Jump to content

Recommended Posts

Если силовое питание делить на несколько частей , то лучше ставить N транзисторы как у меня. Их выбор больше, да и параметры получше .

Share this post


Link to post
Share on other sites

Важны параметры того транзистора, который на выходе ОУ. А которые в коммутаторе и в ОБ, тем параметры не важны.

Share this post


Link to post
Share on other sites

@boris_ka Защитное ограничение тока лучше сделать так. Выделено красным. Не нужен дополнительный шунт, так же не будет лишнего падения напряжения на этом шунте, которое непонятно как отражается на работе схемы. При необходимости можно сделать несколько фиксированных уровней ограничения, поставив несколько резисторов R14 через переключатель, либо переменный с плавной регулировкой ограничения.  Вообще эти неконтролируемые выбросы тока длительностью до 5 мкС присутствуют во всех схемах, в том числе и во всех твоих без выброса. Это видимо задержка распространения сигнала в микросхемах. Даже мультисим показывает этот выброс с такой же длительностью импульса.

3...png

Edited by Владимир65

Share this post


Link to post
Share on other sites

Wolfspeed раскрывает секреты прорывных технологий в силовой электронике

Компания Wolfspeed предлагает разработчикам стать частью новой истории и проверить самостоятельно все преимущества компонентов с широкой запрещённой зоной. Представляем вашему вниманию подборку материалов по теме SiC MOSFET, SiC-диодов и их применениям.

Подробнее

Работает защитное ограничение и в схеме с переключением диапазона регулировки тока. При установке максимального тока на одном диапазоне, настройка сохраняется и при переходе на другой диапазон.

7 с защитой по току.png

Share this post


Link to post
Share on other sites

Материалы вебинара "Практика разработки IoT-устройств с BlueNRG-LP – «волшебной палочкой» разработчика"

Опубликованы материалы практического вебинара по работе с новой SoC BlueNRG-LP производства компании STMicroelectronics. На вебинаре были рассмотрены новые возможности создания прототипов IoT-устройств на BlueNRG-LP с использованием экосистемы и отладочных средств ST, а также продемонстрированы использование BlueNRG-GUI v.4.0.0 и примеры кода в IDE, настройка и работа в сети BLE-MESH, пример управления умным домом с помощью BlueNRG-LP.

Подробнее

Схема защитного ограничения тока хорошая. Владимир, при упоминании о коммутациях, хорошо было бы написать, при скольких вольтах эти таинственные коммутации происходят и сколько вольт для этих коммутаций надо на вторичках. Выброс на шунте в момент КЗ пропорционален входной емкости полевика. У IRF510 выброса нет. У него емкость 180 пФ, у твоего IRF4905 - 4300 пФ.

Edited by boris_ka

Share this post


Link to post
Share on other sites

BlueNRG-LP для передачи данных в диапазоне 2,4 ГГц без BLE

В статье представлен набор базовых примеров основных аспектов работы радиотракта в проприетарном режиме, что позволяет создавать на их основе собственные более сложные проекты. Описан режим обновления и типичный сценарий прошивки «по воздуху» OTA для проприетарного режима. Примеры приведены для сред разработки IAR Embedded Workbench for ARM и KEIL uVision 5 for ARM.

Подробнее

Я исходил из того что у меня есть. Есть трансформатор с обмоткой 28 В с отводом в середине.  Получается две обмотки  по 14 В, соединение как на схеме. А в принципе, ограничение по току. То есть какие полевые будут использоваться, чтобы они не вышли из области БР. У Ридико Л. И. , если не ошибаюсь шаг 6 В и ток 4 А? Единственное, можно сделать в первой ступени напряжение немного повыше, потому как тут стоят два полевых и есть потери на шунте, хоть и маленькие. На сколько больше, это надо измерять на макете, когда открывается вторая ступень и сколько остается на первой между стоками первых полевых Р и N транзисторов.

Share this post


Link to post
Share on other sites

 

1 час назад, boris_ka сказал:

Выброс на шунте в момент КЗ пропорционален входной емкости полевика. У IRF510 выброса нет. У него емкость 180 пФ, у твоего IRF4905 - 4300 пФ.

Согласен. Но у него и мощность маленькая, сопротивление открытого канала большое 0,6 Ом при 10 В VGS. ОБР маленькая. В принципе если устраивает по параметрам блока питания,  то можно ставить. Тогда может имеет смысл уменьшить напряжение первой ступени чтобы не выходить из ОБР для этого транзистора при необходимом максимальном токе БП.

 

 

Скриншот 20-02-2021 182008.jpg

Share this post


Link to post
Share on other sites

Чтобы уложиться в ОБР IRF510, надо подобрать минимальное  напряжение на затворе Q2 такое, чтобы транзисторы Q2 и Q4 при максимальном токе и максимальном выходном напряжении были полностью открыты . Выделено красным. Потом заменить постоянными резисторами. Только схему нужно переделать под транзисторы другой проводимости. При такой настойке  может быть получится обойтись и без аварийной токовой защиты.

