Помогите найти (подобрать) аналог

[кот_бегемот]

1 час назад, Falconist сказал:

Мощность зависит не от транзистора, а от питающего его напряжения.

А от Iк, h21, максимальной рассеиваемой мощности транзистора не зависит?

[Реклама]

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

[Falconist]

@кот_бегемот , нет.

[Реклама]

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

[Geo_R]

2 часа назад, Алебастр сказал:

 то поставил  2SC3950.

Интересный элемент. 

Надо заказать. 

Это ссылка на оригинал? 

[Реклама]

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

[vg155]

58 минут назад, Geo_R сказал:

ссылка на оригинал?

Это как повезёт 

[stepo4kin]

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста какой есть аналог полевому транзистору stk0260?

[Lexter]

@stepo4kin Аналогов ему много. На что именно можно заменить, зависит от конкретной схемы, где его применили.

[KRAB]

8 часов назад, stepo4kin сказал:

какой есть аналог полевому транзистору stk0260

открываешь на него даташит и подбираешь ..... 

[baseev43]

9 часов назад, stepo4kin сказал:

аналог полевому транзистору stk0260?

Много написали, можно было так в гугле написать и получить

"По параметрам и распайке выводов транзисторы SK3067 и STK0260F практически одинаковые, и функцию в блоке питания выполняют одну и ту же"

[Lexter]

2 часа назад, blackflash2007 сказал:

для замены кт315 и кт 361

В корпусе SOT-23:

BC846, BC847, BC848, BC849, BC850 - NPN (вместо КТ315), из отечественных - КТ3130.

BC856, BC857, BC858, BC859, BC860 - PNP (вместо КТ361), из отечественных - КТ3129.

Если нужны с длинными выводами (в корпусе ТО-92), можно поставить S8050, SS8050 (NPN) и S8550, SS8550 (PNP).

Ну а вообще - в принципе любые 2Nxxxx, типа 2N2222 и далее.

Изменено 30 апреля, 2021 пользователем Lexter

[Николай84]

Здравствуйте

В преобразователе  12-220v сгорел транзистор FQF 20N50C, продовец радиодетали посоветовал FDPF 20N50. Заменил 4шт чтобы одинаковые были, в итоге преобразователь выдал 310v и ушёл в защиту. Сопротивление на оригинальных 486 в закрытом и 105 в открытом состоянии, на аналог 498 и 273. По справочник смотрел рассеивающая мощность 250w, на аналоге 38,5w.

Сам мало что в этом понимаю, посоветуйте какие транзисторы лучше поставить и если можно помощнее оригинальных чтоб преобразователь нагрузку держал. 

[Falconist]

Куда-то Вы не туда смотрели. Параметры что FQF20N50C, что FDPF20N50 одинаковы. С наибольшей вероятностью они горят вторично, т.к. после них сгорело что-то еще.

Так что несите свой аппарат в ремонт Мастеру - он разберется. Сами Вы в лучшем случае донесете его до ближайшей мусорки.

[KRAB]

2 часа назад, Николай84 сказал:

какие транзисторы лучше поставить и если можно помощнее оригинальных чтоб преобразователь нагрузку держал

не они только определяют нагрузку .... в твоем случае - хочешь 1 кВт - покупаешь DC/AC на 5 кВт .... т.е. алгоритм прост - "китайские Вт" - делить на пять .... + учет пусковых токов ....

Да и транзисторы - не одни менять нужно .... так что для тебя - ремонт у Мастера.

2 часа назад, Николай84 сказал:

Сопротивление на оригинальных 486 в закрытом и 105 в открытом состоянии, на аналог 498 и 273.

это ЧУШЬ и полное незнание ... так что не лезь ты в него .... пока окончательно не добил ....

[Aleksandr1111]

Приветствую всех форумчан!

Решил впервые рассчитать LC-автогенератор на 315 МГц на транзисторе BFR93a по книге Шумилина "Проектирование транзисторных каскадов передатчиков". Там требуется знать (как исходные данные) крутизну коллекторного тока транзистора (это я вроде определил по выходным ВАХ ) и "крутизну базового тока" (так и написано.) Что-то не пойму: что тут имеется ввиду под крутизной базового тока? Крутизна входной ВАХ? Для ГТ311, к примеру, в книге указано, что она равна 0,06 А/В

[Aleksandr1111]

К сожалению, никто не отвечает...

Прикладываю скрин из книги.

Но выяснил, что в книге опечатка - крутизна базового тока 0,006 А/В, а не 0,06 (хотя хочу проверить это в железе - откопал у себя один 1Т311А), а вот то, что крутизна тока коллектора, которая определяется также из статических характеристик транзистора, равна якобы 0,55 А/В (в примере расчета) - по-моему, тоже ошибка? Должно быть мА/В. Т.к. по справочнику Горюнова, где есть эти ВАХ, примерно такие цифры, но никак не 0,55 А/В.

В передатчике, который я сделал, но который хочу немного переделать в соответствии с расчетом, стоят, конечно, не ГТ311, а 2SC3356

Изменено 8 мая, 2021 пользователем Aleksandr1111

[Alkarn]

Из любопытства скачал книгу Шумилина, изд. 1987г. Так и не понял, где ты там нашел слова "Крутизна коллекторного  или базового тока" у биполярных транзисторов. Может, у тебя издание 50-60-х годов, когда транзисторные передатчики считались по формулам ламповых?

[Aleksandr1111]

1 час назад, Alkarn сказал:

где

Так я ведь даже скрин выложил, стр. 234 книги, расчет LC-автогенератора, емкостной трехточки. У меня тоже изд. 1987г. Решил не просто подобрать в Микрокапе номиналы элементов, а рассчитать.

