Перейти к содержанию

Симулятор - ваш помощник. Виртуальная доработка схем УМЗЧ


Рекомендуемые сообщения

18.02.2021 в 12:25, finn32 сказал:

петлевое всего УМ.

36кОм (!!!) в ОС, это примерно как 1/60кОм в без балансном. ТП 150мА (не пробовал, может и меньше нужно). Да, 1837/4793 прикрутил чужие в каскод, кушают 1.5 Вт, костыли выбросил, как не нужные. ЖЕЛЕЗОБЕТОННАЯ ЛИНЕЙНОСТЬ1090986153_.png.367fbaebb318e4b6278864bf145a75ff.png

Изменено пользователем sergey bolloev
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Инженеры КОМПЭЛ провели сравнительное тестирование аккумуляторов EVE и Samsung популярного для бытовых и индустриальных применений типоразмера 18650. 

Для теста были выбраны аккумуляторы литий-никельмарганцевой системы: по два образца одного наименования каждого производителя – и протестированы на двух значениях тока разряда: 0,5 А и 2,5 А. Испытания проводились в нормальных условиях на электронной нагрузке EBD-USB от ZKEtech, а зарядка осуществлялась от лабораторного источника питания в режиме CC+CV в соответствии с рекомендациями в даташите на определенную модель. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

1 час назад, finn32 сказал:

собирай

утюжить не умею, гербер и Китай применю. При мысли "твикнуть пп автоуся" заменяя сток схему (Ланзар) - страшно становиться... нет "рабочего места", есть табуретка и пол. Кассеты- модули спасут спину и с пола дует сейчас, как то бытовуха ни о чём, так получилось. Ни какой я практик, только симулировать умею. )))

Изменено пользователем sergey bolloev
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

  • 2 недели спустя...

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. 

Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств. Подробнее параметры и результаты тестов новой серии PLM по ссылке.

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

  • 4 месяца спустя...

Литиевые батарейки и аккумуляторы от мирового лидера  EVE в Компэл

Компания Компэл, официальный дистрибьютор EVE Energy, бренда №1 по производству химических источников тока (ХИТ) в мире, предлагает продукцию EVE как со склада, так и под заказ. Компания EVE широко известна в странах Европы, Америки и Юго-Восточной Азии уже более 20 лет. Недавно EVE была объявлена поставщиком новых аккумуляторных элементов круглого формата для электрических моделей «нового класса» компании BMW.

Продукция EVE предназначена для самого широкого спектра применений – от бытового до промышленного. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

21 час назад, PenZioNer сказал:

не знаю на сколько верные

Ну так узнай. Если примерно соответствует даташитным параметрам, значит модель правильная.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

17 часов назад, PenZioNer сказал:

не знаю на сколько верные

Слишком много вы хотите от симуляторов, господа. Ну нельзя в них посмотреть нюансы, возникающие в реальных схемах. Не дошла ещё симуляция до такой степени точности.

Вот посмотрите сами. Типовая Spice-модель транзистора:

Цитата

.model 2N2222 NPN(IS=1E-14 VAF=100 BF=200 IKF=0.3 XTB=1.5 BR=3 CJC=8E-12 CJE=25E-12 TR=100E-9 TF=400E-12 ITF=1 VTF=2 XTF=3 RB=10 RC=.3 RE=.2 Vceo=30 Icrating=800m mfg=NXP)

Ну и какие такие нюансы вы хотите увидеть, если вся модель - десяток коэффициентов? :)

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Это не типовая, а предельно убогая.

