плече, их истоки пустить на землю через общий резистор, и в эту же точку завести сигнал ООС, получится простейший усилитель с токовой ООС. А если учесть, что ООС снижает выходное сопротивление, то можно выходной резистор увеличить в несколько раз и довести КПД даже в классе А до 30-40 %.

Других нету.

Видел я где то такой вариант.Там еще были каскоды на биполярах.Класс А, помню точно.

Надо посмотреть и симульнуть.

[Olegyurich]

Да может и на этих получится. В тот раз у меня с ИТ были проблемы - ток слишком маленький получался - но я только автосмещение использовал, фиксированное не пробовал.

[Ulis]

Вот, нашел.

Фигня ,мне кажется.Но глянуть можно.

Одним входным каскадом все равно не раскачать будет выходники.

[Olegyurich]

А мы попробуем

Тут два фактора - во первых у нас два каскада усиливают по напряжению. Во вторых у нас выходное сопротивление первого каскада во много раз меньше чем на приведенной схеме(вот там бы как раз эмиттерные повторители не помешали бы перед полевиками). Ну и у нас есть еще два резерва - увеличение нагрузочных резисторов в первом каскаде и выбор полевиков с большей крутизной(кстати во входном каскаде их тоже можно запараллелить)

[Ulis]

А мы попробуем

(кстати во входном каскаде их тоже можно запараллелить)

Какие JFETs, из доступных, рекомендуешь во входной каскад.

Что бы крутизна была повыше.

И еще, я так понимаю ток входного каскада, тоже лучше повыше сделать.

С парой, которая в посте выше проблемы с приобретением.

Вообще я смотрю ты полевиками увлекся

Изменено 24 августа, 2007 пользователем Ulis

[Ulis]

Поиски доступных полевиков с нормальной крутизной зашли в тупик .

То что хочется ,фиг купишь.