vg155 Опубликовано 13 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 13 февраля, 2019 Шунта не вижу. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Spenoza Опубликовано 13 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 13 февраля, 2019 11 час назад, vg155 сказал: Шунта не вижу. 2 шунта на правой плате с левой и с правой стороны. Обращены к радиатору, что бы обдувало. На фото их видно 14 часа назад, mail_robot сказал: выглядит толково. Будет очень интересно узнать результаты первых нагрузочных тестов их кстати можно (и наверное даже нужно) делать еще до завершения всей сборки. Интересных моментов вылезет прилично. Заодно узнаете где берега и что можно реально словить Скоро доделаю блок питания и попробую что получится в статике, без модуля управления. Кстати насколько критично +15в и -15в (от которых питаются операционники и выходной каскад) делать стабилизированным? АЦП у меня 12 бит от STM32. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!Перейти на страницу акции Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849
mail_robot Опубликовано 14 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 14 февраля, 2019 9 hours ago, Spenoza said: Кстати насколько критично +15в и -15в (от которых питаются операционники и выходной каскад) делать стабилизированным? вообще не критично. У операционников коэффициент подавления пульсаций по питанию больше 90 дБ. Стабилизаторы ставят в основном там, где есть опасность выйти за пределы допустимых (обычно) 32 вольт дифференциального напряжения 0 Нужно делать то, что нужно. А то, что не нужно, делать не нужно. (С) Винни Пух Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>> Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161
bavbav Опубликовано 14 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 14 февраля, 2019 В 12.02.2019 в 21:20, Spenoza сказал: пришлось довольствоваться радиаторами от Intell LGA775 отпишитесь, какую мощность удалось снять с одного кулера? 0 в наше время снег был белее и пушистей Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Ruodo Опубликовано 16 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 16 февраля, 2019 C Intel A80856-001 s478 200Вт кратковременно, 150Вт долговременно, при питании кулера от 14В. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
vg155 Опубликовано 16 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 16 февраля, 2019 12 минуты назад, Ruodo сказал: C Intel A80856-001 s478 200Вт кратковременно, 150Вт долговременно Этот старичок ну никак не способен на более, чем 50Вт. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Ruodo Опубликовано 16 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 16 февраля, 2019 (изменено) 4 часа работы 30В/5А, у транзисторов температура корпуса 80 градусов держалась. На 50Вт вообще холодно все считай. Изменено 16 февраля, 2019 пользователем Ruodo 1 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
evgeny.c78 Опубликовано 17 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 17 февраля, 2019 vg155 Всё нет да нет, а сам пробывал или только теория. Ruodo правильно пишет (C Intel A80856-001 s478 200Вт кратковременно, 150Вт долговременно). 150 ватт сдувается в лёгкую, а кратковременно я 300 ватт сдуваю. vg155 сам попробуй. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
vg155 Опубликовано 17 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 17 февраля, 2019 19 часов назад, Ruodo сказал: температура корпуса 80 градусов держалась Какова же при этом температура кристалла? 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
evgeny.c78 Опубликовано 17 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 17 февраля, 2019 vg155 разговор во первых идёт за температуру радиатора или выше 60 греть его каран не позволяет? У меня сделано включение вентилятора при 50 градусах и на всякий случай термо-датчик стоит на 80 градусов полное отключение нагрузки происходит при 85 градусах. Возмём например сварочный инвертор на китайцах видел тэрмодатчик на 110 градусов на радиаторе в СТ вообще на 150 стоят и не чё робят и какие транзисторы стоят? явно не фирма . Я понимаю если есть возможность сделать с запасом почему и нет а если нет то тогда? 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
mail_robot Опубликовано 17 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 17 февраля, 2019 стандартный радиатор 775-го сокета вполне способен сдувать 200 Вт. 150 для него нормальный режим. Так что все верно люди пишут. Главное тут - прямой контакт транзистора с радиатором. И если радик будет даже 80 градусов, ну кристалл будет 90-95. И что? Допустимые температуры в даташите куда выше 0 Нужно делать то, что нужно. А то, что не нужно, делать не нужно. (С) Винни Пух Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
vg155 Опубликовано 17 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 17 февраля, 2019 7 минут назад, mail_robot сказал: если радик будет даже 80 градусов, ну кристалл будет 90-95 @mail_robot не делайте мне смешно. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Ruodo Опубликовано 17 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 17 февраля, 2019 (изменено) 80 градусов корпуса вполне рабочая температура. Да и в моем случае нагрузка из говна и палок собрана, на 13009 которых вагон из бп и девать некуда, так что вообще все равно. Изменено 17 февраля, 2019 пользователем Ruodo 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
