Перейти к содержанию

IlyaA

Members
  • Постов

    16
  • Зарегистрирован

  • Посещение

Сообщения, опубликованные IlyaA

  1. 01.09.2019 в 02:56, blak566 сказал:

    А что нет ферритовой гантельки ?

    Есть, но в единственном экземпляре.

    410545026_01_03..jpg.c6a27a17d43bc94328dfd82c96160de0.jpg

    Рис.03. Габариты гантельки

    С текущей обмоткой ее индуктивность ~ 300 мкГн и этого не достаточно.

    196541978_01_04..jpg.d419d7ded9a182a0ad7d8df6e1ace55f.jpg1434384774_01_05..jpg.7b98c38064540fdd236c2bde32a45403.jpg

    рис.04. Насыщение гантельки                                                                                                                                                              рис.05. Гантелька с конденсатором

    Обмотка выполнена проводом 0.5мм и имеет сопротивление ~0.2 Ом. Почти подошла, нужно будет перемотать. Я ожидал другого результата. Индуктивность всего ~300мкГн, а она подходит. Магнитная проницаемость сердечника явно выше порошкового железа, но подмагничивания он не боится. Почему? У гантелек нет остаточной намагниченности?

    Подскажите, пожалуйста, как следует перемотать гантельку, чтобы обеспечить мин.12В - 60мА; макс. 12В - 1А с минимальной потерей мощности на элементе?

  2. 30.08.2019 в 08:56, Falconist сказал:

    Я бы рекомендовал перемотать дроссель энергосберегайки.

    Мне его жалко для этого преобразователя использовать. Хочу на его основе сделать повышающий блокинг-генератор с 1,5-3В до 9-10В. Он намотан тонким проводом, имеет большое сопротивление, быстро батарейки не высадит и "выстреливает" будь здоров.

    Хотел колечко от энергосберегайки задействовать, но увы.

    Если дроссели с магнитной проницаемостью сердечника даже немного лучше порошкового железа не могут работать в схемах с подмагничиванием, почему их так много? У меня штук 15 накопилось разных, и все безполезны в качестве накопителей энергии. Где они применяются? Не ломать же колечко пополам, чтобы зазор ему сделать.

  3. 12 минут назад, blak566 сказал:

    и легко вводит замкнутый феррит в насыщение

    Можно подробнее. Что-то, где-то слышал, но нет понимания того, как постоянная составляющая вводит замкнутый феррит в насыщение.

  4. Здравствуйте, друзья!

    Делаю свой первый понижающий DC-DC преобразователь 12В - 1А, управляемый ШИМ. Дело дошло до выходного дросселя, и в наличии есть импульсный трансформатор дежурного напряжения из компьютерного БП. "Примерил" его, подошел хорошо. Только сопротивление обмотки - 1 Ом и на полной мощности она съедает 1В на нагрузке, что критично. Замерил ее индуктивность, чтобы намотать дроссель. Намотал на небольшом колечке от энергосберегайки. Индуктивность получилась даже больше, чем у обмотки трансформатора, но насыщается этот дроссель быстрее. Проиллюстрирую сказанное.

    2085117169_01_01..jpg.5c5df1b5a8d9529445630936d0493bd3.jpg536387658_01_02..jpg.6c4b6bec23ad0ba68b2b787bebc33a12.jpg

    рис.1                                                                                                                                                           рис.2

    На рис.1 изображены колебания колебательного контура. Белым - с намотанным дросселем, синим - с обмоткой трансформатора. Видим, что период колебаний больше у дросселя, но энергию лучше сохраняет трансформатор. Измеренные значения индуктивности: дроссель - 1760 uH, трансформатор - 1447 uH. Прибора для измерения индуктивности у меня нет, поэтому измерял ее через период колебаний с керамическими конденсаторами на 100nF и 10nF и в емкостной трехточке с пленочными конденсаторами общей емкостью - 19nF. Показания не совсем сходятся. На большом конденсаторе индуктивность больше, также она несколько увеличивается, когда транзистор в емкостной трехточке открываешь сильнее. Но во всех случаях, индуктивность дросселя выше индуктивности обмотки трансформатора.

