Roman G

Понял, всем спасибо за участие и помощь! Ушел искать могучий диод, нагрузка-то индуктивная)

С учетом вот этого наверно и правда нет смысла искать альтернативы. Кстати, ради эксперимента аккуратно повышал на [IN] напряжение, ключ отключился примерно при 10В, то есть ток должен действительно серьезно упасть. С драйверами для mosfet тоже проводил эксперимент, я кратко об этом упоминал, вот теперь могу немного резюмировать: так как нужен был драйвер с инвертирующим входом, то выбор у меня был не сильно большой, нашлись TC4426, IR4426, IR2102, IR2103, FAN3100TSX. Амплитуду 2.3В в качестве высокого уровня распознали только TC4426 и FAN3100TSX (по даташиту вообще только FAN3100 должен был распознать - у него 2.0, а у TC4426 - 2.4). Притом последний очень понравился возможностью схемно изменить тип входа с инвертирующего на неинвертирующий (хотя у большинства можно, но тут об этом в мануале написано явным образом, а не следует из логических диаграмм). Вариант с этими драйверами держу в уме. Исходя из принципиальной схемы, им не должно быть плохо от тока, стекающего из [IN] ключа BTS в их выход во время низкого уровня на нем (выходе драйвера). А все-таки, для общего развития, какова природа этого дрожания в схеме с биполярником? Изменение тока базы при заряде/разряде конденсатора?

Да я тоже технарь, но у меня, в основном, верхний уровень и интеграция, комплексирование. Я стараюсь формулировать четко (мне же хочется получить ответ), но подводит терминология, скорее всего. Притом я этого могу не замечать, поэтому думаю, что задал вопрос правильно. Вот он мне и помог засомневаться. Я увидел дрожание напряжения между IN ключа и gnd (фаза импульса, управляющий биполярник открыт), амплитуда примерно 0.4-0.5 В. Ключ при этом открыт, в цепи нагрузки ток неизменен, напряжение между Vbb и OUT ключа не меняется, что косвенно говорит о постоянстве его Ron. То есть вроде все хорошо, но сейчас плотно засел за даташит на BTS, чтобы окончательно разобраться как может влиять на ключ это дрожание, а параллельно изучаю возможные альтернативы биполярнику для управления, в том числе и мосфет, управляемый LL.

Да, наверно, я пока не знаком с этими штуками и терминологией не владею. С BTS50055 как раз все понятно, я во всех своих сообщениях говорил только об управлении. Именно. Точнее, я ее уже нашел (с помощью Том и Bobius, отдельное спасибо) и реализовал, но появились сомнения, что она у меня корректно работает. Я просто решил уточнить, и Вы дали хороший совет, мануалы я вчера уже посмотрел более внимательно и увидел, что моего сигнала хватит, чтобы открыть управляющий мосфет в степени, достаточной для срабатывания BTS50055. Не реагируйте негативно на мои сообщения, пожалуйста. Я не специалист, даже на любительский уровень не претендую, поэтому и пришел за помощью сюда. Вопросы вызваны лишь тем, что, помимо непосредственно реализации прикладной части, теория тоже интересна, а много читать и разбираться самому сложно из-за основной деятельности. Если ветка строго предусматривает формат «Q-A и всего хорошего», тогда ретируюсь. И спасибо за советы, с помощью Ваших подсказок я достаточно во многом (по своим меркам) разобрался всего за несколько дней, начал понимать документацию, как минимум - теперь могу самостоятельно найти ответ на некоторые вопросы.

Да, при этом ток начинает течь при замыкании IN на gnd, а так на IN висит почти потенциал питания. Вот у меня сейчас и подключен биполярник в разрыв между IN и gnd, чтобы когда на базу приходит импульс IN подтягивался к gnd через открытый C-E. Если на управление ставить mosfet, то в разрыв будет подключен его D-S и ток входа IN ключа будет током через D-S управляющего mosfet’а. Или Ваш совет заключался в том, чтобы всю связку заменить на мосфет низкоуровневый?

Да я про свой ключ, я планирую управлять с помощью этого транзистора ключом BTS50055-1TMB, у него логическое управление минусом и ток, истекающий с его входа IN на землю в этом случае является током через D-S того самого LL-MOSFET. Там в самом начале темы есть вводные.

Здесь ключ открывается минусом, поэтому открытием можно считать момент, когда стекающий через D-S на землю ток управляющего мосфета станет достаточным для срабатывания логики ключа, это будет порядка нескольких мА, то есть ему достаточно будет немного приоткрыться, но фактически только эксперимент покажет.

