Преобразователь напряжения

[Starichok]

напоминаю, модель в "свечке", LTspiceIV.

Push+-30.rar

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[zato4nik]

Нашел различия модели и схемы Splan , в схеме ошибки - транзистор в защите не тот , общий контроллера не соединен. По модели - кажется пуш-трансформатор надо не так рисовать , получается нелинейный дроссель только к одной половине первички подключен , попробовал добавить вынесенную 5 обмотку с нелинейным дросселем вроде стало нормально - ток нам симметричен.

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[monolog]

zato4nik, действительно, выбросы только с одного плеча идут. Ты про L1? A как её добавить то на верхнее? просто скопировать? и что же получится - два сердечника?

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[zato4nik]

Вынес нелинейный дроссель L1 .

[monolog]

теперь другое дело интересно чем обусловлено 20nH в Ls первичек? разве это возможно вообще? так мало...

сколько бы поставить чтобы быть ближе к реальности? (200nH? )

[Starichok]

заточник, в симуляторе я не нашел С945. и это никакого принципиального значения не имеет, там пойдет любой npn транзистор.

в симуляторах я еще слаб. поэтому не нашел решения с выносом имитатора сердечника. а так у меня симуль загоняет сердечник в одностороннее намагничивание.

спасибо за подсказку, изменю модель, как ты сделал.

20 нан - вполне реальное значение на правильно намотанном кольце.

можешь добавить до 50, но не более, и посмотреть, как выбросы станут бить по стокам... ключи превратятся в сапрессоры...

внес изменения в модель. симметричность тока намагничивания стала изумительной!...

[monolog]

Старичок, для того чтобы изменить сердечник на другой типоразмер, нужно только Ae и Le (взяв из даташита на кольцо) и кол-во витков изменить, при условии что материал тотже (N87) или нужно еще Hc Bs Br пересчитывать?

[Starichok]

вообще, некоторые отличия в модели и в схеме - для моделирования не принципиальны.

да, изменить там, где директива .param Ae=116u Le=83m N=5 N2=13 R=1.5k R1=14,

N - число витков первички. N2 - число витков вторички.

R - минимальная нагрузка на выходах. R1 - собственно нагрузка на оба выхода вместе, и записана она, как сопротивление выключателя во включенном состоянии.

источник V3 включается с задержкой для имитации подачи ремоута.

выключатель нагрузки включается тоже с задержкой, чтобы сначала увидеть работу на хх.

параметры у меня вписаны для N97. но для моделирования это не принципиально - запас до насыщения большой.

но лучше, конешно, записать "родные" параметры.

в общем-то, я тут даже перестраховался по виткам. имено с этим кольцом должна быть нормальная работа при 4+4 в первичке и 11+11 - во вторичке.

расчет в моей программе RingFerriteExtraSoft дает почти одинаковые разультаты по мощность потерь и, соответственно, по ожидаемому нагреву трансформатора.

[monolog]

Хммм... это моделька 3525 такая кривая или...?

резистор дедтайма - 200ом, конденсатор 1нан даёт дедтайм всего 600ns между импульсами на выходах микросхемы, а по графику даташита показывает 1,2us

Изменено 11 августа, 2014 пользователем monolog

[Starichok]

да, я тоже удивился этому.

похоже, есть кривизна.

пробовал ставить и 300 Ом и 500 Ом, чтобы внутреннее ограничение разрядного тока меньше сказывалось. даже время разряда емкости на 4 ноге не соответствует расчету по постоянной времени - значительно меньше. как будто, разрядный ток бежит еще куда-то, кроме 7 ноги...

а ведь, учитывая, что разрядный ток ограничен разрядным транзистором, время разряда должно быть больше, чем расчет по постоянной времени разрядной цепи...

[Starichok]

там даже больше есть глюки модели. питание на микру у меня поступает не сразу, а пила на конденсаторе появляется сразу, даже без питания.

то же самое и с напряжениями на выводах, на 6 ноге, опора на 16 ноге, ну, и так далее...

даже время разряда емкости на 4 ноге не соответствует расчету по постоянной времени

не правильно я тут написал, ерунду...

время разряда емкости на 4 ноге больше, чем расчету по постоянной времени, но значительно меньше, чем по графикам даташита.

например, у меня в схеме записан разрядный резистор 150 Ом. постоянная времени 150 нс.

график даташита дает мертвое время ровно 1 мкс. симулятор время разряда показывает почти 490 нс. то есть, практически в 2 раза меньше.

с 500 Ом по даташиту около 3мкс, а симулятор показывает 1,46 мкс. тоже примерно в 2 раза меньше.