mail_robot Опубликовано 17 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 17 февраля, 2019 @vg155 , да за наздоровье 0 Нужно делать то, что нужно. А то, что не нужно, делать не нужно. (С) Винни Пух Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
vg155 Опубликовано 18 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 18 февраля, 2019 Существует формула для расчёта теплового сопротивления теплоотвода: Q=(T2-T1)/P-Q1-Q2, где Т2 - максимальная температура кристалла транзистора по справочнику, Т1 - максимально допустимая температура в коробке с нашим устройством, P - рассеиваемая на транзисторе мощность, Q1 - тепловое сопротивление кристалл-корпус по справочнику, Q2 - тепловое сопротивление корпус-радиатор. Освежите память. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Spenoza Опубликовано 18 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 18 февраля, 2019 В 17.02.2019 в 18:42, mail_robot сказал: стандартный радиатор 775-го сокета вполне способен сдувать 200 Вт. 150 для него нормальный режим. Так что все верно люди пишут. Главное тут - прямой контакт транзистора с радиатором. И если радик будет даже 80 градусов, ну кристалл будет 90-95. И что? Допустимые температуры в даташите куда выше К сожалению не все так радужно. Если брать транзистор получше (IXTX90N25L2 например), то его тепловое сопротивление кристалл-корпус 0,13 градуса на ватт, плюс типичное тепловое сопротивление корпус-радиатор (согласно даташита) 0,15 градуса на ватт. Итого при 200 ваттах и температуре радиатора в 60 градусов (например) получим температуру корпуса - 90 градусов , а температуру кристалла - 116 градусов. Конечно это вписывается в предусмотренные производителем режим работы, но перепад температур будет все же гораздо больше чем у Вас. Для транзисторов типа IRFP250 все намного хуже. Хотя с них никто такую мощность снимать не будет. Но к сожалению на радиатор от LGA775 их несколько не поставишь, так как площадь основания маленькая. Но это все теория. Скоро мне придется с этим столкнуться на практике. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
evgeny.c78 Опубликовано 19 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 19 февраля, 2019 1) Берём проще говаря 2 транзистора которые могут отдать по 200 вате каждый в итоге получаем 400 ватт если радиатор разогреется при 300 ватт до 80 градусов туго будет им работать. 2) Берём 4 транзистора по 200 ватт ставим на такой же радиатор таг же греется он до 80 градусов и чё им будет ? (vg155 что думаешь это критично) Ruodo можно твою схемку глянуть? 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
vg155 Опубликовано 19 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 19 февраля, 2019 14 минуты назад, evgeny.c78 сказал: Берём 4 транзистора по 200 ватт ставим на такой же радиатор Ставим либо на 4 радиатора, либо на один, но с вчетверо большей площадью поверхности. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Ruodo Опубликовано 19 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 19 февраля, 2019 (изменено) @evgeny.c78 Схема вот такая Изменено 19 февраля, 2019 пользователем Ruodo 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
vg155 Опубликовано 19 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 19 февраля, 2019 16 минут назад, Ruodo сказал: @evgeny.c78 Схема вот такая зачем резистор с выхода ОУ не инвер. вход? 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Ruodo Опубликовано 19 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 19 февраля, 2019 @vg155 Схема, кроме выходной части, содрана с китайской платы на полевых транзисторах. Я так понимаю, что это защита от самовозбуждения при емкостной нагрузке по выходу. Учитывая что добавлением перемычек, сюда можно ставить как полевые так и единичные биполярные транзисторы (с высоким КУ), убирать ни чего не стал. Поправьте если не так понял. 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
mail_robot Опубликовано 19 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 19 февраля, 2019 (изменено) 2 hours ago, vg155 said: зачем резистор с выхода ОУ не инвер. вход? а он случайно не задает глубину ООС по постоянному току? Изменено 19 февраля, 2019 пользователем mail_robot 0 Нужно делать то, что нужно. А то, что не нужно, делать не нужно. (С) Винни Пух Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
kotosob Опубликовано 19 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 19 февраля, 2019 (изменено) 15 минут назад, mail_robot сказал: не задает глубину ООС по постоянному току? ..именно..,интегратор для обеспечения устойчивости при нужном усилении ,в том числе. Изменено 19 февраля, 2019 пользователем kotosob 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
vg155 Опубликовано 19 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 19 февраля, 2019 (изменено) 32 минуты назад, kotosob сказал: ,интегратор для обеспечения устойчивости Куда это вас? Устойчивость обеспечивает конденсатор в цепи ООС, а шунтирующий его резистор здесь ни к селу, ни к городу. Схема нагрузки стабильным током, никакого отношения к интегратору не имеющая. Изменено 19 февраля, 2019 пользователем vg155 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
kotosob Опубликовано 19 февраля, 2019 Поделиться Опубликовано 19 февраля, 2019 (изменено) 20 минут назад, vg155 сказал: шунтирующий его резистор здесь ни к селу, ни к городу ..а что это и как называется и для чего,резистор и параллельный конденсатор--цепочка,которая в цепи ОС .?.). Изменено 19 февраля, 2019 пользователем kotosob 0 Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Присоединяйтесь к обсуждению
Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.