А сколько ориентировочно нужно LL-мосфету по амплитуде для полного открытия? Он же ток заряда затвора наверно хороший захочет, а у источника шим амплитуда при увеличении тока проседает значительно… Ток, конечно, можно ограничить, медленное открытие в управляющей цепи не так критично, но нужно будет смотреть как в итоге уменьшится итоговый Кзап с учетом фронтов. upd. Мне бы еще понять, как дрожание земли с амплитудой около 0.5 В влияет на открытие ключа. Напруга-то на нагрузке во время импульса стабильна, ключ не нагревается, а значит Ron в референсных пределах и он не пытается закрываться. Может и не заморачиваться? Задача, в целом, решена, но перфекционизм тяготит, а знания в этой области тянут назад)

Пришел к выводу, что «дрожание» земли обусловлено скачками напряжения Uкэ биполярника. Видимо, плавает ток базы в таком диапазоне, что транзистор балансирует на грани перехода в насыщение. Могут эти флуктуации тока базы являться следствием разряда конденсатора через цепь база-эмиттер? Если да, то можно ли это вылечить подбором правильных номиналов для RC?

Перечитал свой вброс, для п. 1, когда писал «резистор великоват», имел ввиду вытягивает слишком большой ток, а резистор, соотв-но, маловат.

Поставил керамику, успешно отфильтровались короткие осцилляции и нагрузка перестала звучать. Немного повалились фронты, но открытие/закрытие биполярника все равно происходит в какой-то определенный момент нарастания/затухания, значит это скажется только на том, что коэффициент заполнения финального сигнала на ключ не будет достигать 100%, что не критично для решения задачи. Немного беспокоят следующие моменты: 1) амплитуда входного сигнала просела до 0.85 В, стало быть, резистор в базе великоват для выходного каскада ШИМ-генератора? 2) наблюдал отрицательные выбросы входного сигнала как с конденсатором, так и без него (фото осцилограммы прикрепляю). Понимаю, что без схемы выходного каскада ШИМ сложно что-то сказать, но может быть есть предположения? Собрано на макетке и имеются проводные соединения, поэтому не исключаю наличие паразитных индуктивностей. 3) земля на входе IN ключа с конденсатором дрожит намного сильнее, чем без него (фото осцилограмм). Я правильно понимаю, что это концептуальная проблема и игра в номиналы не спасет ситуацию? Думаю, что ключ имеет фиксированный порог срабатывания около 0.2 В (в мануале не знаю где искать) и не будет открываться от этой дрожи, или же это все-таки плохо для него?

Все получилось, ток базы 0.675 мА. Транзистор открывается начиная с амплитуды 0.6 В, с запасом. Но не обошлось без сюрпризов, конечно: источник ШИМ на холостом ходу выдает некоторые осцилляции с той же несущей (100Гц), но длительностью 100 мкс. Даже драйвер на них иногда реагировал, транзистор, естественно, тоже «дергает» вход ключа. Силовая цепь не успевает полноценно нагружаться, естественно, но «звучит». Притянуть на землю резистором или есть более элегантные способы решения?

Да я этот мануал даже распечатал уже. Читаю - вроде все понятно, а потом - раз - и цифры какие-нибудь не сходятся, начинаю разбираться что мог упустить и зависаю - знаний не хватает. Совсем фундаментальные вещи я еще помню, но отсутствие опыта и профильных знаний приводит меня сперва к растерянности, а потом сюда, в песочницу) В прикладном плане я задачу-то все таки решил буквально час назад, с помощью инвертирующего драйвера (IR4426), который реагирует на уровень 2.3. Но, во-первых, у него граница срабатывания слишком близко к этому значению, а во- вторых - не нравится мне, что ток будет стекать на землю через выход драйвера, поэтому окончательная реализация будет все-таки на транзисторе. Возьму за основу предложенную схему, осциллом помониторю на переходном режиме и буду смотреть в сторону разводки/сборки. Еще раз спасибо!

Просто изначально хотелось только сделать, чтобы работало, а в процессе появилось желание обрести хотя бы базовое понимание - «как и почему». Прошу извинить, если это уже выходит за формат ветки.

Хорошо, когда опыт позволяет сразу понять, куда нужно смотреть) Спасибо! У меня IS не будет задействован, поэтому буду рассчитывать исходя из полных 120мА. Странно только, откуда они взяли такие значения тока в мануале (скрин прикрепил).