IRF510.png

Edited by Владимир65

Share this post


Link to post
Share on other sites

Именно IRF510 нам не указ, это для примера. Сравнил я эту схему с одним полевиком IRF630 c Cinaec FET при отсутствии выходного кондера. ПХ у схемы Владимира хуже. Возможно ОУ тяжелей работать на затвор-сток. Хотя мой прибор показывает, что емкость Сgd всего в два раза больше Cgs. Возможно мой N-канальный вариант кривоват. Не вижу ничего полезного от хитрозакрученного коммутатора с усилением от Владимира. В схеме жесткая связь по постоянке, особо не порегулируешь. Чем больше я на это все смотрю, тем больше мне нравится классический повторитель, как в Cinaec FET, например, с классическим же коммутатором. Хотя тема с общей базой интересная. Картинка ниже с хорошим ОУ МС34072. Красный на выходе.

Vl_F.png

Edited by boris_ka

Share this post


Link to post
Share on other sites
3 часа назад, boris_ka сказал:

с хорошим ОУ МС34072

А ты картинку растяни и увидишь что проще китайский набор купить чем твою самую быструю схему лепить.


Организм нужно укреплять витамином "Ц". пивЦе, винЦе и шашлыЦе!!!

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Зазубрины на ПХ при восстановлении после КЗ с предыдущей картинки, из-за большого Су. Без Су выброс на выходе до 4V. ПХ ниже при Су=100 и Сout=1,0 +КС162 и ТЛ072. При малых токах СС остается выброс на выходе до 0,5V при восстановлении. Более быстрые ОУ пейзаж не меняют, только длительность процесса меняется. При Сout > 10,0-22,0 эти зазубрины нивелируются и можно увеличить Су для полного убирания выброса. 

TL072.png

FET_11b8.GIF

Share this post


Link to post
Share on other sites

Если выбросы тока при КЗ еще есть, можно добавить конденсатор С17 с выхода ОУ тока на базу транзистора Q5 , будет уменьшение времени до начала ограничения тока и по этому лучшее ограничение выбросов тока. В железе не проверял, в симе убирает выброс почти полностью. Емкость С17 подобрать по лучшему результату, если он будет.  Пробовал ставить R23 в надежде что не будет генерации без конденсатора С9. Не помогло, пробовал в железе.

3.png

Последовательно с Су резистор не надо поставить?

Share this post


Link to post
Share on other sites

@boris_ka  А светодиоды может повернуть наоборот? Или у тебя и так работает??  FET_11b8.GIF

Если параметры полевиков примерно одинаковые есть ли смысл ставить после ОУ   N канальные транзисторы?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Светодиоды анодами на затвор надо, в схеме я очепятался. В N-канальных транзисторах смысл есть, но желателен конечно натурный эксперимент. По слухам у N-канальных транзисторов параметры завсегда лучше. 

FET_11abc.GIF

FET_11a.spl7

Share this post


Link to post
Share on other sites
Posted (edited)

@boris_ka По моему стабилитроны КС162 можно удалить, оставив только диоды с 6 на 3 ногу. Меньше будет уходить выход  ОУ от рабочей точки в неактивном режиме. VT2 чем то помогает? С17 из этой схемы ставить не пробовал?  3.png

6 часов назад, boris_ka сказал:

VT2 на схеме ограничивает ток на 6А.

Подбором (уменьшением)  резистора 47 кОм можно уменьшить этот ток.

Edited by Владимир65

Share this post


Link to post
Share on other sites

КС162 можно убрать, но на время опытов пусть живут, без них ПХ не улучшается.  С17 не пробовал, в данном варианте выброса на шунте нет.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Не удалось обнаружить пульсации в режиме СС при токе 0,25 и 1,0 А, шум на выходе практически не меняется.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Posted (edited)

@boris_ka Попробуй такие схемы с последними твоими изменениями. Возможно будет работать лучше чем с двумя полевиками. У биполярного нет входной емкости , у дарлингтона усиление большое, значит маленький входной ток и частотные характеристики хорошие, меньше будут нагружать выход ОУ, думаю быстродействие должно быть больше чем с полевиками, не знаю как возбуды, будут или нет. В первой схеме  можно наращивать мощность параллельными парами силовых транзисторов. Токи будут выравниваться резисторами ( шунтами) в эмиттерах силовых транзисторов.  А то я сильно не настраивал все те пробные схемы ( эти тоже) Так бегло оценил их работу. У тебя и приборы лучше и знаний с опытом тоже больше...)))

 1.png4.png

Edited by Владимир65

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 часа назад, boris_ka сказал:

Не удалось обнаружить пульсации в режиме СС при токе 0,25 и 1,0 А

Возможно сработало)))

Share this post


Link to post
Share on other sites

@boris_ka Попробуй поставь в свою схему R2, C4, D4. Должно убрать выброс напряжения после КЗ. Но возможно появится просадка напряжения в режиме стабилизации напряжения при подключении нагрузки. Номиналы подбери в железе.

Скриншот 10-04-2021 232219.jpg

Скриншот 10-04-2021 232209.jpg

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.
Note: Your post will require moderator approval before it will be visible.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Restore formatting

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Loading...

  • Сообщения

×
×
  • Create New...