NikT

Что бы разогнать с базы носители в дифф. каскаде стоит диод... Чем плох резистор? Главное создать низкий потенциал а чем все равно...

Что бы разогнать с базы носители в дифф. каскаде стоит диод... Чем плох резистор?

Дааа, легко читается перегруз формулами не сильный

Не мне так глубоко не надо.

А можно тоже самое только для активного режима?

Хм. Интересно. Надо подумать

Я правильно понял: В режиме насыщения неосновные перемещаются в базе с помощью градиента, так? А в активном режиме их притягивает поле ионов ОПЗ, и градиент не причём, так?

Сейчас что то запутался надо нарисовать... А сейчас заводят ПОС на коллекторный резистор?

Вроде по базе неосновные носители двигаются в следствии диффузии?

А если градиент неосновных минимален, то откуда взяться тому что в насыщении ток максимален? Нестыковка где-то!?

Так в режиме насыщения базовый ток минимален в следствии минимальной рекомбинации, это о чём говорит что градиент неосновных минимален?

Ааа как вы боретесь с барьерной и диффузионной ёмкостью не зная кто это?

В режиме насыщения градиент неосновных носителей в базе больше а значит больше диффузионный ток а значит диффузионная ёмкость максимальна в насыщении, верно ли?

Правильно ли преобразованно?

Есть вопрос. Когда появляется сдвиг на входе из за неодинаковых транзисторов в дифф. каскаде как появляется потенциал на выходе там же ноль???