[bam-buk]

5 часов назад, Aleksandr1111 сказал:

Но выяснил, что в книге опечатка - крутизна базового тока 0,006 А/В, а не 0,06 (хотя хочу проверить это в железе - откопал у себя один 1Т311А), а вот то, что крутизна тока коллектора, которая определяется также из статических характеристик транзистора, равна якобы 0,55 А/В (в примере расчета) - по-моему, тоже ошибка? Должно быть мА/В. Т.к. по справочнику Горюнова, где есть эти ВАХ, примерно такие цифры, но никак не 0,55 А/В.

Запомним: u/i=r;       i/u=1/r=s    (так принято - физика, 8-й класс!)

Крутизна базового тока для транз. определяется на его прямой ветви - при прямом смещении перехода БЭ из статических хар-к (зависимостей) i(БЭ) от u(БЭ) (иногда приводится в справочниках):
du(БЭ)/di(БЭ)=r(БЭ) !
Но для схемы включения  ОЭ отношение 
du(БЭ)/di(БЭ)=r(вх.БЭ)=h11Э    или
du(БЭ)/di(БЭ)=r(вх.БЭ)=h11э
(в зависимости от режима).

Крутизна тока коллектора определяется также из статических характеристик (зависимостей) i(К) от u(БЭ):
s=di(K)/du(БЭ).
Основная единица измерения s - А/В=мА/мВ. Для БТ значение s "неожиданно" высоко, не несёт важную техническую информацию и в справочниках приводится редко (т.к. БТ "управляется" током, а не напряжением - см. знаменатель!). Для ПТ значение s - важнейшая хар-ка (т.к. ПТ "управляется" напряжением - см. знаменатель!). Поэтому для БТ важна иная хар-ка:
бета=di(K)/di(Б).

Для реальной схемы все эти параметры определяются/измеряются вблизи рабочей точки (точек).

С уважением В.

ПС. Реальной крутизны ГТ311 не знаю, но думаю, что значение 0,55 А/В вполне вероятно (для мощных транз. его значение будет на несколько порядков больше). Про h11 ничего не скажу - лень заглядывать в справочник.

Изменено 8 мая, 2021 пользователем bam-buk

[Aleksandr1111]

56 минут назад, bam-buk сказал:

(зависимостей) i(К) от u(БЭ):
s=di(K)/du(БЭ).

Так это же крутизна проходной характеристики транзистора, тогда там так и написали бы, я думаю? Ну вот у кремниевых БТ, к примеру, S проходной характеристики примерно =38 мА/В на каждый 1 мА коллекторного тока, и я в этом убедился в Микрокапе у BC547, в схеме с ОЭ, кажется. Откуда у герман. БТ такие цифры?

 

[bam-buk]

16 минут назад, Aleksandr1111 сказал:

Откуда у герман. БТ такие цифры?

"Входная" хар-ка у них одинаковая - логарифмическая.

Вот о чём подумалось. Если уменьшить/увеличить "бету", скажем, в 2 раза, то для сохранения прежнего i(К) придётся увеличить/уменьшить i(Б) тоже в 2 раза. В результате рабочая точка i(Б) переместится вверх-правее/вниз-левее, а "крутизна базы" станет больше/меньше. Т.е., бета_больше/крутизна_меньше. И наоборот. Странно это...

С уважением В.

ПС. Вспомнил: для КТ9ххх r(вх) составляет доли ома - единицы ом, правда - на ВЧ. Естественно - в разных режимах - разные значения. А вот для маломощных транз. такими расчётами не занимался - делал "по наитию" до получения нужного результата.

Изменено 8 мая, 2021 пользователем bam-buk

[Alkarn]

Пардон, думал, что расчет усилителя. Может, поможет пример из книги Уткин. Проектирование РПУ СВЧ, более серьезная.

[Aleksandr1111]

2 часа назад, Alkarn сказал:

книги Уткин

Да, я это видел. Вот собираюсь, может, завтра, у реального 1Т311А измерить проходн. крутизну и крутизну колл.тока по выходной ВАХ, а то, если честно, сумневаюсь, что может такое быть, как 0,55 А/В  

Изменено 8 мая, 2021 пользователем Aleksandr1111

[Aleksandr1111]

S проходная получилась около 0,25 А/В при токе коллектора в районе 5 мА и Uкэ=5 В

[J_Ohm]

7 часов назад, bam-buk сказал:

Т.е., бета_больше/крутизна_меньше. И наоборот. Странно это...

Нет, все так и есть. Это же только выглядит, что эмиттерный ток управляется базовым. В действительности они одинаково пропорционально себе зависимы от разности потенциалов на эмиттерном переходе, а соотношением обязаны высокому легированию эмиттера в сравнении с базой.

Изменено 9 мая, 2021 пользователем J_Ohm

[Aleksandr1111]

Всех с Праздником, Днем Победы!

@Alkarn, как думаете, если у Шумилина написано "из статических характеристик определить крутизну S коллекторного тока", то что имеется ввиду: проходная характеристика (которая еще зависит от тока коллектора, а ток в раб.точке еще неизвестен!) или просто крутизна Iк от Uкэ по выходной ВАХ (исчисляемая десятыми долями миллиАмпера/В)?

Изменено 9 мая, 2021 пользователем Aleksandr1111

[mal333]

Есть вопрос по IGBT. Я правильно понимаю, что подав положительный импульс на затвор транзистора до состояния его открытия и затем прервать цепь затвора (оставить висеть вывод в воздухе), мы получим медленно закрывающийся по мере рассасывания заряда затвора  "биполярный" транзистор?