Перейти к содержанию

Диффузионная ёмкость


Рекомендуемые сообщения

В режиме насыщения градиент неосновных носителей в базе больше а значит больше диффузионный ток а значит диффузионная ёмкость максимальна в насыщении, верно ли?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Реклама: ООО ТД Промэлектроника, ИНН: 6659197470, Тел: 8 (800) 1000-321

20% скидка на весь каталог электронных компонентов в ТМ Электроникс!

Акция "Лето ближе - цены ниже", успей сделать выгодные покупки!

Плюс весь апрель действует скидка 10% по промокоду APREL24 + 15% кэшбэк и бесплатная доставка!

Перейти на страницу акции

Реклама: ООО ТМ ЭЛЕКТРОНИКС, ИНН: 7806548420, info@tmelectronics.ru, +7(812)4094849

Особенности хранения литиевых аккумуляторов и батареек

Потеря емкости аккумулятора напрямую зависит от условий хранения и эксплуатации. При неправильном хранении даже самый лучший литиевый источник тока с превосходными характеристиками может не оправдать ожиданий. Технология, основанная на рекомендациях таких известных производителей литиевых источников тока, как компании FANSO и EVE Energy, поможет организовать правильный процесс хранения батареек и аккумуляторов. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

5 часов назад, NikT сказал:

, верно ли?

Нет. Базовый ток в режиме  насыщения  может быть очень маленьким, если в цепи коллектора сопротивление очень большое.

Изменено пользователем Том
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Выбираем схему BMS для корректной работы литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

 Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ, также как и для других, очень важен контроль процесса заряда и разряда, а специализированных микросхем для этого вида аккумуляторов не так много. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список имеющихся микросхем и возможных решений от разных производителей. Подробнее>>

Реклама: АО КОМПЭЛ, ИНН: 7713005406, ОГРН: 1027700032161

41 минуту назад, NikT сказал:

режиме насыщения

переход база - коллектор тоже  слегка приоткрыт, и "излишки " базового тока уходят через него - транзистор не работает как должен. Обычно неосновные носители из эмиттера попадают в базу, и оттуда их затягивает в коллектор полем обратно смещённого  перехода.  А здесь ток идёт за счёт градиента концентрации. Ток тем выше,  чем больше градиент, но это уже всё в режиме насыщения.

Например, вы можете задать базовый ток - один ампер, а потом -  десять, насыщение станет более глубоким, но сути не изменит.

Изменено пользователем Том
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

43 минуты назад, NikT сказал:

Вроде по базе неосновные носители двигаются в следствии диффузии?

На переходе, засасывается полем неосновной носитель,  в коллектор, это создаёт градиент в базе, и диффузию.

Раньше повышали напряжение питания для схем, специально, обратно смещённый переход "съедал" часть базового слоя - база становилась тонкой. Считалось, что звучание в таком случае лучше.

Изменено пользователем Том
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Сейчас что то запутался надо нарисовать...

29 минут назад, Том сказал:

Раньше повышали напряжение питания

А сейчас заводят ПОС на коллекторный резистор?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

21 минуту назад, NikT сказал:

сейчас заводят ПОС на коллекторный резистор

Сейчас все новые фишки в технологии изготовления транзистора держатся в строжайшей тайне.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Я правильно понял:

В режиме насыщения неосновные перемещаются в базе с помощью градиента, так?
А в активном режиме их притягивает поле ионов ОПЗ, и градиент не причём, так?

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

1 час назад, NikT сказал:

В режиме насыщения неосновные перемещаются в базе с помощью градиента, так?

В режиме насыщения база переполнена, так как рекомбинация в базе слабая. И вот, эта громада носителей, переливается через барьер, небольшой такой.  Огромное множество,  с такими скоростями, с такой энергией, что легко его проскакивают.

Летит электрон, предположим, попадает в поле  опз, начинает тормозить, но скорость большая, и он проскакивает. Он основной носитель в коллекторе, и значит ему навстречу из коллектора летит неосновной носитель коллектора - дырка, тоже горячая, они рекомбинируют, предположим, но электронов идёт вал и они побеждают.