    На рис.2 изображено напряжение на нагрузке после дросселя (Rн - 67 Ом, ток - 60 мА). Белым - после намотанного дросселя, желтым - после обмотки трансформатора, синим - на коллекторе pnp-транзистора перед дросселем. Отчетливо видно, что намотанный дроссель насыщается значительно быстрее обмотки трансформатора.

    Габариты сердечников: колечко - 8,85х5х3,2 мм, Ш-образный - 19,8х11,5х5 мм. Материал - феррит.

    Согласно моим познаниям в электронике, индуктивность - это мера инерции дросселя, как емкость - мера инерции конденсатора. Т.е. если дроссель хорошо сопротивляется переменному току, то и индуктивность у него будет высокая. Здесь мы наблюдаем картину, когда дроссель с бОльшей индуктивностью насыщается быстрее, чем дроссель с меньшей индуктивностью. Габариты сердечника конечно меньше, но тогда и колебаться в контуре он должен чаще, т.к. не может запасти энергию из конденсатора. Это, кстати, видно на рис.1., колебания быстро затухают, но период-то не меняется.

    Помогите разобраться, пожалуйста.

  5. 3 минуты назад, _abk_ сказал:

    Эмиттер - это где стрелочка нарисована :) 

    Я, действительно, выводы перепутал и включил транзистор наоборот, работал только коллекторный диод и резистор. Извиняюсь.:blush:

     

    19 минут назад, _abk_ сказал:

    3,7В откуда взялись?

    Потенциал получен на макетной плате. Собираю регулятор оборотов кулера, воткнул кт502е и глазам своим не верю. Еще раз спасибо!

  6. 2 минуты назад, _abk_ сказал:

    На эмиттере у тебя +12В. Откуда 3,7В вообще взялось? Выводы  ты перепутал, однако...

    Выводы транзистора проверял мультиметром, там панелька есть, где они подписаны. Поправьте, если я ошибаюсь, эмиттер - это вывод, ток испускающий, коллектор - вывод ток собирающий, соответственно у pnp-транзистора коллектор сверху (по схеме из поста №1), эмиттер снизу.

  7. Здравствуйте, друзья!

    Начинаю работать с напряжением 12В и столкнулся с непонятной ситуацией. При самом простом подключении транзистора кт502е

    1045595838_pnp-50285.PNG.b6b872565a7c9b35b7fa4a43788b6b6f.PNG

    на эмиттере потенциал 3.7В. По документации он должен держать Uкэ = 80 В. Проверил несколько транзисторов, все ведут себя одинаково. Если понизить напряжение до 8 В, потенциал с эмиттера исчезает.

    Подскажите, пожалуйста, что происходит?

  8. Беру! На транзистор меньше, однако. :) Интересное решение с обратной связью.

    1. Вы микротоки избегаете исходя из личного опыта?

    2. Подскажите, пожалуйста, в какой программе вы моделируете? Почему остановились на ней, а не на мультисиме? Я, просто, только один мультисим знаю, а в этой смотрю даже наши транзисторы имеются.

    3. Пришло время готовить элементную базу для сборки, где бы вы предпочли затарить необходимые для этой схемы детали? Закупка явно не тянет на мелкий опт. Есть ли магазины, торгующие по 10-20 шт.?

  9. avv_rem, вы меня опередили! Прочитав ваш первый пост, я принялся устранять ошибки, а когда закончил, смотрю, уже готовая схема, как по волшебству. :) Обязательно проанализирую. В своей схеме я продвинулся чуть дальше, не сочтите за грубость, я её тоже выложу, там интересный момент имеется.

    3384d2c8c97d.png

    Итак, по порядку:

    1. R5 убрал, действительно глупость полная.

    2. Сделано.

    3. Сделано.

    4. Я выбрал микротоки по двум причинам первая очевидная, экономим батарейки, вторая, микротоки меньше греют транзисторы диф. каскада. Если этой меры будет не достаточно будем думать дальше.

    5. R2 поменял, теперь он завётся R11 сопротивление удалось увеличить аж до 100К. Также добавил стабилитрон, поскольку питающие батарейки тоже разряжаются со временем.

