You can post now and register later.
If you have an account, sign in now to post with your account.
Note: Your post will require moderator approval before it will be visible.
само собой, выход одного из транзисторов в режим отсечки меняет нагрузку на выход УН. есть и хорошие новости - это здесь происходит у малосигнальных цепей , высокочастотных транзисторов (Ft >= 150mHz) и находится внутри петли ООС. При достаточном усилении УН с разомкнутой ООС - вполне эффективно устраняется. Фокус возможно в том, что УН, нагруженный на 100 килоом и 30пф , имеет одно усиление, а на реальные схемы дифкаскадов - поменьше, и ещё вопрос, что от него останется. Интуитивно как-то больше нравятся мне те схемы, которые без патента Накаямы, в дифкаскаде не три транзистора, а два. Пока что их и собирал. ( рис. 2 конкретно из https://forum.cxem.net/index.php?/topic/174171-схемотехника-умзч-со-стабилизацией-режима/ )
замечу, у последней схемы усиление УН гораздо больше, чем у более ранней, в ссылке. динамическая нагрузка Q2, Q3, Q5, Q7 - решение блестящее , и затем с неё симметрично снимается сигнал. нет проигрыша в ослаблении синфазного сигнала совершенно.
@boris_ka , поигрался С8, С9, С6, вот, что получилось.
В модификации, в соответствии с вашими рекомендациями, если убрать С9, то идет возбуд, который не убрать ни при каком значении С6. С6 увеличивает выброс тока, убрал.
В модификации, ширина токового выброса уменьшилась с 40мкС до 5 мкС, амплитуда с 4,8В до 2В на шунте, а если еще и пересчитать на площадь, то вообще хорошо по сравнению с оригиналом...
Все осцилки относительно минуса БП. На выходе штатный электролит 10 мкФ.
В качестве настроечных нашел в закромах вот эти экземпляры: