вижу что дата 2 летней давности
но ответ о причине так и небыл здесь озвучен.
и действительно как сказал автор темы - найти инф в интернете об этом эфекте оч сложно - её нет в лекгом поиске
так в чем причина:
отвтет был уже дан ранее и я его полностью подтверждаю - проблема в уровне Заряда на Gate (те тогда когда при вкл-выкл мосфет = конденсатор)
однако проблема не в низком значении как указывалось в постах выше - а наоборот в очень-очень высоком
для решения достаточно отрегулировать ток через Gate, - очень-очень значительно его уменьшив (раз в 10...100)
затем по осцилограмме отследить отсутсвие флуктаций во время выключенного состояния.
В типовой схеме шим управления мосфетом будет так
Res подтяжки от VCC к Gate = убирает выброс на первом фронте (при выключении)
Res от DigKey транзистора = убирает выброс на втором фронте (при включении)
и нужно учитывать, что если контролируемый ток - нефильтрованный, полуволновой то
первый при сверхвысоких своих значениях - даст паразитные неустойчивае состояния в закрытом мосфете
второй при завышеных значениях - будет резать самое начало при включении мосфета
оба Res - будут также изменять форму сигнала на Drain - увеличивать DUTY между полу-волнами в потоке Source-Drine если оно не фильтрованное полуволновое
и оба резистора нужно подобрать только по осцилу следя за тем чтобы удалить выбросы, но сохранить контролируемый ток без сзначит изменений
это можно сделать - лаг там большой и ни каких компромисов не потребуется - все удаляется почти полностью при практически не сущностных побочных явлениях.
чтоб понять еще лучше - собирите в Протеусе схему трансформатор-Мосфет-Биполяр-Сигнал и все увидете абс наглядно
удачи.