    6. Я не умею, об этом можно где-то прочитать.

    7. Уменьшил R4 до 200К так, чтобы поменьше тока текло, но преждевременно не открывался Q11.

    Проанализировав ваши советы я сделал не утешающий для себя вывод - грызть мне еще гранит науки не перегрызть. Благодарю, всё очень дельно.

    Теперь о новой схеме, добавил исполнительный механизм на 2-х транзисторах. Его задача отключать R5, когда напряжение упало ниже уровня. Однако, схема повела себя очень интересно, продемонстрировав глубокую обратную связь. Стоит напряжению на R5 упасть ниже 1 В, Q3 немного призакрывается, снижая нагрузку, и напряжение восстанавливается до 1 В и в дальнейшем транзистор старается его поддерживать всеми силами. Я увеличивал внутреннее сопротивление R1 до максимума, и Q3 отвечал взаимностью, в такт призакрывался, но обязательно держал напряжение 1 В. Эта ситуация показана на картинке, сопротивление источника 1К, такое в природе врятли встречается. Очень любопытно.

    Отсюда вопрос, придётся ли по нраву такой режим аккумулятору, он вроде как и не восстанавливается, но в тоже время и нагрузку лишнюю с него убирают, а как только иончики появились их тут же забирают, электролит всегда в движении.

    Небольшой бонус - общее потребление схемы всего 196-270 мкА.

    Есть ли в этой схеме изъяны, или она один большой изъян? :)

    А теперь отлучаюсь анализировать вашу схему... Еще раз благодарствую!

    ЗЫ. Я и подумать не мог, что у меня через несколько дней будет проект, готовый к макетированию. :thank_you2::clapping:

  10. Вот такой простейший ОУ на транзисторах был когда-то в журнале "Радио":

    ...

    Схема подошла как нельзя лучше, плюс замечательно написанная статья про операционные усилители вместе сделали своё дело. Ниже приводится схема и результат моделирования.

    ca907e707743.png

    Результаты измерений напряжений при тестировании схемы.

    109cbb337e7d.png

    Как видно из таблицы схема сработала несколько раньше (опыт 17, напряжение срабатывания 1,03 В на разряжаемой батарейке), что вызывает у меня несколько вопросов.

    1. Если посмотреть на разность потенциалов эмиттер-база Q11, то уже в опыте 14 наблюдается 0,44 В, что должно было приоткрыть транзистор, однако последний держится, не желает открываться. Немного приоткрыться Q11 решает только при разнице в 0,64 В (2,37 - 1,73), а это уж совсем много. В настощий момент теряюсь в догадках о причинах отклонения в поведении, казалось бы порядочного транзистора. Характеристики: PNP 2N3702 TO-92 Vceo=25;Vcbo=40;Ic(max)=0.5;hFE(min)=60;hFE(max)=300;Ft=100;Pd=0.6. Обычный средний универсал.

    2. Очень странный гистерезис. На схеме мы видим (опыт 17) как благодаря ООС наряжение на базе Q2 (он же второй вход, с позволения сказать операционного усилителя, хотя также усматривается триггер Шмитта на комплементарной паре транзисторов) увеличилось аж до 1,060 В. Соответственно, Q11 должен оставаться открытым как минимум до повышения напряжения на R3 до тех самых 1,060 В. Однако уже в опыте 18, где мы увеличили напряжение всего до 1,04 В Q11 приспокойно закрывается (почти). По сути опыт 18 это зеркальное отражение опыта 16 (перепроверял раз 10, по каждой циферке), что также пока не укладывается в моей голове. Как будто и гистерезиса никакого нет, тогда почему раньше сработал?

    Возможно еще что-то усмотрю со временем, а пока хочется побыстрее поделиться результатами работы и попросить рекомендаций по доводке этой части схемы.

    Когда R8 равен 1К гистерезис чувствуется, но и схема срабатывает уже на 1,06 В, когда R8 = 10К наряжение на коллектре Q11 такое же гладенькое и ровненькое как у Q2, ПОС очень слабая. Остановился на варианте, при котором Q11 срабатывает с минимальным различием входов ОУ.

    В очередной раз выражаю искреннюю благодарность, за оказанную поддержку.

  11. Должен признать, что практически всю работу за меня сделал Falconist, как в старом анекдоте про студента 6 курса. Статья про операционники, очень вкусная, обязательно скушаю, но на усвоение потребуется время. Я еще не до конца понимаю 4 вида обратной связи в транзисторах (последовательная, параллельная, по току, по напряжению), поэтому не рвусь с пробелами в фундаменте использовать интегральную элементную базу. Как разберусь, так ринусь в бой покорять микросхемы. Операционник здесь очень хорошо подходит, и опорное напряжение используется и гистерезис ввести можно, чтобы дать возможность аккумулятору отдохнуть, восстановиться, и снова на разрадку. Не у кого, случайно, нет схемы операционника на транзисторах, я знаю что там диф. каскад во главе, но пока не понял каким образом используя опорное напряжение (1В) и ПОС добиться гестерезиса на диф. каскаде?

    Пока осмысливаю операционник хочу поделиться схемой на тригере Шмитта.

    540978e71608.png

    Работает хорошо, входное сопротивление высокое, чувствительность 0,01 В, гистерезис 0,1 В, только опорное напряжение пока не прикрутил. думаю в какое место. :)

  12. Благодарю за советы, понял, что нужно смотреть в сторону триггера Шмидта. Буду изучать мат часть. Диф каскад привлёк тем, что можно легко задать опорное напряжение. В схеме, предложенной Falconist'ом опорное напряжение задаётся уже разницей коллекторных сопротивлений. Данное обстоятельство делает диф. каскад с ПОС не столь привлекательным, с ним придётся повозится также как с тригером Шмидта. В общем буду пробовать, еще раз покорнейше благодарю. :thank_you2:

  13. Могу я вас попросить развить тему... Я предполагал, что пороговым элементом выступит дифференциальный каскад, а у меня график плавный из-за недостаточного опыта или отсутствия знаний матчасти.

  14. Поскольку, за XMM4 следует резистор R5, то падение напряжения на нём будет пропорционально току коллектора Q2, который нарастает плавно. Следовательно, и напряжение на резике R5 будет нарастать также плавно, а хочется ступеньку.

  15. Всем доброго времени суток!

    Цель: разработать простейшее разряжающее устройство для пальчикового аккумулятора с функцией автоотключения нагрузки при достижении напряжения на разряжаемом аккумуляторе 1В.

    Схема: http://s017.radikal....f9ffcc98ee3.png

    Думал, а! сейчас за 15 мин. набросаю, изготовлю и всё будет пучком, ан нет, мироздание выразилось примерно так: есть многое на свете, друг Горацио, что и не снилось нашим мудрецам. У меня не очень большой опыт в электронике, поэтому предпочел пропустить схемы с компараторами, операционниками и тем более АЦП. Остановился на дифференциальном каскаде. Мыслил так, когда напряжение база-эмитер первого транзистора превышает напряжение база-эмитер второго транзистора, то на эмиттерном резисторе каскада будет высокое напряжение, которое запрёт второй транзистор. А когда напряжение база-эмитер первого транзистора опустится наже напряжения база-эмитер второго транзистора, то на эмиттерном резисторе будет низкое напряжение, что создаст условия для открытия второго транзистора и закрытия первого. Виделось, что процесс протекает лавинообразно. Однако на графике можно увидеть практически линейную зависимость в окрестности нулевого дифференциала (напряжения 1В) между транзисторами. Причём, нет даже намёка на ступеньку, и график очень напоминает обычный график усилительного каскада на транзисторе со средней точкой в нулевом дифференциале. Много крутил схему, менял номиналы резисторов, ставил третий транзистор в эмиттер каскада, меняется только масштаб и крутизна, ступеньку получить не удаётся.

    Как быть, господа? Подскажите, пожалуйста, как получить более-менее чёткий сигнал о достижении напряжения заданного уровня, желательно, ограничиться самыми простыми деталями.

    Заранее благодарен.

×
×
  • Создать...