Эмиттерный повторитель со следящей связью

[Максим22334]

Помогите, не получается рассчитать вторичные параметры эмиттерного повторителя со следящей связью. Как я понял там должно выполняться Rвых'=1/(1-ku), но как мы рассчитаем Ku, ведь оно рассчитывается через Rвых', которое рассчитывается через ku?

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[sanya110]

Это https://studme.org/145650/tehnika/koeffitsient_peredachi_napryazheniyu_emitternogo_povtoritelya, https://forum.cxem.net/index.php?/topic/34488-выходное-сопротивление-эмиттерного-повторителя/ читали?

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[Максим22334]

14 часов назад, sanya110 сказал:

/////////////

Читал, но там добавляется третий резистор он будет последовательно соединён с резисторами делителя и при расчёте на переменном токе он искусственно увеличивается в 1/(1-ku) раз, а как это влияет на расчёты я не понимаю

Изменено 20 ноября, 2021 пользователем Falconist
Оверквотинг

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[J_Ohm]

12 часов назад, Максим22334 сказал:

Как я понял там должно выполняться Rвых'=1/(1-ku)

Как сопротивление и безразмерное выражение могут быть в равенстве, понять невозможно.

[Delfin]

А значение номиналов сопротивлений у вас известно?

[colorad]

Надо определить тип обратной связи , рассчитать ее глубину и влияние на выходное сопротивление .

Изменено 25 ноября, 2021 пользователем colorad

[Zawinul]

В 25.11.2021 в 19:08, colorad сказал:

//////////////

На выходное сопротивление такая ОС не влияет, только на входное.

ТС, что такое "вторичные параметры", что именно необходимо рассчитать?

Изменено 27 ноября, 2021 пользователем Falconist
Оверквотинг

[Максим22334]

В 27.11.2021 в 01:52, Zawinul сказал:

///////////////

Нужно рассчитать входное сопротивление каскада и входное сопротивление с влиянием цепи смещения

Изменено 7 декабря, 2021 пользователем Falconist
Оверквотинг

[Максим22334]

В 25.11.2021 в 16:58, Delfin сказал:

А значение номиналов сопротивлений у вас известно?

Известно 

[Гость Вася]

Входное сопротивление без ОС  = ((R1||R2)+R5) || (Rэ *h21э)

И эта правая часть выражения , в схеме с ОС, за счёт тока обратной связи через R5, вырастает, и её можно не учитывать.

Так что получаем : R1||R2)+R5

[Максим22334]

18 часов назад, Гость Вася сказал:

Так что получаем : R1||R2)+R5

А разве выходное сопротивление не должно получиться R1||R2+R5/(1-Ku)?

[J_Ohm]

Расчет выходного R от цепи смещения бессмысленен. Сопротивление источника сигнала обычно значительно меньше.

Тогда R_вых = R_и/(1+h21э) + R_Э,  без учета нагрузочного резистора в эмиттере.

Правое слагаемое - сопротивление эмиттерного перехода, зависящее от тока эмиттера.

R_Э = 26 мВ / I_Э

Начиная со средней плотности тока и выше, к нему желательно добавлять еще некоторое типовое  сопротивление эмиттерной области (определяемое по графику ВАХ или экспериментально).

[Гость Вася]

"А разве входное сопротивление не должно получиться R1||R2+R5/(1-Ku)?"

Это как бы да, но на самом деле - нет, выжать из транзистора больше, чем он есть, в конкретике данного конструктива, нельзя. На очень низких частотах С обратной связи будет успевать заряжаться - разряжаться, а на высоких - сдвиги фаз.

Это плохая схема, очень плохая, непредсказуемая по возбуду. Выкиньте её из головы. Если что-то хотите придумать в схемотехнике - придумывайте через топологию - многоэмиттерный или многобазовый транзистор, перекрестье близко расположенных каналов, неопределённости множеств ... - здесь.