Диод и генератор переменного тока

[Dan Gashigullin]

Здравствуйте! Я собрал схему в Proteus, использовал isine(источник переменного тока), резистор, диод. Почему-то на графике есть как положительная полуволна, так и отрицательная.

Можете объяснить почему так?

 

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[IMXO]

потомушта вы взяли источник тока , а ему пофиг какое сопротивление имеет нагрузка , амплитуда тока будет константа.

брать нуна источник напряжения модели VSINE или ALTERNATOR

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[Dan Gashigullin]

@IMXO А можете, пожалуйста, более подробно объяснить, почему в случае с напряжением диод не пропускает отрицательную полуволну, а в случае с током пропускает.

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[IMXO]

теория

диод "закрыт" пока напряжение на нем не превышает величину Uобр , при этом через него протекает ток утечки Iобр , эти параметры для разных диодов разные и указываются в даташите . далее следует Uпроб (обычно составляет 1,05..1,20Uобр )при котором происходит электрический пробой и резко увеличивается ток Iобр ,  в этой области пока электрическая мощность   P=Uпроб*Iобр не превышает максимально допустимую мощность рассеивания для данного корпуса диод работает как стабилитрон , далее при увеличении тока увеличивается мощность и  кристалл диода разрушается из-за теплового пробоя, его сопротивление падает до нуля.

практика

Вы взяли диод  на Uобр=50в , Iобр=5..50мкА , Pmax=1Вт  ,  когда источник тока на отрицательной полуволне тока выдал -0,016..0,019мА , и Uобр составило 52..60в произошел тепловой пробой кристалла диода , диод превратился в обычный кусок провода , и далее на графике вы бы продолжили наблюдать как по этому проводнику течет переменный ток в амплитудой 1А.  но проблема в том что протез не считает мощности на элементах схемы и не умеет симулировать тепловой пробой, все эти расчеты на совести пользователя. и падение напряжения на диоде в симуляторе будет соответствовать работе стабилитрона с Uобр=50в,

для источника напряжения пока значение амплитуды отрицательного напряжения Usine будет меньше Uобр=50в , ток в схеме будет Iобр=5..50мкА, при увеличении  значения ток по закону Ома  будет зависть от номинала резистора I=(Usine-Uобр)/R