Этот вал даёт на коллекторе минус, этот минус через резистор в цепи коллектора отсасывается в шину питания, плюсовую шину. Если резистор большого номинала - количество заряда уходящего в шину питания в единицу времени - маленькое. И тогда даже небольшому базовому току легко держать минус (относительно базы)  на коллекторе.

Изменено пользователем Том
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

17 минут назад, NikT сказал:

Хм. Интересно. Надо подумать

Интересно дальше, если глубже копнуть, там дофига всего, супер завязки, экситоны фононы ... Агата Кристи отдыхает.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

2 часа назад, NikT сказал:

Не мне так глубоко не надо.

Надо какую-то книжку почитать, с формулами, а здесь это просто болтовня -  вольный пересказ первоисточников.

Например, я описал пролёт через барьер, а для неосновных носителей барьера не бывает, не может быть, в принципе.  Там где-то 0.3 вольта остаётся при насыщении, от встроенного поля опз, и неосновные носители из базы легко перетекают в коллектор, чуть-чуть это поле им помогает, а в активном режиме - несколько вольт на переходе - мощно засасывает в коллектор. Нестыковка, читать надо, самому разбираться..

Там всё на сродстве к электрону держится, работа выхода, такие дела. Где-то надо раздобыть хорошую книгу, не знаю какую, и разобраться раз и навсегда.

Изменено пользователем Том
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Гость
Unfortunately, your content contains terms that we do not allow. Please edit your content to remove the highlighted words below.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Восстановить форматирование

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

Загрузка...
  • Последние посетители   0 пользователей онлайн

    • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу
  • Сообщения

    • Обычный DSO PRO, генератор под 4кГц получился, трудно поймать высокие SR на разрешении менее 2uS. Но до 30V/uS генерируется правильно. Musesы, Lme49xxx, opa 16xx/21хх и т.п. все согласно даташитов. Более скоростные не пробовал. Разброс по току более 1mA встречал только у ОР27 и LF353.
    • Спрошу здесь, извиняюсь заранее если не совсем верно в тему.  Вопрос в следующем - хочу сделать экранчик для своего цапа (преобразователя) чтобы выводил частоту дискретизации (допустим это). Я узнал что можно реализовать эту задачу на контроллере Ардуино, можно Нано или другой и дисплей SSD1306 I2C OLED. Сигнал с цапа снимается по LRCLK с I2S и преобразовывается в I2C для вывода на экран. Купить экран и контроллер не проблема, а как подключить контроллер к цапу если на самом нано нет нужного пина или я что то не понимаю и все возможно? Прошивка есть! Хочу разобраться с подключением и купить плату с экраном. Можете обьяснить как соединять?  Вот у человека все подключено и работает. Частично он мне обьяснил...    
    • Ну надо сказать, заработало. Причём режимы даже совпали с расчётными. По усилению только не совсем понятно, толи погрешность осциллографа, толи действительно есть небольшой разбег...
    • "Так а если этот ваш телефон или монитор перенести на другую улицу - там все эти глюки пропадают?"  Телефон так работает везде по городу и области. Монитор не везде, но степень разная, где-то лучше, где-то хуже, но это не 1 монитор, это любой монитор. То есть в каких-то местах где одно устройство хорошо работает - там будет работать хорошо и другие.
    • Вот такие "мелкие" казалось бы детали, которые многие могут не заметить. Но я сразу подозревал, что на этой плате все-таки стоит внутренняя видеокарта (несмотря на заявления ТС что ее там нет). И выложеные (большое спасибо за это) выше таблицы раз за разом это подверждают тоже - чипсет 945GZ таки имеет встроенную видеокарту. В данном случае, ТС также использует внешнюю видеокарту (NVidia GeForce 210), а для внутренней не установлен драйвер, почему он и показан как "Microsoft Basic Adapter" (используется "драйвер Windows по-умолчанию"). Для того чтобы "добавить" памяти в систему (максимум что может добавиться это 512мб, писал об этом выше), надо вначале выключить внутреннюю видеокарту в BIOS (ну и включить Memory Re-Map, как уже предлагали). 
    • Так а если этот ваш телефон или монитор перенести на другую улицу - там все эти глюки пропадают?
    • Всех радиолюбителей поздравляю С ДНЁМ РАДИО.
×
×
  • Создать...