Типовая вот: npn(is=14.34f xti=3 eg=1.11 vaf=74.03 bf=255.9 ne=1.307 ise=14.34f ikf=.2847 xtb=1.5 br=6.092 nc=2 isc=0 ikr=0 rc=1 cjc=7.306p mjc=.3416 vjc=.75 fc=.5 cje=22.01p mje=.377 vje=.75 tr=46.91n tf=411.1p itf=.6 vtf=1.7 xtf=3 rb=10)

и вот: pnp (is=9.9855f bf=477.115 nf=965.739m vaf=64.7 ikf=116.959m ise=2.13187f ne=1.27276 br=385.069m nr=1 ikr=308.018 isc=13.4194p nc=2 nk=500m rc=7.03858 cje=15p rb=2 vje=750m mje=500m cjc=9p vjc=749.982m mjc=498.685m fc=500m tf=1.25138n xtf=500m vtf=10 itf=10.0655m ptf=0 tr=10n xtb=0 xti=3)

и это только минимальная комплектация.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Да, да, конечно. Добавление нескольких цифр после запятой всё в корне меняет. Особенно если вспомнить, что параметры экземпляров транзисторов одного типа могут отличаться в несколько раз. :)

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Вы слепой или придуриваетесь?

Причём тут знаки после запятой?

В модели, которую я показал, параметров в три раза больше.

По поводу разброса:

1) если разработчик должен сделать схему нечувствительную к разбросу параметров, он это легко сделает,

2) ключевые параметры транзистора не имеют допусков в разы.

 

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Если примерно соответствует даташитным параметрам,@12943

Подскажите плз. что указывает в ваших модельках на КУ и емкость переходов?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

3 часа назад, 12943 сказал:

В модели, которую я показал, параметров в три раза больше.

В модели 2N2222 параметров 18. В приведённой вами - 29. Не буду спорить, что 29 в три раза больше, чем 18. Спорьте с калькулятором. Но даже если будет в 10 раз больше, качественно ничего в симуляции не изменится. Не тот порядок усложнения модели. :)

 

3 часа назад, 12943 сказал:

ключевые параметры транзистора не имеют допусков в разы.

Нет слов... :)

Из первого попавшегося даташита на тот же 2N2222:

Снимок.JPG

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Вы слепой или придуриваетесь?@Lexter

соответствует даташитным параметрам,@Lexter

Я попросил вас показать (подчеркнуть и т.п.)   - что указывает в ваших модельках на КУ и емкость переходов?

Вопрос к автору темы и всем "сочувствующим", реально форсировать данный ум за 200 ватт, питание + -65в.? 

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

37 минут назад, PenZioNer сказал:

Вопрос к автору темы и всем "сочувствующим", реально форсировать данный ум за 200 ватт, питание + -65в.? 

Какой? Симметрон? Реально.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

7 часов назад, Lexter сказал:

Нет слов.

 

За то у меня слова есть. Если для вас коэффициент передачи тока - ключевой параметр, то вам просто рано рассуждать на темы моделирования.

7 часов назад, Lexter сказал:

Но даже если будет в 10 раз больше, качественно ничего в симуляции не изменится. Не тот порядок усложнения модели.

Так вы определитесь, какого хрена вам надо, то есть: каких "качественных изменений" моделирования хочется? Шоб дым при сгорании шел?

Хоть какие-нибудь отличия симуляции от железа можете назвать?

7 часов назад, PenZioNer сказал:

Подскажите плз. что указывает в ваших модельках на КУ и емкость переходов?

Никакого Ку у транзисторов не бывает.

Ёмкости переходов при нулевом напряжении на переходе задаются параметрами CJC и  CJE.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Общепринятая экваивалентная схема модели Гуммеля-Пуна для БТ и модель для малосигнальной работы унифицирована в следующую SPICE модель.

 

 

SPICE ekvi.jpg

 

SPICE param.pdf

 

Формул расчета зависимых параметров там на два листа.
Так что РАЗУМНОЕ упрощение модели в принципе допустимо для наших целей.Не до состояния  "кирпич о трех ногах", конечно.
Есть достаточные модели например от Корделла - их можно и нужно использовать.
С ними результаты получаются близкими к жизни.

Изменено пользователем Ulis

Вы думаете "Там" дураки сидят?На солнце полетите ночью.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

2 часа назад, Lexter сказал:

Нет слов... :)

Из первого попавшегося даташита на тот же 2N2222:

Ииих, не может быть :D, в микрокапе эта зависимость считается легко и зависит от параметров NE ISE BF IKF.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

По мощным полевикам все хуже, если вы перфекционист.
Модели от производителей например плевать хотели на работу MOSFET в области малых напряжений затвор-исток, где у всяких IRFP творится ужас-ужас.
А точная SPICE-модель увеличивает расчет симулятором даже простенькой схемы с ними реально на порядок, при тех же степпингах, что и на обычных. Я пробовал :D
Надо нам это?