хотя, в даташите не указано, для какого значения R_T даны графики мертвого времени. ведь, зарядный ток из 6 ноги "мешает" разряжать конденсатор.

и чем меньше номинал R_T,тем дольше будет идти разряд при одном и том же номинале R_D.

[monolog]

Я поставил между истоками и землёй шунт, нужно померить на нём RMS ток. Как это сделать? Если просто навести мышкой на резистор то предлагает "клещами" измерить его

[Starichok]

а на хрена нужен этот резистор?

для измерения тока в ключе достаточно посмотреть клещами его ток. а потом посмотреть его RMS ток.

[monolog]

что оба плеча сразу были, да собственно это и не играет роли где смотреть, вот как именно rms вычислить из увиденного?

[Starichok]

вычислить можно только после окончания симуляции.

выделяешь установившийся участок картинки.

на плот-панели с током ключа наводишь курсор на заголовок панели. удерживая клавишу Ctrl, щелкаешь по заголовку левой кнопкой. вываливается окошко, где будет показан средний ток и RMS ток.

так можно делать с любым элементом.

а при нажатии клавишы Alt, вместо клещей появляется термометр, тогда на графике рисуется график мощности в элементе.

на графике мощности точно также, через клавишу Ctrl, потом можно посмотреть среднюю мощность в элементе.

[Zvik]

Мотал сегодня трансформатор на 2квт на кольце 63*38*20мм, просто жесть, еле все уместил.

Вот объясните мне:

Считаю в программе старичка, для 37КГц провод по скин эффекту 0,7мм грубо говоря, ну и мотал 0,71 проводом. Теперь берем какой нибудь заводской усь, вскрываем его, и видим первичку и вторичку намотанную 1мм проводом, а то и толще, хотя частоты там те же а то и выше иногда В чем подвох???

Намотать к примеру проводом 1 или 1.2мм куда компактнее и проще чем 0,7мм.

[Григорий Т.]

Теперь берем какой нибудь заводской

У китайцев программы старичка нет.

[S_N_A_B_B_E_R]

Толщина скин-слоя, если попытаться "на пальцах",очень грубо - это такая толщина, где поле уменьшается в Е раз. Т.е. не равно 0, а только существенно ослаблено. Поэтому, как мне кажется, следует использовать провод с некоторым "запасом", чтобы полнее использовать его сечение, тем самым, немного уменьшить сопротивление ВЧ току. Может и китайцы того же мнения? Если рассматривать проводник как часть цилиндра, то проникновение будет на глубину 0,7 мм с любой точки поверхности этого цилиндра. Т.е. диаметр - 1,4 мм....

Изменено 15 августа, 2014 пользователем S_N_A_B_B_E_R

[Starichok]

Звик и все остальные.

если принять, что 10% площади провода пропадает (используется не эффективно), то диаметр можно увеличить примерно в 1,4 раза.

если 0,7 мм по скин-эффекту умножить на 1,4, то и получим те самые 1 мм.

большой диаметр выгоден тем, что получается меньше слойность обмоток.

возьмем отвлеченный пример.

допустим, если мотать диаметром 0,7 мм в 2 жилы энное число витков, то обмотка займет 1,5 слоя. а это плохо.

а если это же число витков мотать диаметром 1 мм, то обмотка займет ровно 1 слой, что уже очень хорошо.

[Zvik]

Больший диаметр провода более выгоден, но толку от него, если центр этого самого провода не задействуется?

[Starichok]

тебе же сказали, что там нет такой резкой границы "да/нет", ток спадает по экспоненте. хоть сколько-то тока в центре все равно есть.

[monolog]

подскажите какова будет примерная температура кристалла мосфета, если допустим температура корпуса - 80*С (постоянное переключение а не одиночный импульс)

[Starichok]

смотришь в даташите тепловое сопротивление корпус-кристалл, и вычисляешь температуру кристалла...

[monolog]

Замкнутый круг получается:

Если использовать формулу Tj = Ta + Rjs * Pn, где Pn - мощность потерь в транзисторе, откуда же можно взять мощность потерь, если ОНИ (потери) как раз полностью зависят от Tj (при 175*С - Rds в 2 раза выше) ?

Может есть другая формула?

Изменено 16 августа, 2014 пользователем monolog

[Starichok]

нет другой формулы. но есть метод последовательных приближений.

считаешь температуру при одном значении Rds. потом находишь Rds для посчитанной температуры. потом пересчитываешь температуру для нового значения Rds. ну, и так далее, пока не придешь к одному результату...