Перейти к содержанию

Самодельная нагрузка на полевых транзисторах


Semi-con

Рекомендуемые сообщения

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

6 часов назад, Semi-con сказал:

Это можно считать подделкой?

Это подделка. По фото похоже максимальный ток около 0.5...1 ампера. Ну ты сам не видишь, что кристалл в ДЕСЯТЬ раз меньше оригинального? А ёмкость затвора и сопротивление канала почему не измерил сразу? Такой кристалл сразу покажет в два...десять раз хуже параметры. 

Что бы ты понимал, оригинальный транзистор обычно ВЗРЫВАЕТСЯ от перегрузки, с огнём:

vizualnyj-osmotr-pozvolyaet-obnaruzhit-sgorevshie-radioelementy.jpg

А осколочное действие может причинить вред здоровью:vava:. А если такой мощный транзистор делает только лёгкое "тс" и корпус только легко трескается, явно это не мощный транзистор:)

Изменено пользователем motoandrey14
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

22.09.2019 в 16:43, Semi-con сказал:

@BAFI

22.09.2019 в 13:54, BAFI сказал:

с управлением на ОУ

Не совсем ясноно назначение ОУ в схеме. Можете пояснить?

Делает напряжение на шунте ( на инвертирующем входе) равным напряжению на неинвертирующем входе. Такая себе ООС. И ещё рекомендую узнать, что такое ОБР транзистора. Графики в даташитах иногда приводят. Короче. Гугль в помощь. Ибо тут поле не пахано - не сеяно. 

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Гость
Unfortunately, your content contains terms that we do not allow. Please edit your content to remove the highlighted words below.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Восстановить форматирование

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

Загрузка...
  • Последние посетители   0 пользователей онлайн

    • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу
×
×
  • Создать...