Изменено пользователем Ulis

Вы думаете "Там" дураки сидят?На солнце полетите ночью.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Какой? Симметрон? Реально.@finn32

При 8-ми Ом-ной нагрузке две пары выходных транз. достаточно ? Имеются в виду тошибы (1943-5200).

Мой не большой опыт в мультисиме показывает - заработал ум в симуляторе, и "железе" будет работать. И алгоритмы настройки совпадают. :bye: 

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

  • 1 месяц спустя...

@Zvuk.  Ток через TIP147G выходит большой, 2N3055A сами по себе тормоза, но если несколько покрутить модель вернув её в первоначальный вид то работает. vdvdvdvdvd.jpg.fdbabc4833f7f66d5038eff4fc067864.jpg

Скорее всего могут быть ещё кривые модели. У вас же есть уже платы этого УНЧ, посмотрите что там в живую. 

С уважением, Дмитрий

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

14 минут назад, Pont 007 сказал:

что там в живую.

там жесть... керамика желтая, чанги... ксо, мюз (элна, панас...) не вопрос, была бы схема. Да, по Вашему предложению (твик) уже делали в МС, результат не очень.

Вход исправил, лучше, но МС вылетает, что там не знаю 1690590329_.png.bb69d61dc3c2d488ad79a52ab9553927.png

Изменено пользователем Zvuk.
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Гость
Unfortunately, your content contains terms that we do not allow. Please edit your content to remove the highlighted words below.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Восстановить форматирование

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

Загрузка...
  • Последние посетители   0 пользователей онлайн

    • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу

  • Сообщения

    • скачай новый архив. там есть важные изменения в комповой программе, по сравнению с той, что я отправлял в личке. исправлены недоделки и добавлены проверки на некорректные действия.
    • Здесь все индивидуально, точного ответа нет. Тип фоторезиста, качество фотошаблона, расстояние и время засветки, длина волны св.диодов, "полоскание" в химии ... Надо все пробовать самому, ручками, опыт придет со временем, ничего сложного там нет. На форуме есть ветка, почитайте.
    • Привет.  Хочу попробовать поработать с фоторезистом. Есть пару десятков ультрафиолетовых светодиодов, общей мощностью 4 вата. Хватит ли этой мощности для обработки платок размером 10 на 10 см или надо искать что-то дополнительно? 
    • Чтобы меньше было излучения, нужно мотать тороидальную. Возможно для повышения добротности по омическому сопротивлению лучше этот ТОР мотать в пару слоев. Если ее намотать на шило, то она вряд ли будет вообще работать как катушка.   Индуктивность прямо пропорциональна площади сечения, которая в свою очередь прямо пропорциональна квадрату диаметра. К тому же индуктивность в обратной пропорции с длиной намотки.
    • Я в ходе отладки выяснил, что сбоит в функции:  void w25qWritingByUSB(uint32_t dpagenum, uint8_t *bufByUSB) При чем поведение очень странное. Отладочные сообщения даже не выводятся в начале функции. В ходе экспериментов понял что связано это с объявлением массивов и решил объявить большие буферы которые на 4КБ и 0.25КБ: uint8_t current_sector_buf[4096]; uint8_t buf[256]; глобально. В оригинале, буферы объявлялись локально в функции. После изменения буквально двух строчек кода, все заработало. Также, в оригинальном проекте было сильно напутано из функциями. Я решил функции выкинуть из main.c и вставить в w25q.c Эти функции: void w25qEraseSector(uint16_t sector) void w25qWritingByUSB(uint32_t dpagenum, uint8_t *bufByUSB) Поиск данной проблемы реально отобрало кучу времени. На будущее буду знать что и такое бывает...
    • есть готовый  драйвер BTS7960 до 43А (долговременно до 10) с шим и все, что нужно и стоит недорого. И не надо изобретать  велосипед. Даже с учетом завышения параметров  уж 5А свободно.
×
×
  • Создать...